一种晶圆电镀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及一种晶圆电镀装置，包括一电镀支架，在电镀支架上沿着电镀支架的长轴方向分布有数个电镀区域；设置于各个电镀区域内的电镀单元，包括一安装在电镀支架上的电镀池，在电镀池内安装有活动式导电组件；一设置于电镀池内的补液单元，包括两个补液管，对称分布在电镀池的底端，在补液管的上端面还开有若干补液孔，在电镀池的下方还设置有一补液池，在补液池中安装有一供液管，该供液管通过过渡连接管道分别与两个补液管相连。本实用新型专利技术的优点在于：将电镀支架划分为多个电镀区域，并配合电镀单元与补液单元的设计，可实现在同一时间内对多个晶圆的同时电镀，也可实现对晶圆表面多种不同材料的依次电镀，工作效率更高，电镀效果更好。电镀效果更好。电镀效果更好。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆电镀装置


[0001]本技术涉及晶圆生产领域，特别涉及一种晶圆电镀装置。

技术介绍

[0002]晶圆(Wafer)是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形，故称为晶圆。在晶圆上电镀一层导电金属，并对导电金属层进行加工以制成导电线路。传统的晶圆电镀设备，多采用手工将晶圆放入电镀槽内，电镀设备自动化程度低，生产效率低，稳定性差，晶圆的电镀品质差、良品率低。且现有的电镀设备多为垂直电镀设备，垂直电镀的电镀液压力较小、电镀速度慢、均匀性差。
[0003]针对上述现象，在专利CN204401127U中就提到了一种晶圆电镀装置，其特征在于，包括：电镀槽；所述电镀槽设有容腔；所述容腔用于存放电镀液；晶圆输送装置；所述晶圆输送装置位于所述电镀槽的一侧，用于将晶圆输送至所述容腔内。本技术提供晶圆电镀装置，可对晶圆进行电镀处理，自动化程度大，生产效率高，生产稳定性好，大大提高了晶圆的电镀品质及良品率。
[0004]而上述的这种电镀装置，其一次只能实现对一个晶圆进行电镀，只有在上一个晶圆电镀好后，才能更换下一个晶圆进行电镀，电镀本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆电镀装置，其特征在于：包括一电镀支架，在电镀支架上沿着电镀支架的长轴方向分布有数个电镀区域；设置于各个电镀区域内的电镀单元，所述电镀单元包括一安装在电镀支架上的电镀池，电镀池为一上端开口的空心长方体结构，在电镀池内安装有活动式导电组件；一设置于电镀池内的补液单元，所述补液单元包括水平设置于电镀池内的补液管，补液管一共有两个，对称分布在电镀池的底端，在补液管的上端面还开有若干补液孔，在电镀池的下方还设置有一补液池，在补液池中安装有一竖直设置的供液管，该供液管通过过渡连接管道分别与两个补液管相连。2.根据权利要求1所述的晶圆电镀装置，其特征在于：所述导电组件包括一安装在电镀池上方的导电座，该导电座沿着...

【专利技术属性】
技术研发人员：山世清，黎弈夆，
申请(专利权)人：江苏晶睿光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：