导通结构的制作方法技术

一种导通结构的制作方法，其包括如下步骤：提供一基板；在所述基板上形成多个第一通孔，该第一通孔的孔径为d；在所述每一第一通孔的孔壁上电镀铜，形成铜层，得到导电通孔；对所述每一导电通孔塞孔；以相邻的两个导电通孔的中心连线的中点为圆心，以D为孔径，在所述形成有多个导电通孔的基板上形成第二通孔，第一通孔的孔径d与第二通孔的孔径D之间的关系为：L‑d+50μm＜D＜L‑50μm，其中，L为相邻的两个第一通孔之间的距离，形成第二通孔时每一导电通孔的部分铜层被移除，每一导电通孔的未被移除的部分铜层被相邻的两个第二通孔间隔开来，得到两个导通结构。

Fabrication method of conducting structure

A method for fabricating a conductive structure includes the following steps: providing a substrate; forming a plurality of first through holes on the substrate with a diameter of d; electroplating copper on the hole wall of each first through hole to form a conductive through hole; forming a conductive through hole for each conductive through plug hole; taking the center point of the central connection of two adjacent conductive through holes as the center, and taking D as the center. For aperture, a second through hole is formed on the substrate forming multiple conductive through holes. The relationship between the aperture D of the first through hole and the aperture D of the second through hole is as follows: L_d+50 micron

【技术实现步骤摘要】
导通结构的制作方法
本专利技术涉及一种导通结构的制作方法。
技术介绍
近年来，随着电子产品的小型化及薄型化趋势，要求其所使用的电路板也具有小型化及薄型化的特点。为满足电子产品的小型化及薄型化，电子产品的电路板需采用密集电路设计，以减小电路板的体积。电路板中一般具有多个导电通孔，用于连接不同的导电线路层，以作为不同线路之间的信号连接。导电通孔一般通过在电路基板上利用机械钻孔或激光钻孔形成通孔，然后在通孔内壁电镀形成铜金属层后制作而成。然而，由于目前机械钻孔加工形成的通孔的孔径最小约为0.25mm，电路基板上相邻的两个通孔中心轴之间的距离之最小可以达到0.4mm。即使成本较高的激光钻孔加工形成的通孔，相邻的两个通孔中心轴之间的距离之最小也仅可以达到0.25mm。使得目前制作的电路板上导电通孔的密度较小，对电路板的小型化具有一定的限制。
技术实现思路
有鉴于此，有必要提供一种新的导通结构的制作方法。一种导通结构的制作方法，其包括如下步骤：步骤S1：提供一基板；步骤S2：在所述基板上形成多个第一通孔，该第一通孔的孔径为d；步骤S3：在所述每一第一通孔的孔壁上电镀铜，形成铜层，得到导电通孔；步骤S本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种导通结构的制作方法，其包括如下步骤：步骤S1：提供一基板；步骤S2：在所述基板上开设至少一列第一通孔，每一列第一通孔包括多个第一通孔，该第一通孔的孔径为d；步骤S3：在所述每一第一通孔的孔壁上电镀铜，形成铜层，得到导电通孔；步骤S4：对所述每一导电通孔塞孔；步骤S5：在塞孔后的基板上开设至少一列第二通孔，每一列第二通孔包括多个第二通孔，每一列第二通孔的多个第二通孔的中心连线与其中一列第一通孔的多个第一通孔的中心连线重合，在每一列第二通孔上，其中两个第二通孔的中心分别位于该列上的所有第一通孔的中心的相对两个外侧，其余的第二通孔的中心均为相邻的两个第一通孔的中心连线的中点，定义第二通孔的孔...

【技术特征摘要】
1.一种导通结构的制作方法，其包括如下步骤：步骤S1：提供一基板；步骤S2：在所述基板上开设至少一列第一通孔，每一列第一通孔包括多个第一通孔，该第一通孔的孔径为d；步骤S3：在所述每一第一通孔的孔壁上电镀铜，形成铜层，得到导电通孔；步骤S4：对所述每一导电通孔塞孔；步骤S5：在塞孔后的基板上开设至少一列第二通孔，每一列第二通孔包括多个第二通孔，每一列第二通孔的多个第二通孔的中心连线与其中一列第一通孔的多个第一通孔的中心连线重合，在每一列第二通孔上，其中两个第二通孔的中心分别位于该列上的所有第一通孔的中心的相对两个外侧，其余的第二通孔的中心均为相邻的两个第一通孔的中心连线的中点，定义第二通孔的孔径为D，第一通孔的孔径d与第二通孔的孔径D之间的关系为：L-d+50μm＜D＜L-50μm，其中，L为相邻的两个第一通孔之间的距离，开设第二通孔时每一导电通孔的部分铜层被切除，每一导电通孔的未被切除的部分铜层被相邻的两个第二通孔完全间隔开来，得到两个完全分离的导通结构。2.如权利要求1所述的导通结构的制作方法，其特征在于：所述基板包括第一表面及与该第一表面相背的第二表...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹雪云，
申请(专利权)人：鹏鼎控股深圳股份有限公司，宏启胜精密电子秦皇岛有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44