基板处理装置和基板处理方法制造方法及图纸

公开了一种基板处理装置和基板处理方法。所述基板处理方法包括将含有单体物质的处理液涂覆到要清洁的基板上，通过向处理液照射光并使单体物质聚合以将处理液固化为清洁膜，并去除清洁膜。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置和基板处理方法
这里描述的专利技术构思的实施例涉及一种基板处理装置和基板处理方法，并且更具体地涉及一种用于清洁基板的装置和方法。
技术介绍
基板表面上的污染物例如颗粒，有机污染物和金属污染物等极大地影响半导体设备的特性和成品率。由于这一点，在半导体制造过程中去除附着在基板表面上的各种污染物的清洁过程非常重要，并且在制造半导体的单元过程之前和之后执行清洁基板的过程。在清洁过程中从基板上分离的颗粒可以再次附着到基板上，并且可以在清洁过程完成之后留在基板上。此外，随着半导体加工变得更精细，在该加工中产生的颗粒的尺寸也变得更小。小尺寸颗粒可能不能被顺利地清洁，并且即使在执行清洁过程之后也可能留在基板上。
技术实现思路
本专利技术构思的实施例提供了一种可以有效地处理基板的基板处理装置，以及一种基板处理方法。本专利技术构思的实施例还提供了一种可以顺利地清洁细小尺寸的颗粒的基板处理装置，以及一种基板处理方法。本专利技术构思的实施例还提供了一种基板处理装置，其可以防止在清洁过程中从基板上分离的颗粒再次附着到基板上，以及一种基板处理方法。本专利技术构思的实施例还提供了一种具有短的过程执行时间的基板处理装置，以及一种基板处理方法。根据本专利技术构思的一个方面，提供了一种基板处理方法，包括将包含单体物质的处理液涂覆到要清洁的基板上，通过向处理液照射光并使单体物质聚合，使处理液固化成清洁膜，并去除清洁膜。清洁膜可具有通过聚合单体物质形成的网状结构。用于所述处理液的溶剂可以是水。所述的向处理液照射的光可以具有紫外线波段的波长。所述处理液可包括光引发剂。所述单体物质可通过聚合形成丙烯酸类化合物。根据本专利技术构思的另一方面，提供了一种基板处理装置，包括：支撑构件，其配置为支撑基板；处理液排出构件，其配置为将包含单体物质的处理液排出到位于支撑构件上的基板上；和光照射器，其配置为将光照射到排出到基板上的处理液上。所述光照射器可以将光照射到基板的旋转中心和基板的外端之间的区域。所述光照射器可以照射光，使得所述光穿过基板的旋转中心，并且所述光照射在基板的一端和一相对端之间的区域上。所述基板处理装置还可包括清洁膜去除器，所述清洁膜去除器配置为从所述基板去除通过光固化所述处理液时形成的清洁膜。附图说明通过参考附图详细描述本专利技术构思的示例性实施例，本专利技术构思的上述和其他目的和特征将变得一目了然。图1是示出根据本专利技术构思的实施例的基板处理装置的视图；图2是示出清洁基板的步骤的框图；图3是示出提供以用于清洁的基板的状态的视图；图4是示出处理液被排出状态下的基板的视图；图5是示出在基板中形成清洁膜的状态的视图；图6是示出清洁膜的结构的视图；图7是示出清洁膜被去除的状态的视图；图8是示出根据本专利技术构思的另一实施例的基板处理装置的视图；以及图9是示出清洁膜正在被去除的状态的视图。具体实施方式在下文中，将参考附图更详细地描述本专利技术构思的示例性实施例。可以以各种形式修改本专利技术构思的实施例，并且本专利技术构思的范围不应该被解释为限于以下实施例。提供本专利技术构思的实施例是为了更完整地为本领域技术人员描述本专利技术构思。因此，放大了附图中组件的形状以强调其更清楚的描述。图1是示出根据本专利技术构思的实施例的基板处理装置的视图。参阅图1，基板处理装置10包括支撑构件100，处理液排出构件200，光照射器300和清洁膜去除器400。支撑构件100的上侧呈板状形状，该板状形状具有预设厚度以在过程执行期间支撑基板S。作为示例，支撑构件100可以设置有用以支撑基板S的销，所述销用于在过程执行期间支撑基板S。在另一个例子中，支撑构件100可以在真空吸附方案的过程执行期间支撑基板S。支撑构件100可以设置成在支撑基板S的同时可旋转。处理液排出构件200将处理液排出到位于支撑构件100中的基板S。处理液以预设化合物的单体物质溶解在溶剂中的状态提供。例如，处理液可包括单体、二聚体和低聚体中的一种。作为示例，处理液可包括两种或更多种单体、二聚体和低聚体。预设化合物是如果光照射到单体物质上则聚合的化合物。所述聚合可以是光固化反应或基团聚合反应。