一种木槿繁殖培育的方法技术

技术编号:20208772 阅读:65 留言:0更新日期:2019-01-28 13:49
本发明专利技术公开了一种木槿繁殖培育的方法,包括采用冬季落叶后的木槿老枝水培生根发梢、外植体的采集及灭菌、启动培养萌发腋芽、增殖培养诱导产生丛生芽、生根培养得到木槿生根苗、炼苗移栽。其中启动培养的分化率为98%,增殖培养的增殖系数为9.8,生根培养的生根率为100%,移栽成活率为100%。本发明专利技术采用水培结合组培的方法,其优点在于步骤简单、操作方便、存活率高,并且不受季节气候变化、自然灾害影响,可进行大规模的工业化繁殖育苗。

A Method of Hibiscus Hibiscus Breeding

The invention discloses a hibiscus propagation and cultivation method, which includes rooting and shooting of the old branches of Hibiscus after deciduous leaves in winter, collecting and sterilizing explants, initiating axillary buds, inducing cluster buds by multiplication and cultivation, rooting and cultivating to obtain Hibiscus rooting seedlings, and transplanting seedlings. The differentiation rate of initiation culture was 98%, the proliferation coefficient of proliferation culture was 9.8%, the rooting rate of rooting culture was 100%, and the survival rate of transplantation was 100%. The method of combining hydroponic culture with tissue culture has the advantages of simple steps, convenient operation, high survival rate, and is not affected by seasonal climate change and natural disasters, and can be used for large-scale industrial propagation and seedling raising.

