【技术实现步骤摘要】
电连接电容插塞的硅化钴层的制作方法
本专利技术涉及一种硅化钴的制作方法，特别是涉及电连接电容插塞的硅化钴层。
技术介绍
随着半导体元件集成度的增加，元件中的图案与线宽也逐渐缩小，因而导致元件中的接触电阻增高，进而影响元件操作速度。由于金属硅化物的电阻较多晶硅(Polysilicon)低，并且其热稳定性也比一般内连线材料高，因此在形成进阶半导体装置过程中，将存在于栅极、源极及漏极结构中的部分硅转变成低电阻率金属硅化物。此转变一方面实现具有低体积电阻率的导电路径，且另一方面确保良好接触电阻。值得注意的是，一般金属硅化物层的制作需要两次热处理制作工艺，然而在完成第二次热处理制作工艺之后，形成于基底表面的金属硅化物层却存在有轮廓不均匀的问题，严重影响金属硅化物层的品质。因此，如何改善金属硅化物层的品质实为相关技术者所欲改进的课题。
技术实现思路
根据本专利技术的一优选实施例，一种硅化钴层的制作方法，包含以下步骤：首先，提供一基底放置于一腔室中，基底可以是已经完成晶体管制作，将要形成金属硅化物于源极/漏极掺杂区上的基底，然后进行一沉积制作工艺，在基底温度介于50℃至100℃之间...
【技术保护点】
1.一种电连接电容插塞的硅化钴层的制作方法，包含：提供一基底放置于一腔室中；进行一沉积制作工艺，在该基底温度介于50℃至100℃之间以及该腔室温度介于300℃至350℃之间时，形成一钴材料层覆盖该基底；以及在该沉积制作工艺之后，进行一退火制作工艺，在该基底维持于300℃至350℃之间时，进行该退火制作工艺50秒至60秒之间，使得该钴材料层反应成为一硅化钴层。
【技术特征摘要】
1.一种电连接电容插塞的硅化钴层的制作方法，包含：提供一基底放置于一腔室中；进行一沉积制作工艺，在该基底温度介于50℃至100℃之间以及该腔室温度介于300℃至350℃之间时，形成一钴材料层覆盖该基底；以及在该沉积制作工艺之后，进行一退火制作工艺，在该基底维持于300℃至350℃之间时，进行该退火制作工艺50秒至60秒之间，使得该钴材料层反应成为一硅化钴层。2.如权利要求1所述的电连接电容插塞的硅化钴层的制作方法，另包含：在形成该硅化钴层后，进行一快速加热制作工艺，该快速加热制作工艺的操作温度介于600℃至650℃之间，操作时间介于30秒至60秒之间。3.如权利要求3所述的电连接电容插塞的硅化钴层的制作方法，另包...
【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳臻，陈意维，许启茂，张凯钧，蔡志杰，陈品宏，郑存闵，黄怡安，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，福建省晋华集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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