包括NAND串的存储器设备及操作存储器设备的方法技术

为了操作包括多个NAND串的存储器设备，当选择的字线的电压增加时，使多个NAND串中未选择的NAND串浮置，以使得未选择的NAND串的沟道电压升高。当选择的字线的电压降低时，使未选择的NAND串的沟道电压放电。当选择的字线的电压增加时，可以通过使未选择的NAND串浮置以使得未选择的NAND串的沟道电压的升高与选择的字线的电压的增加一起发生来降低负载，当选择的字线的电压降低时，可以通过在选择的字线的电压降低时使未选择的NAND串的升高的沟道电压放电来降低负载。通过这样降低选择的字线的负载，可以缩短电压建立时间并提高存储器设备的操作速度。

Memory devices including NAND strings and methods of operating memory devices

In order to operate memory devices including multiple NAND strings, when the voltage of selected word lines increases, the unselected NAND strings in multiple NAND strings are floated to increase the channel voltage of unselected NAND strings. When the voltage of the selected word line is reduced, the channel voltage of the unselected NAND series is discharged. When the voltage of the selected word line increases, the load can be reduced by floating the unselected NAND string so that the increase of the channel voltage of the unselected NAND string occurs together with the increase of the voltage of the selected word line. When the voltage of the selected word line decreases, the negative value can be reduced by discharging the increased channel voltage of the unselected NAND string when the voltage of the selected word line decreases. Carry. By reducing the load of the selected word lines, the voltage setup time can be shortened and the operation speed of the memory device can be improved.

【技术实现步骤摘要】
包括NAND串的存储器设备及操作存储器设备的方法相关申请的交叉引用本申请要求享有于2017年7月28日向韩国知识产权局(KIPO)递交的韩国专利申请No.10-2017-0095914的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。
示例实施例总体上涉及半导体集成电路，更具体地涉及包括NAND串的存储器设备和操作存储器设备的方法。
技术介绍
用于存储数据的半导体存储器设备可以分为易失性存储器设备和非易失性存储器设备。易失性存储器设备(例如动态随机存取存储器(DRAM)设备)通常被配置为通过对存储器单元中的电容器充电或放电来存储数据，并在断电时丢失所存储的数据。非易失性存储器设备(例如闪存设备)即使在断电的情况下也可以维持所存储的数据。易失性存储器设备被广泛用作各种装置的主存储器，而非易失性存储器设备广泛用于在诸如计算机、移动设备等的各种电子设备中存储程序代码和/或数据。近来，为提高存储器单元的集成度，已经研发了具有三维结构的非易失性存储器设备(诸如垂直NAND存储器设备)。但是，由于高集成度与高存储能力，这种存储器设备的信号线的负载不期望地较高，导致存储器设备的操作速度降低。
技术实现思路
一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种操作包括多个NAND串的存储器设备的方法，该方法包括：增加选择的字线的电压；当所述选择的字线的电压增加时，将所述多个NAND串中未选择的NAND串浮置，以使得所述未选择的NAND串的沟道电压升高；降低所述选择的字线的电压；以及当所述选择的字线的电压降低时，使所述未选择的NAND串的沟道电压放电。

【技术特征摘要】
2017.07.28 KR 10-2017-00959141.一种操作包括多个NAND串的存储器设备的方法，该方法包括：增加选择的字线的电压；当所述选择的字线的电压增加时，将所述多个NAND串中未选择的NAND串浮置，以使得所述未选择的NAND串的沟道电压升高；降低所述选择的字线的电压；以及当所述选择的字线的电压降低时，使所述未选择的NAND串的沟道电压放电。2.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述未选择的NAND串的沟道电压放电包括：当在读取操作中所述选择的字线的读取电压降低时，将所述未选择的NAND串电连接到位线和源极线。3.根据权利要求1所述的方法，其中，使所述未选择的NAND串的沟道电压放电包括：当在编程操作中所述选择的字线的编程电压降低时，将所述未选择的NAND串电连接到位线和源极线中的至少一条。4.根据权利要求1所述的方法，其中，增加选择的字线的电压包括使所述选择的字线的电压增加到第一读取电压以执行第一感测操作，以及降低所述选择的字线的电压包括使所述选择的字线的电压从所述第一读取电压降低到第二读取电压以执行第二感测操作，所述第二读取电压低于所述第一读取电压。5.根据权利要求4所述的方法，其中，将所述未选择的NAND串浮置包括：在所述选择的字线的电压增加到所述第一读取电压的时段内使未选择的串选择线和未选择的地选择线无效，所述未选择的串选择线连接到所述未选择的NAND串，以控制所述未选择的NAND串与位线之间的电连接，所述未选择的地选择线连接到所述未选择的NAND串以控制所述未选择的NAND串与源极线之间的电连接。6.根据权利要求4所述的方法，其中，使所述未选择的NAND串的沟道电压放电包括：当所述选择的字线的电压从所述第一读取电压降低到所述第二读取电压时，通过以脉冲的形式在未选择的串选择线和未选择的地选择线上提供相应的电压来触发所述未选择的串选择线和所述未选择的地选择线，所述未选择的串选择线连接到所述未选择的NAND串，以控制所述未选择的NAND串与位线之间的电连接，所述未选择的地选择线连接到所述未选择的NAND串，以控制所述未选择的NAND串与源极线之间的电连接。7.根据权利要求4所述的方法，还包括：当所述选择的字线的电压从所述第一读取电压降低到所述第二读取电压时，增加与所述选择的字线相邻的字线的电压。8.根据权利要求4所述的方法，其中，降低所述选择的字线的电压还包括：使所述选择的字线的电压从所述第二读取电压降低到第三读取电压以执行第三感测操作，所述第三读取电压低于所述第二读取电压。9.根据权利要求8所述的方法，其中，使所述未选择的NAND串的沟道电压放电包括：当所述选择的字线的电压从所述第一读取电压降低到所述第二读取电压时，通过以第一脉冲的形式在未选择的串选择线和未选择的地选择线上提供相应的电压来触发所述未选择的串选择线和所述未选择的地选择线，所述未选择的串选择线连接到所述未选择的NAND串以控制所述未选择的NAND串与位线之间的电连接，所述未选择的地选择线连接到所述未选择的NAND串以控制所述未选择的NAND串与源极线之间的电连接；以及当所述选择的字线的电压从所述第二读取电压降低到所述第三读取电压时，通过以第二脉冲的形式提供相应的电压来触发所述未选择的串选择线和所述未选择的地选择线。10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述第一脉冲和所述第二脉冲的脉冲宽度或电压中的至少一个彼此不相同。11.根据权利要求8所述的方法，其中，使所述未选择的NAND串的沟道电压放电包括：当所述选择的字线的电压从所述第一读取电压降低到所...

【专利技术属性】
技术研发人员：金完东，金兑炫，南尚完，朴商秀，郑宰镛，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国,KR