【技术实现步骤摘要】
一种木槿繁殖培育的方法
本专利技术涉及植物栽培
,具体涉及一种木槿繁殖培育的方法。
技术介绍
木槿(学名:Hibiscussyriacus),为锦葵科木槿属植物木槿(HibiscussyriacusL)。落叶灌木,高3~4米,小枝密被黄色星状绒毛。叶菱形至三角状卵形,长3~10厘米,宽2~4厘米,具深浅不同的3裂或不裂,先端钝,基部楔形,边缘具不整齐齿缺,下面沿叶脉微被毛或近无毛。花单生于枝端叶腋间,花萼钟形,长14~20毫米,密被星状短绒毛,裂片5,三角形;花朵色彩有纯白、淡粉红、淡紫、紫红等,花形呈钟状,有单瓣、复瓣、重瓣几种。外面疏被纤毛和星状长柔毛。蒴果卵圆形,直径约12毫米,密被黄色星状绒毛;种子肾形,背部被黄白色长柔毛,花期7~10月。木槿是一种在庭园很常见的灌木花种,中国中部各省原产,各地均有栽培。木槿是园林绿化苗木中,最常用的观赏植物之一,可做花篱式绿篱,孤植和丛植均可。木槿种子入药,称“朝天子”。木槿是韩国和马来西亚的国花,在北美洲又有沙漠玫瑰的别称。木槿的繁育主要分为有性繁殖与无性繁殖。其中有性繁殖主要用于木槿新品种的培育,但存在种子自然萌发率低等问题。无性繁殖主要包括分株、扦插、压条、组培等方法。其中以扦插最为常见,但繁殖系数低、生根时间长,使得生产数量不能满足市场要求。目前关于木槿组织培养的研究层出不穷,但效果不尽如人意。安徽农学通报(王国熙.木槿组培快繁技术研究[J].2017,23(11):54~57.)公开了一种利用组织培养繁育木槿的技术:采用当年生幼嫩枝条,在培养基为MS+0.2mg/LNAA+4.0mg/L6-BA的条件下进行芽诱导,出芽率为84.05%;在培养基为MS+0.1mg/LNAA+1.5mg/L6-BA的条件下进行增殖培养,增殖系数为3.79;在培养基为MS+0.1mg/LNAA+1.0mg/LIBA的条件下进行生根培养,生根率为80.67%。缺点是存活率与繁殖系数低,使得成本增加。申请号为201711200887.9的专利文件公开了一种木槿组培再生的方法:采用木槿当年生为木质化枝条作为外植体,在配方为1/2改良MS培养基+6~8mg/L6-BA+2~3mg/LIBA+15mg/LVC+15mg/LVB2+50mg/L赤霉素+3.6g/L琼脂粉+20g/L蔗糖的诱导培养基获得初始苗;在配方为1/2改良MS培养基+3~5mg/L6-BA+1.5~2mg/LNAA+0.1~0.5mg/LZT+10ml/LL-半胱氨酸+50mg/L赤霉素+3.6g/L琼脂粉+30g/L蔗糖的增殖培养基中分化出芽;在配方为1/2改良MS培养基+1.5~2mg/L6-BA+0.5~1mg/LNAA+10mg/LVC+20mg/LVB2+30mg/L赤霉素+10ml/LL-半胱氨酸+3.6g/L琼脂粉+30g/L蔗糖的生根培养基中生根木槿。该方法虽然能有效培育木槿,但在培养基中加入大量的激素,使得培养基配制过程繁琐且增加了成本。因此,突破木槿繁育瓶颈,能够找到一种操作简单、效果优良且对环境友好的木槿繁殖技术是很有必要的。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服上述现有技术的不足,提供了一种操作简单、繁殖系数高、成活率高的木槿繁殖培育的方法。为了实现上述专利技术目的,本专利技术提供了如下的技术方案:一种木槿繁殖培育的方法,包括以下步骤:A.水培生根发梢:选取冬季落叶后的木槿老枝条,将枝条基部切一个45度的切口,同时将底部5cm长的枝条纵向分为2~4份,置于室内水培,水培温度为5~15℃,一周换水1~2次,30天后得到萌发新根新梢的枝条。B.外植体灭菌:将步骤A中萌发新根新梢的枝条去掉叶片,切割成2~3cm的带芽茎段,放入超净工作台上,用75%酒精灭菌8s,0.1%升汞灭菌8min,无菌水冲洗4~6遍。C.启动培养:将步骤B中经过灭菌的外植体接种于启动培养基中,光照时间14h/d,光照强度2000~3000LX,培养温度22~25℃,培养14~32天后,开始萌发腋芽。D.增殖培养:将步骤C中萌发的腋芽切下,转接到增殖培养基中,光照时间14h/d,光照强度2000~3000LX,培养温度22~25℃,培养42~56天后,分化出丛生芽。E.生根培养:将步骤D中长至1.5~3cm的丛生芽切割成单芽,转接到生根培养基A中培养24小时,然后转接于生根培养基B中,单芽在两个生根培养基中培养时的光照时间均为14h/d,光照强度均为2000~3000LX,培养温度均为22~25℃,5~8天后得到生根木槿苗。F.炼苗移栽:将经过步骤E得到的生根木槿苗在草炭:珍珠岩体积比=7:3的炼苗基质中进行炼苗移栽。优选地,以上步骤C中启动培养基的配方为:MS+0.1~0.3mg/LNAA+1.0~1.5mg/L6-BA+30g/L蔗糖+6g/L琼脂,pH调整至6.0±0.2。优选地,以上步骤C中启动培养基的配方为:MS+0.2mg/LNAA+1.5mg/L6-BA+30g/L蔗糖+6g/L琼脂,pH调整至6.0。优选地,以上步骤D中增殖培养基的配方为:MS+0.1~0.3mg/LNAA+1.5mg/L6-BA+30g/L蔗糖+6g/L琼脂,pH调整至6.0±0.2。优选地,以上步骤D中增殖培养基的配方为:MS+0.2mg/LNAA+1.5mg/L6-BA+30g/L蔗糖+6g/L琼脂,pH调整至6.0。优选地,以上步骤E中的生根培养基A的配方为:WPM+2mg/LIBA+30g/L蔗糖+6g/L琼脂,生根培养基B的配方为1/2WPM+30g/L蔗糖+6g/L琼脂。优选地,以上步骤E中的生根培养基A的配方为:WPM+2mg/LIBA+30g/L蔗糖+6g/L琼脂,生根培养基B的配方为WPM+30g/L蔗糖+6g/L琼脂。优选地,以上步骤F中炼苗移栽时的空气湿度为70%±10%。本专利技术具有以下优点:1.本专利技术以冬季落叶后的木槿老枝进行水培发根发梢后再进行组织培养,与冬季老枝条直接作为外植体培育相比较大幅降低了污染率,与3月份才能采集室外萌发的新枝作为外植体培育相比较提前了两三个月的时间,拓展了木槿繁殖培育时外植体的采集时间。2.本专利技术经过启动培养基得到萌发的腋芽,萌发率为98%;经过增殖培养42~56天后分化出丛生芽,增殖系数为8~10;再将丛生芽切割成单芽进行生根培养,生根率为100%;生根木槿苗进行炼苗移栽,存活率为100%。3.本专利技术在生根培养时将单芽先在含有高浓度生长素培养基中培养24小时后转移到无激素培养基中继续培养,不仅有效缩短了生根时间,提高了生根率,而且使用无激素的培养基,减少了环境污染。4.本专利技术通过对木槿老枝条进行水培、诱导、增殖、生根、移栽,快速获得木槿苗。本专利技术操作简单,成本低,污染低,同时提高了木槿的成活率、繁殖系数和生根率,为木槿的快速繁育和大规模工厂化育苗及产业化发展提供了技术支持。附图说明图1示出了本专利技术实施例1中木槿老枝条底部5cm纵向分为4份的情况;图2示出了本专利技术实施例1中木槿老枝条水培后萌发新梢的情况;图3示出了本专利技术实施例1中木槿外植体在启动培养基中萌发腋芽的情况;图4示出了本专利技术实施例1中木槿腋芽在增殖培养基中分化丛生芽的情况;图5示出了本专利技术实施例1中木槿单芽在生根培养基中生本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种木槿繁殖培育的方法,其特征在于,包括以下步骤:A.水培生根发梢:选取冬季落叶后的木槿老枝条,将枝条基部切一个45度的切口,同时将底部5cm长的枝条纵向分为2~4份,置于室内水培,水培温度为5~15℃,一周换水1~2次,30天后得到萌发新根新梢的枝条;B.外植体灭菌:将步骤A中萌发新根新梢的枝条去掉叶片,切割成2~3cm的带芽茎段,放入超净工作台上,用75%酒精灭菌8s,0.1%升汞灭菌8min,无菌水冲洗4~6遍;C.启动培养:将步骤B中经过灭菌的外植体接种于启动培养基中,光照时间14h/d,光照强度2000~3000LX,培养温度22~25℃,培养14~32天后,开始萌发腋芽;D.增殖培养:将步骤C中萌发的腋芽切下,转接到增殖培养基中,光照时间14h/d,光照强度2000~3000LX,培养温度22~25℃,培养42~56天后,分化出丛生芽;E.生根培养:将步骤D中长至1.5~3cm的丛生芽切割成单芽,转接到生根培养基A中培养24小时,然后转接于生根培养基B中,单芽在两个生根培养基中培养时的光照时间均为14h/d,光照强度均为2000~3000LX,培养温度均为22~25℃,5~8天后得到生根木槿苗;F.炼苗移栽:将经过步骤E得到的生根木槿苗在草炭:珍珠岩体积比=7:3的炼苗基质中进行炼苗移栽。...

