一种新型低损耗单斜结构微波介质陶瓷及制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型低损耗单斜结构微波介质陶瓷及制备方法，该陶瓷材料组成表达式为：Ba2Bi1+xSbO6，其中0≤x≤0.06。陶瓷材料采用传统固相工艺制备而成，本发明专利技术先将BaCO3、Bi2O3和Sb2O3等原材料按照化学式进行配料，经球磨、干燥、过筛后于1000~1050℃的温度下进行预烧处理；再经二次球磨、干燥后添加8%重量百分比粘合剂进行炒蜡造粒，压制成直径为10mm的圆柱坯体，于1050~1150℃烧结温度下对排胶后的陶瓷坯体进行烧结得到致密的陶瓷体。本发明专利技术微波介质陶瓷材料具有以下特点：陶瓷材料介电常数ε

A New Low Loss Monoclinic Microwave Dielectric Ceramics and Its Preparation Method

The invention discloses a novel low loss monoclinic microwave dielectric ceramics and a preparation method. The composition expression of the ceramic material is Ba2Bi1+xSbO6, in which 0 < x < 0.06. The ceramic material is prepared by traditional solid-state process. The raw materials such as BaCO3, Bi2O3 and Sb2O3 are proportioned according to chemical formula, pre-fired at 1000-1050 ~C after ball milling, drying and sieving, then fried wax and granulated by adding 8% weight percentage binder after second ball milling and drying, and pressed into a cylindrical billet with a diameter of 10 mm, which is fired at 1050-1150 ~C. The dense ceramic body was obtained by sintering the ceramic body after rubber discharging at the bonding temperature. The microwave dielectric ceramic material of the invention has the following characteristics: dielectric constant of the ceramic material E

【技术实现步骤摘要】
一种新型低损耗单斜结构微波介质陶瓷及制备方法
一种新型低损耗单斜结构微波介质陶瓷及制备方法。
技术介绍
微波介质陶瓷（MWDC）是指在微波频段电路中作为介质材料完成微波信号处理的一种陶瓷，是一种新型的电子功能陶瓷。随着互联网技术的迅猛发展，信息容量呈指数性增长，应用频率朝着更高的频段发展，便携式终端和移动通信进一步向着小型化、高集成化和高可稳定性等方向发展。同时，介质谐振器、滤波器、电容器等器件在电磁波的接受与发送、能量与信号藕合及筛选频率方面有待进一步的提高，这就对微波电路中的元器件提出了更高要求，开发小型化、高稳定、廉价及高集成化的新型微波介质陶瓷已成为当今研究开发的焦点所在。微波介质陶瓷作为制造微波元器件的关键部分，应满足如下性能要求：（1）相对介电常数εr要尽量的高，这可以让器件更加小型化；（2）谐振频率温度系数τf要尽可能的接近0，这样才能使器件工作时有较好的稳定性；（3）品质因数Q·f值要高,这样才能有优良的选频特性。近期，含Bi的微波介质陶瓷因具有优异的介电常数，品质因数和温度系数受到科研人员的广泛关注。例如：Pang等人报道了在((1-x)BiVO4-xLa2/3Mo本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型低损耗单斜结构微波介质陶瓷，其特征在于：原料为BaCO3、Bi2O3和Sb2O3，该陶瓷材料组成表达式为：Ba2Bi1+xSbO6，其中0≤x≤0.06，在1050~1150 ℃时烧结后介电常数εr为25.65~27.16，品质因数Q·f为1.59~1.97×104 GHz，谐振频率温度系数τf为‑26.6~‑14.8 ppm/°C。

【技术特征摘要】
1.一种新型低损耗单斜结构微波介质陶瓷，其特征在于：原料为BaCO3、Bi2O3和Sb2O3，该陶瓷材料组成表达式为：Ba2Bi1+xSbO6，其中0≤x≤0.06，在1050~1150℃时烧结后介电常数εr为25.65~27.16，品质因数Q·f为1.59~1.97×104GHz，谐振频率温度系数τf为-26.6~-14.8ppm/°C。2.一种权利要求所述的一种新型低损耗单斜结构微波介质陶瓷，其特征在于制备方法由下述步骤组成：（1）混料：将纯度大于的99%的BaCO3、Bi2O3和Sb2O3粉末按照配方Ba2Bi1+xSbO6(0≤x≤0.06)的化学式进行配料，将粉料、氧化锆磨球和无水乙醇加入混料瓶中，在混料机中混料约24小时；将混料后的浆料置于80℃下的干燥箱中烘干；（2）预烧：将步骤（1）干燥后的粉料混合物装入坩埚后置于高温炉中，在1000~1050℃下预烧4小时（升温降温速率为3℃/min），得到预烧粉体；（3）二次混料：将步骤（2）预烧后的粉料，氧化锆磨球，无水乙醇再次加入混料瓶，在混料机中混料约24小时将混料后的浆料置于80℃下的干燥箱中烘干；（4）造粒、成型：将步骤（3）中烘干后的粉末加...

【专利技术属性】
技术研发人员：邢春芳，吴海涛，张赟慧，杨耀康，陶兵景，郑巾杰，
申请(专利权)人：济南大学，
类型：发明
国别省市：山东,37