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本发明公开一种电连接电容插塞的硅化钴层的制作方法。其硅化钴层的制作方法，包含提供一基底放置于一腔室中，然后进行一沉积制作工艺，在基底温度介于50℃至100℃之间以及腔室温度介于300℃至350℃之间时，形成一钴材料层覆盖基底，然后在沉积制作...该专利属于联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过联华电子股份有限公司;福建省晋华集成电路有限公司授权不得商用。