【技术特征摘要】
1.一种木槿繁殖培育的方法,其特征在于,包括以下步骤:A.水培生根发梢:选取冬季落叶后的木槿老枝条,将枝条基部切一个45度的切口,同时将底部5cm长的枝条纵向分为2~4份,置于室内水培,水培温度为5~15℃,一周换水1~2次,30天后得到萌发新根新梢的枝条;B.外植体灭菌:将步骤A中萌发新根新梢的枝条去掉叶片,切割成2~3cm的带芽茎段,放入超净工作台上,用75%酒精灭菌8s,0.1%升汞灭菌8min,无菌水冲洗4~6遍;C.启动培养:将步骤B中经过灭菌的外植体接种于启动培养基中,光照时间14h/d,光照强度2000~3000LX,培养温度22~25℃,培养14~32天后,开始萌发腋芽;D.增殖培养:将步骤C中萌发的腋芽切下,转接到增殖培养基中,光照时间14h/d,光照强度2000~3000LX,培养温度22~25℃,培养42~56天后,分化出丛生芽;E.生根培养:将步骤D中长至1.5~3cm的丛生芽切割成单芽,转接到生根培养基A中培养24小时,然后转接于生根培养基B中,单芽在两个生根培养基中培养时的光照时间均为14h/d,光照强度均为2000~3000LX,培养温度均为22~25℃,5~8天后得到生根木槿苗;F.炼苗移栽:将经过步骤E得到的生根木槿苗在草炭:珍珠岩体积比=7:3的炼苗基质中进行炼苗移栽。2.根据权利要求1所述的一种木槿繁殖培育的方法,其特征在于:步骤C中启动培养基的配方为:MS+0.1...

【专利技术属性】
技术研发人员:黄良伟沈香兰谢松林
申请(专利权)人:四川七彩林业开发有限公司
类型:发明
国别省市:四川,51

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