一种用于晶圆片生产的后处理系统技术方案

本发明专利技术涉及一种用于晶圆片生产的后处理系统，包括依次设置的装片机构、一次清洗机构、二次清洗机构和甩干离心机构，所述装片机构和甩干离心机构包括内端面开口的长方体移动支撑框架，且所述装片机构的长方体移动支撑框架的外端面中心设置有进料口，所述甩干离心机构的长方体移动支撑框架的外端面中心设置有出料口；所述一次清洗机构和二次清洗机构包括两端面开口的长方体移动支撑框架，且所述相邻机构之间通过快速连接结构连接。本发明专利技术的优点在于：本发明专利技术采用分体式结构，组装方便，方便更换工序，且机械手的两机械臂共用一气缸，节省能源和减少占用空间，同时该后处理系统能够提高晶圆片表面处理效果，并且能够避免酸腐蚀其它设备。

【技术实现步骤摘要】
一种用于晶圆片生产的后处理系统
本专利技术属于半导体晶体加工
，特别涉及一种用于晶圆片生产的后处理系统。
技术介绍
目前，在晶圆片的制造过程中，众所皆知的是，由已经实施过的制造操作程序所遗留在晶片表面的不必要残留必须加以清洗。此般的制造操作范例包括有等离子体蚀刻和化学机械抛光法。若不必要的残留物质和微粒在连续的制造操作过程中遗留在晶片的表面，这些残留物质和微粒将会造成如晶片表面刮伤和金属化特征间的不适当的交互作用等瑕疵。在一些案例中，此般瑕疵可能导致晶片上的装置变得无法运作。欲避免由于丢弃具有无法运作的装置的晶片而所造成的额外费用，因此，当在晶片表面上遗留不必要的残余物的制造操作程序之后，必须适当并有效率地清理晶片表面。目前，对于晶圆片的表面处理，一般过程如下：装片、等待→清洗（HF）、水洗→清洗（H2O2）、水洗→甩干离心，现一般都是将各工序集于整个系统中，该表面处理系统只能用于该工艺流程，不能对工艺流程进行优化，添加其他工序；且现处理系统中使用的机械手，各机械臂需通过单独的气缸进行驱动，已完成对晶圆片的夹取或落料；此外，系统中用于酸洗的装置，一般为敞口结构，容易造成酸的溢出，损坏其他设置，同时，晶圆片水洗，是将硅片放到清洗液中进行浸泡，浸泡一段时间后将硅片取出，这种清洗方式下的硅片与清洗液之间是相对静止不动的，相互之间碰撞摩擦非常少，进而硅片清洗的效果不是非常好。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种用于晶圆片生产的后处理系统，采用分体式结构，组装方便，同时可根据工艺流程需要，方便更换工序，且处理系统中的机械手的两机械臂共用一气缸，节省能源和减少占用空间，同时该后处理系统能够提高晶圆片表面处理效果，并且能够避免酸腐蚀其它设备。为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案为：一种用于晶圆片生产的后处理系统，其创新点在于：包括依次连接设置的装片机构、一次清洗机构、二次清洗机构和甩干离心机构，所述装片机构和甩干离心机构包括内端面开口的长方体移动支撑框架，且所述装片机构的长方体移动支撑框架的外端面中心设置有进料口，所述甩干离心机构的长方体移动支撑框架的外端面中心设置有出料口；所述一次酸洗机构和二次酸洗机构包括两端面开口的长方体移动支撑框架，且所述相邻机构之间通过快速连接结构连接；所述装片机构、一次清洗机构、二次清洗机构和甩干离心机构在长方体移动支撑框架内的结构布置一致，所述各移动支撑框架内设置有连接移动支撑框架上、下水平板的第一竖直框架，且所述第一竖直框架、靠近第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板及移动支撑框架上、下水平板之间形成设备区；在上部的移动支撑框架内的第一竖直框架与远离第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板之间设置有第一水平框架，且所述第一竖直框架、远离第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板、移动支撑框架上水平板及第一水平框架之间形成新风区；在下部的移动支撑框架内的第一竖直框架与远离第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板之间设置有第二竖直框架，所述第二竖直框架的高度小于第一水平框架至移动支撑框架下水平板的距离，在第一竖直框架与第二竖直框架之间设置有第二水平框架；所述第一水平框架、第二水平框架、第二竖直框架及靠近第二竖直