例如，所述预设化合物可以是丙烯酸类化合物，其通过酯(丙烯酸乙酯，丙烯酸甲酯或甲基丙烯酸甲酯)或盐(丙烯酸钠或丙烯酸铵)的聚合形成。另外，预设化合物可以是丙烯酰基，丙烯酸基，不饱和基团，聚乙烯吡咯烷酮(PolyvinylPirrolidone,PVP)，甲基丙烯酸乙二醇酯，丙烯酸丁酯或聚乙二醇二丙烯酸酯(Polyethyleneglycoldiacrylate,PEGDA)。溶剂可以是水。处理液是将单体物质添加到作为溶剂的水中，与将高分子物质溶解在溶剂中的情况不同，制造此处理液的时间可以缩短。此外，因为溶剂是水，所以处理液的粘度类似于水的粘度，这样在将处理液排放到基板S的过程中处理液可以容易地被控制。可以将光引发剂添加到处理液(PL)中，使得当照射的光被处理液吸收时，可以加速单体物质的聚合。光照射器300将光照射到位于支撑构件100上的基板S上。由光照射器300照射的光可以具有紫外线波段的波长。光照射器300可以在基板S的旋转中心和基板S的外端之间的区域上照射光。相应地，如果在光照射器300照射光的同时旋转基板S，则可以在基板S的整个上表面区域上照射光。作为另一示例，光照射器300可以照射光，使得光穿过基板S的旋转中心，并且光照射在基板S的一端到一相对端之间的区域上。相应的，如果在光照射器300照射光的同时旋转基板S，则可以在基板S的整个上表面区域上照射光。作为另一示例，光照射器300可以照射光，使得光在基板S的旋转中心和基板S的外端之间的区域内移动。相应地，如果在光照射器300照射光的同时旋转基板S，则可以在基板S的整个上表面区域上照射光。清洁膜去除器400去除形成在基板S上的清洁膜L。所述清洁膜去除器400设置成可垂直移动。此外，所述清洁膜去除器400可以设置成可前后移动或左右移动。提供清洁膜去除器400，使得在所述清洁膜去除器的下表面上形成负压。图2是示出清洁基板的步骤的框图。图3是示出提供以用于清洁的基板的状态的视图。参见图2和图3，所述基板处理装置清洁基板S。提供所述基板S，此时颗粒P存在于基板S的上表面上。所述颗粒P是在先前过程中产生的副产物，例如光刻过程，蚀刻过程和机械/化学抛光过程。因此，在去除所述颗粒P之后，需要在基板S上进行以下处理。图4是示出在处理液被排出状态下的基板的视图。参见图4，如果基板S位于支撑构件100上，则处理液排出构件200将处理液排出到基板S上(S10)。当处理液被排出时，支撑构件100可以旋转，以帮助将处理液涂覆在基板S的整个上表面上。图5是示出在基板中形成清洁膜的状态的视图。图6是示出清洁膜的结构的视图。参照图5和图6，如果排出预设量的处理液，则光照射器300将光照射到基板S上(S20)。如果光被照射，则当溶剂蒸发并固化时处理液(PL)形成清洁膜L。因为溶剂是水，所以溶剂可以完全蒸发，并且在开始照射光之后几秒钟内处理液可以完全固化。此外，由于形成清洁膜L的时间短，因此防止了由于传递到基板S的热量导致的基板S的热变化。如果照射光，则包含在处理液中的单体物质产生聚合以形成化合物。如果相邻的单体物质聚合，则该化合物形成三维网状结构本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，包括：将含有单体物质的处理液涂覆到要清洁的基板上；通过向处理液照射光并使单体物质聚合，使处理液固化为清洁膜；以及去除清洁膜。

【技术特征摘要】
2017.07.10 KR 10-2017-00870731.一种基板处理方法，包括：将含有单体物质的处理液涂覆到要清洁的基板上；通过向处理液照射光并使单体物质聚合，使处理液固化为清洁膜；以及去除清洁膜。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述清洁膜具有通过聚合所述单体物质形成的网状结构。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述处理液的溶剂是水。4.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述光具有紫外线波段的波长。5.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述处理液包括光引发剂。6.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：李梦龙，曹美英，延蕊林，A·科里阿金，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR