一种青蒿的组织培养技术制造技术

本发明专利技术公开了一种青蒿的组织培养技术，涉及青蒿通过离体快繁技术获得优质种苗的育苗方法。本发明专利技术以青蒿带芽茎段为外植体，经过外植体消毒、丛生芽诱导、生根培养、炼苗移栽等过程从而建立了青蒿组织培养快速繁殖体系，加速青蒿良种的推广和资源开发利用具有重要的现实意义。

A Tissue Culture Technology of Artemisia annua

The invention discloses a tissue culture technology of Artemisia annua, which relates to a seedling raising method for obtaining high quality seedlings through in vitro rapid propagation technology. The invention takes the budded stem segment of Artemisia annua as explant, and through the process of explant disinfection, cluster bud induction, rooting culture, seedling transplantation and so on, establishes a rapid propagation system of tissue culture of Artemisia annua, and accelerates the popularization of fine varieties of Artemisia annua and the development and utilization of resources.

【技术实现步骤摘要】
一种青蒿的组织培养技术
本专利技术涉及植物生物技术中植物组织培养的方法，具体地说，涉及一种青蒿的组织培养技术。
技术介绍
青蒿别名为黄花蒿、菊叶青蒿、臭蒿。一年生草本，秋季开花，生于枝梢，全枝有特异气味。夏秋季采全草，春初夏采幼苗，鲜用或晒干。气味苦，性寒。具有清热解暑，凉血退虚热。长期以来供不应求，加上人为的掠夺式砍伐导致青蒿野生资源枯竭，因此有必要对其资源进行保护。近年来，青蒿资源开发有了一定的规模，在我国南北省建立了GAP种植基地，对青蒿野生资源保护工作起到了一定的促进作用。目前青蒿主要通过种子进行种苗繁殖，但由于种子繁殖后代性状发生分离，不利于优质种质资源保护，制约了优质青蒿的推广种植。因此，有必要建立青蒿的组织培养技术，为其良种快速繁殖提供技术支撑和保障，也为满足我国对青蒿种苗的需求，加速其资源扩充具有重要的现实意义。对比文件1，申请号：CN200710034499，专利技术名称：青蒿多倍体诱导及其栽培方法，其主要步骤是将高青蒿素含量的青蒿幼嫩叶作为外植体，经常规杀菌处理后，用无菌滤纸吸干表面水，然后用培养基对外植体愈伤组织进行诱导，将诱导出的愈伤组织进行用秋水仙碱进行多倍体的诱变，诱变后进行分化培养，进行多倍体的鉴定，对多倍体植时进行生根培养。本案与对比文件的不同。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供出一种青蒿的组织培养技术，本专利技术以青蒿带芽茎段为外植体，经过外植体消毒、丛生芽诱导、生根培养、炼苗移栽等过程从而建立了青蒿组织培养快速繁殖体系，从而实现了本专利技术的目的。