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半导体器件以及放大电路制造技术
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文档序号:20008516
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本发明提供一种半导体器件以及放大电路,其目的在于能够易于鉴别因电感中的布线间短路引起的不良。将第一电感(5a)、第二电感(5b)的多个电感形成于多个布线层,在多个布线层的每一层中,第一电感(5a)的金属层和第二电感(5b)的金属层各自从内周...
该专利属于瑞萨电子株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过瑞萨电子株式会社授权不得商用。
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