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本申请公开了一种集成光控功率晶闸管，包括以下制作步骤：S1、在P‑离子的半导体衬底内进行N‑离子和P‑离子的注入，制作第一P阱、第一N阱；在N‑离子的半导体衬底内进行P‑离子和N‑离子的注入，制作第二P阱、第二N阱；S2、第一次加热处理进行...
该专利属于江苏明芯微电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏明芯微电子股份有限公司授权不得商用。

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