本专利技术的一种青蒿的组织培养技术，包括以下的步骤：步骤1，丛生芽诱导：选取生长健壮无病虫的幼树当年生的带芽茎段作为外植体,用洗洁精水溶液浸泡15min，然后用自来水冲洗35min，擦干表面水分后备用,在超净工作台中以70%～80%乙醇浸泡15s，0.1%升汞溶液消毒25min，再用无菌水清洗10次，擦干后切成长度为2.0cm的茎段接种到诱导培养基上,先在25~28℃条件下全暗培养25天，然后置于每天光照15小时，光照强度为1900lx，培养温度为23℃条件下培养，直至诱导形成丛生芽；诱导培养基为：MS+8mg/L6-BA+3mg/LNAA+0.7mmol/LLa(NO3)2+4.2%蔗糖+0.6%琼脂+0.3%活性炭，pH值为5.2;步骤2，增殖培养：将步骤1所得的丛生芽转入增殖培养基上进行增殖培养，接种后先在23℃条件下全暗培养直至叶腋处萌生一个侧芽，然后置于每天光照19小时，光照强度为1900lx，培养温度为23℃的条件下培养直至各丛生芽伸长到5cm；增殖培养基为：MS+3mg/L6-BA+0.6mg/LNAA+4.2%蔗糖+0.6%琼脂+0.2%活性炭，pH值为5.2;步骤3，生根培养：将步骤1或步骤2所获得的高度约为5cm的丛生芽芽切割并接种到生根培养基上进行生根培养，接种后先在23℃条件下全暗培养11天，然后置于每天光照16小时，光照强度为3000lx，培养温度为23℃的条件下培养至生根；生根培养基为：1/2MS+6mg/LNAA+4.2%蔗糖+0.6%琼脂+0.2%活性炭，pH值为5.2;步骤4，炼苗移栽：青蒿瓶内生根31天后，置于自然光照下炼苗11天后，洗净根部培养基，移栽由黄心土：河沙＝3：2混合成的基质中。与现有技术相比本专利技术的优点是：本专利技术通过离体快繁技术获得优质种苗的育苗方法。以青蒿带芽茎段为外植体，经过外植体消毒、丛生芽诱导、生根培养、炼苗移栽等过程从而建立了青蒿组织培养快速繁殖体系，加速青蒿良种的推广和资源开发利用具有重要的现实意义。具体实施方式以下实施例是对本专利技术的进一步说明，不是对本专利技术的限制。实施例1：（1）丛生芽诱导：选取生长健壮无病虫的幼树当年生的带芽茎段作为外植体,用洗洁精水溶液浸泡12min，然后用自来水冲洗15min，擦干表面水分后备用。在超净工作台中以75%乙醇浸泡4s，0.1%升汞溶液消毒18min，再用无菌水清洗6次，擦干后切成长度为1.5cm的茎段接种到诱导培养基上,先在26℃条件下全暗培养18天，然后置于每天光照15小时，光照强度为1200x，培养温度为26℃条件下培养43天即可诱导形成丛生芽，诱导率为69.9%。所述诱导培养基为MS+5mg/L6-BA+1.0mg/LNAA+0.5mmol/LLa(NO3)2+3.0%蔗糖+0.50%琼脂+0.1%活性炭，pH值为5.2。（2）增殖培养：将步骤（1）所得的丛生芽转入增殖培养基上进行增殖培养，接种后先在26℃条件下全暗培养直至叶腋处萌生一个侧芽，然后置于每天光照16小时，光照强度为1200lx，培养温度为26℃的条件下培养35天各丛生芽即可伸长到5cm，增殖率为5.0。所述增殖培养基为MS+3mg/L6-BA+0.6mg/LNAA+3.5%蔗糖+0.50%琼脂+0.1%活性炭，pH值为5.2。（3）生根培养：将步骤（1）或步骤（2）所获得的高度约为6cm的丛生芽芽切割并接种到生根培养基上进行生根培养，接种后先在26℃条件下全暗培养6天，然后置于每天光照15小时，光照强度为2200lx，培养温度为26℃的条件下培养43天即可生根，生根率为74.%。（4）炼苗移栽：青蒿瓶内生根25天后，置于自然光照下炼苗6天后，洗净根部培养基，移栽由黄心土：河沙＝3：2混合成的基质中。移栽成活率为88%。实施例2：（1）丛生芽诱导：选取生长健壮无病虫的幼树当年生的带芽茎段作为外植体,用洗洁精水溶液浸泡12min，然后用自来水冲洗19min，擦干表面水分后备用。在超净工作台中以75%乙醇浸泡15s，0.1%升汞溶液消毒18min，再用无菌水清洗8次，擦干后切成长度为1.5cm的茎段接种到诱导培养基上,先在27℃条件下全暗培养19天，然后置于每天光照15小时，光照强度为1600x，培养温度为27℃条件下培养39天即可诱导形成丛生芽，诱导率为75%。