半导体器件以及放大电路制造技术

本发明专利技术提供一种半导体器件以及放大电路，其目的在于能够易于鉴别因电感中的布线间短路引起的不良。将第一电感(5a)、第二电感(5b)的多个电感形成于多个布线层，在多个布线层的每一层中，第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层各自从内周朝向外周一边沿着同一方向绕转一边延伸，第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层以彼此相邻的方式配置。

Semiconductor devices and amplifier circuits

The invention provides a semiconductor device and an amplifier circuit, which aims to be able to easily identify the defects caused by short circuit between wiring in inductance. A plurality of inductances of the first inductance (5a) and the second inductance (5b) are formed in a plurality of wiring layers. In each layer of the multiple wiring layers, the metal layers of the first inductance (5a) and the second inductance (5b) extend from the inner circumference to the outer circumference and rotate in the same direction. The metal layers of the first inductance (5a) and the second inductance (5b) are arranged adjacent to each other.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件以及放大电路
本专利技术涉及一种具有利用布线层形成的电感的半导体器件以及使用了该半导体器件的放大电路。
技术介绍
对从电力线流过的电能进行检测的功率计使用了电感。当流过电力线的电流量变化时，从电力线产生的磁场的强度变化，会在电感产生与该磁场的变化对应的电力。功率计通过监控在电感产生的电力，来检测从电力线流过的电能。专利文献1公开了一种利用内部电路的周围的布线层来设置电力检测用的电感的半导体器件。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2014-86593号公报
技术实现思路
在将电感用作磁性传感器的情况下，越是增加电感(线圈)的圈数越能够提高传感器灵敏度。因此，在专利文献1公开的半导体器件中，电感在多个布线层的每一层通过缠绕了数周的布线来实现。为了增加电感的圈数，缠绕数周而成的电感之间的布线间隔形成为很窄，在半导体制造工序中无法避免颗粒(垃圾)以一定的概率附着。在颗粒附着在构成电感的布线间的情况下，在布线间会发生短路(短接)。在该情况下，电感如直流一般成为同电位，因此，虽然即使发生短路也仍作为电感发挥功能，但因短路而意味着等同于电感的圈数减少。即，电动势下降与短路线路数对应的量本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件，其特征在于，具有：形成有放大电路的内部电路区域；和第一电感以及第二电感，其形成于所述内部电路区域的外围区域，所述第一电感以及所述第二电感具有形成于多个布线层的金属层，在所述多个布线层的每一层中，所述第一电感的金属层和所述第二电感的金属层各自从内周朝向外周一边在所述外围区域沿同一方向绕转一边延伸，所述第一电感的金属层和所述第二电感的金属层以彼此相邻的方式配置。

【技术特征摘要】
2017.06.27 JP 2017-1252081.一种半导体器件，其特征在于，具有：形成有放大电路的内部电路区域；和第一电感以及第二电感，其形成于所述内部电路区域的外围区域，所述第一电感以及所述第二电感具有形成于多个布线层的金属层，在所述多个布线层的每一层中，所述第一电感的金属层和所述第二电感的金属层各自从内周朝向外周一边在所述外围区域沿同一方向绕转一边延伸，所述第一电感的金属层和所述第二电感的金属层以彼此相邻的方式配置。2.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述放大电路的非反转输入端连接有所述第一电感，在所述放大电路的反转输入端以与所述第一电感反相的方式连接有所述第二电感。3.根据权利要求2所述的半导体器件，其特征在于，在所述内部电路区域形成有第一放大电路以及第二放大电路，在所述第一放大电路的非反转输入端连接有所述第一电感，在所述第二放大电路的非反转输入端以与所述第一电感反相的方式连接有所述第二电感，所述第一放大电路的输出被反馈至所述第一放大电路的反转输入端，所述第二放大电路的输出被反馈至所述第二放大电路的反转输入端，所述第一放大电路的反转输入端和所述第二放大电路的反转输入端经由电阻而连接。4.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个布线层包括第一布线层、形成于所述第一布线层的正上方或正下方的第二布线层，所述第一电感的形成于所述第一布线层的金属层与所述第一电感的形成于所述第二布线层的金属层在俯视时配置在相同位置，所述第二电感的形成于所述第一布线层的金属层与所述第二电感的形成于所述第二布线层的金属层在俯视时配置在相同位置。5.根据权利要求4所述的半导体器件，其特征在于，所述第一电感的形成于所述第一布线层的金属层与所述第一电感的形成于所述第二布线层的金属层通过过孔而电连接，所述第二电感的形成于所述第一布线层的金属层与所述第二电感的形成于所述第二布线层的金属层通过过孔而电连接。6.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，所述多个布线层包括第一布线层、形成于所述第一布线层的正上方或正下方的第二布线层，所述第一电感的形成于所述第一布线层的金属层与所述第一电感的形成于所述第二布线层的金属层在俯视时配置在不同位置，所述第二电感的形成于所述第一布线层的金属层与所述第二电感的形成于所述第二布线层的金属层在俯视时配置在不同位置。7.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，在所述内部电路区域中，在所述多个布线层形成有所述放大电路的布线层。8.根据权利要求1所述的半导体器件，其特征在于，以覆盖所述第一电感以及所述第二电感...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中敬一郎，
申请(专利权)人：瑞萨电子株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP