【技术实现步骤摘要】
一种集成光控功率晶闸管
本专利技术涉及晶闸管，尤其涉及一种集成光控功率晶闸管的制作方法。
技术介绍
晶闸管元件(thyristor)是一种用来保护电路(circuitry)的电子元件，其能使电路中的电子元件免于遭受不可预期的电压突波(surge)所干扰或破坏，其中电压突波例如是静电放电、雷电感应以及感应电压。因此，现今晶闸管元件被应用于许多电子装置，例如数据机、通用性串行总线(UniversalSerialBus，USB)、非对称数字用户回路(AsymmetricDigitalSubscriberLine，ADSL)、路由器(router)以及数字视频转换盒(Set-TopBox，STB)等。现有的晶闸管制作方法效率较低，使用寿命短。
技术实现思路
本专利技术的目的提供一种集成光控功率晶闸管，解决上述现有技术问题中的一个或者多个。根据本专利技术的一个方面，提供一种集成光控功率晶闸管，包括以下制作步骤：S1、在P-离子的半导体衬底内进行N-离子和P-离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N-离子的半导体衬底内进行P-离子和N-离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；S2、第一次加热处理进行第一、二P阱与第一、二N阱的结推进；S3、将第一P阱和第二P阱进行导电粘结，将第一N阱和第二N阱进行导电粘结；S4、在两个所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S5、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S6、对半导体衬底进行深槽隔离。在一些实施方式中：所述第一次加热处理的温度为1050℃，加热时间为20min，之后依次进行慢速退火和快速退火。在一些实施方式中：所述慢...
【技术保护点】
1.一种集成光控功率晶闸管，其特征在于：包括以下制作步骤：S1、在P‑离子的半导体衬底内进行N‑离子和P‑离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N‑离子的半导体衬底内进行P‑离子和N‑离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；S2、第一次加热处理进行第一、二P阱与第一、二N阱的结推进；S3、将第一P阱和第二P阱进行导电粘结，将第一N阱和第二N阱进行导电粘结；S4、在两个所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S5、第二次加热处理激活所述N+离子和所述P+离子；S6、对半导体衬底进行深槽隔离。
【技术特征摘要】
1.一种集成光控功率晶闸管，其特征在于：包括以下制作步骤：S1、在P-离子的半导体衬底内进行N-离子和P-离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N-离子的半导体衬底内进行P-离子和N-离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；S2、第一次加热处理进行第一、二P阱与第一、二N阱的结推进；S3、将第一P阱和第二P阱进行导电粘结，将第一N阱和第二N阱进行导电粘结；S4、在两个所述P阱与所述N阱中注入N+离子和P+离子；S5、第二次加热处理...
【专利技术属性】
技术研发人员：顾芳，
申请(专利权)人：江苏明芯微电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32
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