框架的移动支撑框架的竖直板之间形成机械手工作区；所述第一竖直框架、第二竖直框架、第二水平框架及移动支撑框架的下水平板之间形成晶舟工作区；所述装片机构中的晶舟工作区自进料向出料方向分为装片区和等待区，所述装片区内设置有支撑基座A，所述支撑基座A上设有硅晶片放置架A，且硅晶片放置架A上设有若干个等间距分布的隔板A，相邻隔板A之间形成可容硅晶片放置的空腔A；所述一次清洗机构和二次清洗机构中的晶舟工作区自进料向出料方向分为酸洗区和水洗区，且两次清洗机构的酸洗区内设置有酸洗装置，两次清洗机构的水洗区内设置有水洗装置；所述酸洗装置包括一酸洗箱体，所述酸洗箱体的侧端固定连接有气缸，且气缸的上端铰接有与酸洗箱体上端配合的顶盖；所述酸洗箱体的内部底端中心设有支撑基座B，所述支撑基座B上设有硅晶片放置架B，且硅晶片放置架B上设有若干个等间距分布的隔板B，相邻隔板B之间形成可容硅晶片放置的空腔B；所述水洗装置包括一清洗池，所述清洗池内铺设有两个平行设置且沿清洗池长度方向延伸的喷洗管，所述喷洗管沿其中心线的两侧边开有若干个等间距分布的喷洗孔，且所述两喷洗管之间连通有进水管；所述喷洗管上设置有支撑基座C，所述支撑基座C上设有一沿清洗池长度方向延伸的弧形凹槽，且弧形凹槽的侧边与喷洗管的外侧边平齐设置；所述弧形凹槽的两端的外端部通过支撑架与支撑基座C固定连接，且所述弧形凹槽内设有若干个等间距分布的隔板C，使相邻隔板C与弧形凹槽之间形成可容硅片放置的空腔C；所述甩干离心机构中的晶舟工作区自进料向出料方向分为甩干离心区和取片区，所述甩干离心区设置有晶圆片甩干离心机；所述机械手工作区内设置有沿进料向出料方向延伸的导轨、机械手以及驱动机构，在机械手工作区内的第二竖直框架上布置有用于机械手行走的导轨，且相邻两机构内的导轨通过快速结构连接；所述驱动机构包括一C字型支架，所述C字型支架包括上、下水平板以及连接在上、下水平板之间的竖直板；所述竖直板的外端面上设置有与导轨滑动配合的滑块，所述下水平板的内端部中心设置有轴承座，所述C字型支架内中心设有一沿竖直板长度方向延伸的丝杆，且丝杆的下端穿过轴承座延伸至下水平板外端；所述丝杆上套接有螺母，且螺母上固定连接有连接板；所述C字型支架的上水平板及连接板上分别设有通孔，两通孔上下对应设置，且两通孔内穿插有与通孔配合连接的连接杆；所述连接杆的上端连接有机械手，所述丝杆的下端连接有升降电机，通过升降电机驱动丝杆旋转；在所述C字型支架的竖直板上还固定连接有行走电机，且行走电机的传动轴上固定连接有齿轮，在机械手工作区内的第二竖直框架上还布置有沿进料向出料方向延伸的，且与齿轮配合的齿轮链条；所述机械手包括机械手支架以及对称设置在机械手支架上的机械臂，所述前端机械臂上对称设有拨杆；在两拨杆之间设置有对称设置的两摆动板，且所述各摆动板上具有一个沿机械臂长度方向延伸的腰型槽，所述拨杆的端部置于腰型槽内，使拨杆可沿腰型槽移动；所述两摆动板位于腰型槽的端部分别设有通孔，各端部的通孔内设置有连接两摆动板的第一轴和第二轴，且所述第一轴的中部铰接在支座上，所述支座固定设置在机械手支架上；所述第二轴的中部与夹持气缸连接。进一步地，所述清洗池的上端设有溢流口，且两侧溢流口的上端面呈锯齿状分布。进一步地，所述快速连接结构为：相邻的长方体移动支撑框架之间通过螺丝与螺帽的配合连接固定而成。进一步地，所述快速连接结构为：在两个相邻的长方体移动支撑框架相接触处的两个框架上分别设置有向外延伸的卡子以及与之配合的卡槽，且卡子与卡槽均设置在构成框架的方钢的内侧壁上，所述卡子的端面呈倾斜状，在卡子的内侧面上还设置有限位凸起。进一步地，所述快装结构为：在两个相邻机构接触处的两个导轨的内侧壁上分别设置有向外延伸的卡子以及与之配合的卡槽，所述卡子的端面呈倾斜状，在卡子的内侧面上还设置有限位凸起。本专利技术的优点在于：（1）本专利技术用于晶圆片生产的后处理系统，装片机构、一次清洗机构、二次清洗机构和甩干离心机构之间通过快速连接结构进行活动连接，方便本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于晶圆片生产的后处理系统，其特征在于：包括依次连接设置的装片机构、一次清洗机构、二次清洗机构和甩干离心机构，所述装片机构和甩干离心机构包括内端面开口的长方体移动支撑框架，且所述装片机构的长方体移动支撑框架的外端面中心设置有进料口，所述甩干离心机构的长方体移动支撑框架的外端面中心设置有出料口；所述一次酸洗机构和二次酸洗