所述诱导培养基为MS+6mg/L6-BA+1.1mg/LNAA+0.5mmol/LLa(NO3)2+3.0%蔗糖+0.4%琼脂+0.1%活性炭，pH值为5.2。（2）增殖培养：将步骤（1）所得的丛生芽转入增殖培养基上进行增殖培养，接种后先在28℃条件下全暗培养直至叶腋处萌生一个侧芽，然后置于每天光照13小时，光照强度为1500lx，培养温度为27℃的条件下培养28天各丛生芽即可伸长到3cm，增殖率为4.5。所述增殖培养基为MS+2mg/L6-BA+0.8mg/LNAA+2.5%蔗糖+0.1%琼脂+0.2%活性炭，pH值为5.2。（3）生根培养：将步骤（1）或步骤（2）所获得的高度约为4cm的丛生芽芽切割并接种到生根培养基上进行生根培养，接种后先在27℃条件下全暗培养8天，然后置于每天光照12小时，光照强度为1900lx，培养温度为27℃的条件下培养36天即可生根，生根率为81%。（4）炼苗移栽：青蒿瓶内生根23天后，置于自然光照下炼苗8天后，洗净根部培养基，移栽由黄心土：河沙＝3：2混合成的基质中。移栽成活率为92%。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种青蒿的组织培养技术，其特征在于包括以下步骤：步骤1，丛生芽诱导：选取生长健壮无病虫的幼树当年生的带芽茎段作为外植体,用洗洁精水溶液浸泡15min，然后用自来水冲洗35min，擦干表面水分后备用,在超净工作台中以70%～80%乙醇浸泡15s，0.1%升汞溶液消毒25min，再用无菌水清洗10次，擦干后切成长度为2.0cm的茎段接种到诱导培养基上,先在25~28℃条件下全暗培养25天，然后置于每天光照15小时，光照强度为1900lx，培养温度为23℃条件下培养，直至诱导形成丛生芽；诱导培养基为：MS+8mg/L6‑BA+3mg/L NAA+0.7mmol/L La(NO3)2+4.2%蔗糖+0.6%琼脂+0.3%活性炭，pH值为5.2;步骤2，增殖培养：将步骤1所得的丛生芽转入增殖培养基上进行增殖培养，接种后先在23℃条件下全暗培养直至叶腋处萌生一个侧芽，然后置于每天光照19小时，光照强度为1900lx，培养温度为23℃的条件下培养直至各丛生芽伸长到5cm；增殖培养基为：MS+3mg/L6‑BA+0.6mg/L NAA+4.2%蔗糖+0.6%琼脂+0.2%活性炭，pH值为5.2;步骤3，生根培养：将步骤1或步骤2所获得的高度约为5cm的丛生芽芽切割并接种到生根培养基上进行生根培养，接种后先在23℃条件下全暗培养11天，然后置于每天光照16小时，光照强度为3000lx，培养温度为23℃的条件下培养至生根；生根培养基为：1/2MS+6mg/L NAA+4.2%蔗糖+0.6%琼脂+0.2%活性炭，pH值为5.2;步骤4，炼苗移栽：青蒿瓶内生根31天后，置于自然光照下炼苗11天后，洗净根部培养基，移栽由黄心土：河沙=3：2混合成的基质中。...

【技术特征摘要】
1.一种青蒿的组织培养技术，其特征在于包括以下步骤：步骤1，丛生芽诱导：选取生长健壮无病虫的幼树当年生的带芽茎段作为外植体,用洗洁精水溶液浸泡15min，然后用自来水冲洗35min，擦干表面水分后备用,在超净工作台中以70%～80%乙醇浸泡15s，0.1%升汞溶液消毒25min，再用无菌水清洗10次，擦干后切成长度为2.0cm的茎段接种到诱导培养基上,先在25~28℃条件下全暗培养25天，然后置于每天光照15小时，光照强度为1900lx，培养温度为23℃条件下培养，直至诱导形成丛生芽；诱导培养基为：MS+8mg/L6-BA+3mg/LNAA+0.7mmol/LLa(NO3)2+4.2%蔗糖+0.6%琼脂+0.3%活性炭，pH值为5.2;步骤2，增殖培养：将步骤1所得的丛生芽转入增殖培养基上进行增殖培养，接种后先在2...

【专利技术属性】
技术研发人员：林登淞，
申请(专利权)人：林登淞，
类型：发明
国别省市：广西,45