半导体装置制造方法及图纸

提供一种半导体装置。所述半导体装置包括第一介电层、凸块、刻蚀终止层以及间隔壁。所述第一介电层设置在导电结构之上并暴露出所述导电结构。所述凸块局部地设置在所述第一介电层中以电连接所述导电结构。所述刻蚀终止层在所述凸块旁边设置在所述第一介电层之上。所述间隔壁环绕所述凸块并设置在所述刻蚀终止层与所述凸块之间。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置
本专利技术实施例涉及一种半导体装置。
技术介绍
一般来说，晶片可通过粘合层结合到载体，然后可通过单体化工艺从所述晶片形成管芯。之后，可从载体拾取管芯并将所述管芯放置在电子装置上。然而，在单体化工艺中使用的化学物质可损坏管芯的组件或层。此外，如果在管芯的凸块与载体之间形成不恰当的粘合，那么拾取及放置操作会受到影响。因此，可靠性及良率降低。
技术实现思路
本专利技术实施例的一种半导体装置包括第一介电层、凸块、刻蚀终止层以及间隔壁。所述第一介电层设置在导电结构之上并暴露出所述导电结构。所述凸块局部地设置在所述第一介电层中以电连接所述导电结构。所述刻蚀终止层在所述凸块旁边设置在所述第一介电层之上。所述间隔壁环绕所述凸块并设置在所述刻蚀终止层与所述凸块之间。附图说明结合附图阅读以下详细说明，会最好地理解本专利技术的各个方面。应注意，根据本行业中的标准惯例，各种特征并非按比例绘制。事实上，为论述清晰起见，可任意增大或减小各种特征的尺寸。图1A到图1G是根据一些示例性实施例在半导体装置的制造方法中的各种阶段的示意性剖视图。图2A到图2D是根据一些示例性实施例，说明在图1C中所绘示的凸块及间本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一介电层，设置在导电结构之上并暴露出所述导电结构；凸块，局部地设置在所述第一介电层中以电连接所述导电结构；刻蚀终止层，在所述凸块旁边设置在所述第一介电层之上；以及间隔壁，环绕所述凸块并设置在所述刻蚀终止层与所述凸块之间。

【技术特征摘要】
2017.07.18 US 15/652,2511.一种半导体装置，其特征在于，包括：第一介电层，设置在导电结构之上并暴露出所述导...

【专利技术属性】
技术研发人员：古进誉，杨政龙，陈承先，黄宏麟，王肇仪，陈清晖，郭建鸿，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71