机构包括两端面开口的长方体移动支撑框架，且所述相邻机构之间通过快速连接结构连接；所述装片机构、一次清洗机构、二次清洗机构和甩干离心机构在长方体移动支撑框架内的结构布置一致，所述各移动支撑框架内设置有连接移动支撑框架上、下水平板的第一竖直框架，且所述第一竖直框架、靠近第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板及移动支撑框架上、下水平板之间形成设备区；在上部的移动支撑框架内的第一竖直框架与远离第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板之间设置有第一水平框架，且所述第一竖直框架、远离第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板、移动支撑框架上水平板及第一水平框架之间形成新风区；在下部的移动支撑框架内的第一竖直框架与远离第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板之间设置有第二竖直框架，所述第二竖直框架的高度小于第一水平框架至移动支撑框架下水平板的距离，在第一竖直框架与第二竖直框架之间设置有第二水平框架；所述第一水平框架、第二水平框架、第二竖直框架及靠近第二竖直框架的移动支撑框架的竖直板之间形成机械手工作区；所述第一竖直框架、第二竖直框架、第二水平框架及移动支撑框架的下水平板之间形成晶舟工作区；所述装片机构中的晶舟工作区自进料向出料方向分为装片区和等待区，所述装片区内设置有支撑基座A，所述支撑基座A上设有硅晶片放置架A，且硅晶片放置架A上设有若干个等间距分布的隔板A，相邻隔板A之间形成可容硅晶片放置的空腔A；所述一次清洗机构和二次清洗机构中的晶舟工作区自进料向出料方向分为酸洗区和水洗区，且两次清洗机构的酸洗区内设置有酸洗装置，两次清洗机构的水洗区内设置有水洗装置；所述酸洗装置包括一酸洗箱体，所述酸洗箱体的侧端固定连接有气缸，且气缸的上端铰接有与酸洗箱体上端配合的顶盖；所述酸洗箱体的内部底端中心设有支撑基座B，所述支撑基座B上设有硅晶片放置架B，且硅晶片放置架B上设有若干个等间距分布的隔板B，相邻隔板B之间形成可容硅晶片放置的空腔B；所述水洗装置包括一清洗池，所述清洗池内铺设有两个平行设置且沿清洗池长度方向延伸的喷洗管，所述喷洗管沿其中心线的两侧边开有若干个等间距分布的喷洗孔，且所述两喷洗管之间连通有进水管；所述喷洗管上设置有支撑基座C，所述支撑基座C上设有一沿清洗池长度方向延伸的弧形凹槽，且弧形凹槽的侧边与喷洗管的外侧边平齐设置；所述弧形凹槽的两端的外端部通过支撑架与支撑基座C固定连接，且所述弧形凹槽内设有若干个等间距分布的隔板C，使相邻隔板C与弧形凹槽之间形成可容硅片放置的空腔C；所述甩干离心机构中的晶舟工作区自进料向出料方向分为甩干离心区和取片区，所述甩干离心区设置有晶圆片甩干离心机；所述机械手工作区内设置有沿进料向出料方向延伸的导轨、机械手以及驱动机构，在机械手工作区内的第二竖直框架上布置有用于机械手行走的导轨，且相邻两机构内的导轨通过快速结构连接；所述驱动机构包括一C字型支架，所述C字型支架包括上、下水平板以及连接在上、下水平板之间的竖直板；所述竖直板的外端面上设置有与导轨滑动配合的滑块，所述下水平板的内端部中心设置有轴承座，所述C字型支架内中心设有一沿竖直板长度方向延伸的丝杆，且丝杆的下端穿过轴承座延伸至下水平板外端；所述丝杆上套接有螺母，且螺母上固定连接有连接板；所述C字型支架的上水平板及连接板上分别设有通孔，两通孔上下对应设置，且两通孔内穿插有与通孔配合连接的连接杆；所述连接杆的上端连接有机械手，所述丝杆的下端连接有升降电机，通过升降电机驱动丝杆旋转；在所述C字型支架的竖直板上还固定连接有行走电机，且行走电机的传动轴上固定连接有齿轮，在机械手工作区内的第二竖直框架上还布置有沿进料向出料方向延伸的，且与齿轮配合的齿轮链条；所述机械手包括机械手支架以及对称设置在机械手支架上的机械臂，所述前端机械臂上对称设有拨杆；在两拨杆之间设置有对称设置的两摆动板，且所述各摆动板上具有一个沿机械臂长度方向延伸的腰型槽，所述拨杆的端部置于腰型槽内，使拨杆可沿腰型槽移动；所述两摆动板位于腰型槽的端部分别设有通孔，各端部的通孔内设置有连接两摆动板的第一轴和第二轴，且所述第一轴的中部铰接在支座上，所述支座固定设置在机械手支架上；所述第二轴的中部与夹持气缸连接。...

