The invention discloses an indium phosphide wafer polishing solution, which consists of small size abrasive 6%-30%, acidic PH stabilizer 1%-15%, rust inhibitor 0.001%-0.1%, fungicide 0.001%-0.05%, and other components are ultrapure water. The abrasive is characterized by using the small particle size silica sol produced by ion exchange method of our company as abrasive and adding an acid pH stabilizer to ensure that the pH value remains stable at 2 3 in the process of production and polishing. The polishing solution can make the indium phosphide wafer surface roughness less than 0.3nm, because its pH value is stable, preventing the liquid insoluble gel from polishing the acid indium, thereby improving the service life of the polishing liquid.
【技术实现步骤摘要】
一种磷化铟晶片抛光液
本专利技术涉及一种磷化铟晶片抛光液，属于化学机械抛光(CMP)领域。
技术介绍
磷化铟晶体材料自身具有理想的电场漂移速度、较强的抗辐射性、优良的导热性能等，因此是硅片和砷化镓之后最有发展前景的半导体材料之一。N型磷化铟用于光电器件如发光二极管、光电通信、激光器等；P型磷化铟主要用于高效抗辐射太阳能电池；半绝缘磷化铟可以用于制作高频、高速、宽带、低噪声微波、毫米波电子器件。随着半导体产业的快速发展，推动了半导体材料的研究和应用。目前国内外对于磷化铟晶体的生长研究比较多，磷化铟应用于半导体衬底前的研磨抛光工艺也非常重要。磷化铟晶片的抛光是化学腐蚀与机械研磨同时作用的结果。由于磷化铟晶片比砷化镓和硅片的硬度低，而且大部分是双面抛光，对于两个表面的质量和一致性都很高，所以对于抛光条件和抛光液的要求比较苛刻。目前关于磷化铟抛光液的研究还没有砷化镓抛光液和硅片抛光液那么成熟，而磷化铟晶片比较软，抛光过程更容易出现机械损伤和划伤，因此对于磷化铟抛光液的研究具有非常重要的意义。
技术实现思路
本专利技术提供一种磷化铟晶片抛光液，用于磷化铟晶片化学机械抛光中。要解...
【技术保护点】
1.一种磷化铟晶片抛光液，其特征在于磨料为小粒径硅溶胶为磨料，添加一种酸性pH稳定剂，可保证pH值在生产和抛光过程中保持稳定在2‑3。其组成成分及质量百分含量如下：小粒径磨料6％‑30％； 酸性pH稳定剂1％‑15％；防锈剂0.001％‑0.1％； 杀菌剂0.001‑0.05％；超纯水 余量；所用磨料为本公司离子交换法生产的颗粒均匀的小粒径硅溶胶为磨料，其中小粒径范围是40‑60nm；酸性pH稳定剂由盐酸、无机酸、有机酸和弱碱盐按一定比例复配组成的缓冲体系，各成分质量比为，盐酸∶有机酸∶弱碱盐＝(10‑20)∶(1‑5)∶(0.5‑1)；所述无机酸为HCl，有机酸为柠...
【技术特征摘要】
1.一种磷化铟晶片抛光液，其特征在于磨料为小粒径硅溶胶为磨料，添加一种酸性pH稳定剂，可保证pH值在生产和抛光过程中保持稳定在2-3。其组成成分及质量百分含量如下：小粒径磨料6％-30％；酸性pH稳定剂1％-15％；防锈剂0.001％-0.1％；杀菌剂0.001-0.05％；超纯水余量；所用磨料为本公司离子交换法生产的颗粒均匀的小粒径硅溶胶为磨料，其中小粒径范围是40-60nm；酸性pH稳定剂由盐酸、无机酸、有机酸...
【专利技术属性】
技术研发人员：董云娜，
申请(专利权)人：天津西美科技有限公司，
类型：发明
国别省市：天津,12
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