集成电路的预金属化电介质或层间电介质层中的接触结构制造技术

一种集成电路包括源漏区、与该源漏区相邻的沟道区、在该沟道区之上延伸的栅极结构以及在该栅极结构的一侧上并且在该源漏区之上延伸的侧壁间隔物。提供了与该侧壁间隔物接触并且具有顶表面的电介质层。该栅极结构包括栅极电极和从该栅极电极作为突起延伸到达该顶表面的栅极接触。该栅极电极的侧表面与栅极接触的侧表面相互对准。定位在该栅极电极与该沟道区之间的用于晶体管的栅极电介质层在该栅极电极与该侧壁间隔物之间延伸并且进一步在该栅极接触与该侧壁间隔物之间延伸。

【技术实现步骤摘要】
集成电路的预金属化电介质或层间电介质层中的接触结构本申请是于2015年12月30日提出的、申请号为201511021020.8、专利技术名称为“集成电路的预金属化电介质或层间电介质层中的接触结构”的中国专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及集成电路，并且具体地涉及集成电路中的预金属化电介质(PMD)或层间电介质(ILD)层的金属填充接触的形成，其目的为连接晶体管的栅极区、源极区和漏极区。
技术介绍
现在参照图1A和图1B，图1A和图1B示出了常规的金属氧化物半导体(MOS)场效应晶体管(FET)10器件的总配置。图1A和图1B是在沿晶体管栅极的宽度的不同位置处以垂直于栅宽的方向所截取的平行横截面。衬底12支撑晶体管。在这个实例中，该衬底是绝缘体上硅衬底12类型的，该衬底包括衬底层14、掩埋氧化物(BOX)层16和半导体层18。用于晶体管器件的有源区20由穿透层18的周向包围的浅沟槽隔离22来限定。在有源区20之内，层18被划分为已掺杂有第一导电类型掺杂物的多个沟道区30、已掺杂有第二导电类型掺杂物的多个源极区32(各自在一侧上邻近沟道区30)以及也已掺杂有第二导电类型掺杂物多个本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种集成电路，包括：源漏区；与所述源漏区相邻的沟道区；在所述沟道区之上延伸的栅极结构；侧壁间隔物，所述侧壁间隔物在所述栅极结构的一侧上、并且在所述源漏区之上延伸；以及电介质层，所述电介质层与所述侧壁间隔物接触、并且具有顶表面；其中，所述栅极结构由单体导电材料制成，所述单体包括：所述单体的栅极电极区；以及所述单体的栅极接触区，所述栅极接触区从所述栅极电极区的顶部延伸。

【技术特征摘要】
2015.06.09 US 14/734,0131.一种集成电路，包括：源漏区；与所述源漏区相邻的沟道区；在所述沟道区之上延伸的栅极结构；侧壁间隔物，所述侧壁间隔物在所述栅极结构的一侧上、并且在所述源漏区之上延伸；以及电介质层，所述电介质层与所述侧壁间隔物接触、并且具有顶表面；其中，所述栅极结构由单体导电材料制成，所述单体包括：所述单体的栅极电极区；以及所述单体的栅极接触区，所述栅极接触区从所述栅极电极区的顶部延伸。2.如权利要求1所述的集成电路，还包括栅极电介质层，所述栅极电介质层位于所述栅极电极区的底部和所述沟道区之间，所述栅极电介质层沿着所述栅极电极区的侧表面，在所述栅极电极区和所述侧壁间隔物的侧表面之间延伸，所述栅极电介质层还沿着所述栅极接触区的侧表面，在所述栅...

【专利技术属性】
技术研发人员：J·H·张，
申请(专利权)人：意法半导体公司，
类型：发明
国别省市：美国,US