【技术特征摘要】
1.一种用于晶圆片生产的后处理系统，其特征在于：包括依次连接设置的装片机构、一次清洗机构、二次清洗机构和甩干离心机构，所述装片机构和甩干离心机构包括内端面开口的长方体移动支撑框架，且所述装片机构的长方体移动支撑框架的外端面中心设置有进料口，所述甩干离心机构的长方体移动支撑框架的外端面中心设置有出料口；所述一次酸洗机构和二次酸洗机构包括两端面开口的长方体移动支撑框架，且所述相邻机构之间通过快速连接结构连接；所述装片机构、一次清洗机构、二次清洗机构和甩干离心机构在长方体移动支撑框架内的结构布置一致，所述各移动支撑框架内设置有连接移动支撑框架上、下水平板的第一竖直框架，且所述第一竖直框架、靠近第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板及移动支撑框架上、下水平板之间形成设备区；在上部的移动支撑框架内的第一竖直框架与远离第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板之间设置有第一水平框架，且所述第一竖直框架、远离第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板、移动支撑框架上水平板及第一水平框架之间形成新风区；在下部的移动支撑框架内的第一竖直框架与远离第一竖直框架的移动支撑框架的竖直板之间设置有第二竖直框架，所述第二竖直框架的高度小于第一水平框架至移动支撑框架下水平板的距离，在第一竖直框架与第二竖直框架之间设置有第二水平框架；所述第一水平框架、第二水平框架、第二竖直框架及靠近第二竖直框架的移动支撑框架的竖直板之间形成机械手工作区；所述第一竖直框架、第二竖直框架、第二水平框架及移动支撑框架的下水平板之间形成晶舟工作区；所述装片机构中的晶舟工作区自进料向出料方向分为装片区和等待区，所述装片区内设置有支撑基座A，所述支撑基座A上设有硅晶片放置架A，且硅晶片放置架A上设有若干个等间距分布的隔板A，相邻隔板A之间形成可容硅晶片放置的空腔A；所述一次清洗机构和二次清洗机构中的晶舟工作区自进料向出料方向分为酸洗区和水洗区，且两次清洗机构的酸洗区内设置有酸洗装置，两次清洗机构的水洗区内设置有水洗装置；所述酸洗装置包括一酸洗箱体，所述酸洗箱体的侧端固定连接有气缸，且气缸的上端铰接有与酸洗箱体上端配合的顶盖；所述酸洗箱体的内部底端中心设有支撑基座B，所述支撑基座B上设有硅晶片放置架B，且硅晶片放置架B上设有若干个等间距分布的隔板B，相邻隔板B之间形成可容硅晶片放置的空腔B；所述水洗装置包括一清洗池，所述清洗池内铺设有两个平行设置且沿清洗池长度方向延伸的喷洗管，所述喷洗管沿其中心线的两侧边开有若干个等间距分布的喷洗孔，且所述两喷洗管之间连通有进水管；所述喷洗管上设置有支撑基座C，所述支撑基座C上设有一沿清洗池长度方向延伸的弧形凹槽，且弧形凹槽的侧边与喷洗管的外侧边平齐设置；所述弧形凹槽的两端的外端部通过支撑架...

【专利技术属性】
技术研发人员：山世清，黎弈夆，
申请(专利权)人：江苏晶睿光电科技有限公司，黎弈夆，
类型：发明
国别省市：江苏,32