The invention discloses an etchant composition for copper-containing metals, which comprises an oxidant of 1 wt% to 25 wt%, an acid of 1 wt% to 30 wt%, a copper protective agent of 0.1 wt% to 13 wt%, chloride ions of 0.5 ppm to 120 ppm, a copper activator of 0.1 wt% to 4 wt% and residual water. The etchant composition of the invention can effectively remove the copper seed layer used in the reconfiguration circuit process for wafer-level chip packaging, and can greatly reduce the line width loss of the reconfiguration circuit layer.
【技术实现步骤摘要】
含铜金属用的蚀刻剂组成物
本专利技术涉及一种含铜金属用的蚀刻剂组成物，特别是有关于一种适用于金属重布线路工艺的含铜金属用的蚀刻剂组成物。
技术介绍
晶圆级芯片封装工艺(waferlevelchipscalepackagingprocess)的金属重布线路工艺，是指经由电镀而于晶圆表面形成重布线路层(redistributionlayer,RDL)。如图1(a)～(c)所示，通常于电镀前会先将铜的晶种层(seedlayer)1溅镀于晶圆2表面，做为电镀时的导电层。之后，以曝光显影的方式借由光刻胶定义出新的导线图案，再利用电化学沉积(electro-chemicaldeposition)形成金属导线3，最后去除光刻胶，再利用蚀刻液将金属导线3之间的晶种层1去除，借以获得完整的重布线路。由于晶种层1和金属导线3的材料都是含铜金属，因此于蚀刻晶种层1时也会同时蚀刻到金属导线3。并且，为了确保晶圆2整体的蚀刻均匀性以期能够完全地去除晶种层1，通常都会施行过度蚀刻(overetching)。举例来说，若蚀刻终点(etchingendpoint)为15秒，则过度蚀刻率(over...
【技术保护点】
1.一种含铜金属用的蚀刻剂组成物，其特征在于，包含有：1wt％至25wt％的氧化剂；1wt％至30wt％的酸；0.1wt％至13wt％的铜保护剂，为包含有环氧乙烷、环氧丙烷或前述的混合的重复单元的聚醚多元醇；0.5ppm至120ppm的氯离子；0.1wt％至4wt％的铜活化剂，为具有下列化学式(I)的含硫化合物，化学式(I)R2‑(X)nR1SO3M其中：X为O、S或S＝O；n为1到6的整数；M为符合化合物价数需求的氢、碱金属、或铵；R1为碳数1至8的伸烷基或伸环烷基、碳数6至12的芳族烃或脂族芳族烃；R2为氢、碳数1至8的羟烷基、或MO3SR1，其中M与R1的定义与前述者相同；以及余量的水。
【技术特征摘要】
1.一种含铜金属用的蚀刻剂组成物，其特征在于，包含有：1wt％至25wt％的氧化剂；1wt％至30wt％的酸；0.1wt％至13wt％的铜保护剂，为包含有环氧乙烷、环氧丙烷或前述的混合的重复单元的聚醚多元醇；0.5ppm至120ppm的氯离子；0.1wt％至4wt％的铜活化剂，为具有下列化学式(I)的含硫化合物，化学式(I)R2-(X)nR1SO3M其中：X为O、S或S＝O；n为1到6的整数；M为符合化合物价数需求的氢、碱金属、或铵；R1为碳数1至8的伸烷基或伸环烷基、碳数6至12的芳族烃或脂族芳族烃；R2为氢、碳数1至8的羟烷基、或MO3SR1，其中M与R1的定义与前述者相同；以及余量的水。2.根据权利要求1所述的含铜金属用的蚀刻剂组成物，其特征在于，其包含有1wt％至15wt％的该氧化剂。3.根据权利要求1所述的含铜金属用的蚀刻剂组成物，其特征在于，其包含有3wt％至15wt％的该酸。4.根据权利要求1所述的含铜金属用的蚀刻剂组成物，其特征在于，其包含有0.5wt％至10wt％的该铜保护剂。5.根据权利要求1所述的含...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴圣君，黄芊宁，钟时俊，
申请(专利权)人：添鸿科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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