The present disclosure relates to semiconductor devices and flash memory control methods. According to an embodiment, the memory controller is configured to enable the memory controller to prohibit interruption of write/erase processing in execution when the first main device is performing write/erase processing on the flash memory, when the memory controller controls write/erase processing on the flash memory performed by the first main device or the second main device, due to the second interruption. The main device's access to flash memory.
【技术实现步骤摘要】
半导体装置和闪存存储器控制方法相关申请的交叉引用本申请基于并要求于2017年6月27日提交的日本专利申请No.2017-125270的优先权权益，该日本专利申请的公开内容通过引用全部并入本文中。
本公开涉及半导体装置和闪存存储器控制方法。例如，本公开涉及当多个主设备执行对闪存存储器的写入/擦除处理时使用的控制技术。
技术介绍
包括多个主设备(例如，多个主处理单元)的一类半导体装置可以配置为使得所述多个主设备使用一个公共的闪存存储器。在具有这种配置的半导体装置中，例如，存储器控制器控制从每个主设备对闪存存储器的访问。日本未经审查的专利申请公开No.2008-34045公开了用于中断/恢复对闪存存储器的写入/擦除处理的技术。一般而言，当某个主设备正在对闪存存储器执行写入/擦除处理时，其它主设备不能对该闪存存储器执行读取、写入和擦除处理中的任何。应当注意的是，向闪存存储器写入/从闪存存储器擦除数据要花费时间。因此，在一些情况下，当某个主设备如上所述正在对闪存存储器执行写入/擦除处理时，其它主设备长时间不能访问闪存存储器并且需要等待长时间。为了解决上述问题，日本未经审查的...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，包括：第一主设备和第二主设备，能够执行预定处理；数据可重写闪存存储器；以及存储器控制器，被配置为控制由所述第一主设备或所述第二主设备执行的对所述闪存存储器的写入/擦除处理，其中所述存储器控制器被配置为使得，当所述第一主设备正在对所述闪存存储器执行写入/擦除处理时，所述存储器控制器能够禁止执行中的写入/擦除处理的中断，所述中断是由于所述第二主设备对所述闪存存储器的访问造成的。
【技术特征摘要】
2017.06.27 JP 2017-1252701.一种半导体装置，包括：第一主设备和第二主设备，能够执行预定处理；数据可重写闪存存储器；以及存储器控制器，被配置为控制由所述第一主设备或所述第二主设备执行的对所述闪存存储器的写入/擦除处理，其中所述存储器控制器被配置为使得，当所述第一主设备正在对所述闪存存储器执行写入/擦除处理时，所述存储器控制器能够禁止执行中的写入/擦除处理的中断，所述中断是由于所述第二主设备对所述闪存存储器的访问造成的。2.如权利要求1所述的半导体装置，其中，当从所述第一主设备接收到的命令禁止写入/擦除处理的中断时，所述存储器控制器在所述第一主设备正在对所述闪存存储器执行写入/擦除处理时禁止执行中的写入/擦除处理的中断。3.如权利要求2所述的半导体装置，其中所述存储器控制器包括从所述第一主设备或所述第二主设备接收到的命令所写入到的命令指定寄存器，以及当从所述第一主设备接收并写入到所述命令指定寄存器中的命令禁止写入/擦除处理的中断时，所述存储器控制器在所述第一主设备正在对所述闪存存储器执行写入/擦除处理时禁止执行中的写入/擦除处理的中断。4.如权利要求1所述的半导体装置，其中所述存储器控制器包括主设备信息保持寄存器，所述主设备信息保持寄存器被配置为存储关于对所述闪存存储器执行写入/擦除处理的主设备的信息，以及当所述存储器控制器接收到用于中断执行中的写入/擦除处理的中断命令时，所述存储器控制器基于保持在所述主设备信息保持寄存器中的主设备与已发送所述中断命令的主设备之间的比较结果来确定是否中断执行中的写入/擦除处理。5.如权利要求4所述的...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。