半导体封装装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置封装包含：电子组件；第一组导电线，其电连接到所述电子组件；及绝缘层，其环绕所述第一组导电线。所述绝缘层暴露所述第一组所述导电线的部分。所述绝缘层缺少填料。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装装置及其制造方法
本公开大体上涉及一种半导体封装装置及其制造方法。本公开涉及一种包含扇出结构的半导体封装装置及其制造方法。
技术介绍
在半导体封装装置中，可通过倒装芯片技术或导线结合技术将一或多个半导体装置附接或安装到衬底。倒装芯片技术(例如其可实施导电柱或插入件以提供半导体装置与衬底之间的电连接)可用于细距半导体装置封装(例如三维产品，例如三维集成电路)中。然而，使用倒装芯片技术的制造工艺可复杂且昂贵。
技术实现思路
在一个方面中，根据一些实施例，一种半导体装置封装包含：电子组件；第一组导电线，其电连接到所述电子组件；及绝缘层，其环绕所述第一组导电线。所述绝缘层暴露所述第一组所述导电线的部分。所述绝缘层并不包含填料。在另一方面中，根据一些实施例，一种半导体装置封装包含：电子组件；第一组导电线，其电连接到所述电子组件；绝缘层，其环绕所述第一组导电线；及封装体，其囊封所述绝缘层。所述绝缘层暴露所述第一组所述导电线的部分。所述第一组导电线通过所述绝缘层而与所述封装体分离。在又一方面中，根据一些实施例，一种制造半导体装置封装的方法包含提供包含多个导电触点的电子组件。所述方法进一步包含由第一导电线连接所述导电触点中的两者。所述方法又进一步包含形成缺少填料的绝缘层以覆盖所述第一导电线。附图说明在与附图一起阅读时从以下详细描述最佳地理解本公开的方面。应注意，各种特征可能未按比例绘制，且在图式中，所描绘特征的尺寸可出于论述清楚起见而任意地增大或减小。图1A说明根据本公开的第一方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。图1B说明根据本公开的第一方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。图2A说明根据本公开的第二方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。图2B说明根据本公开的第二方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。图2C说明根据本公开的第二方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。图2D说明根据本公开的第二方面的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。图3A、图3B、图3C、图3D、图3E、图3F、图3G及图3H说明根据本公开的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。图4A、图4B及图4C说明根据本公开的一些实施例的制造半导体封装装置的方法。图5A及图5B说明根据本公开的一些实施例的不同类型的半导体封装装置。图6说明根据本公开的一些实施例的半导体封装装置的一些实施例的横截面图。贯穿图式及详细描述使用共同参考数字来指示相同或相似元件。根据结合附图作出的以下详细描述将容易理解本公开。具体实施方式图1A说明根据本公开的第一方面的半导体封装装置1A的一些实施例的横截面图。半导体封装装置1A包含电子组件10、绝缘层11、封装体12、互连层13、保护层14及电触点15。电子组件10具有有源表面101、与有源表面101相对的背表面102(也被称作背侧)，及在有源表面101与背表面102之间延伸的侧表面103。电子组件10可包含芯片或裸片，且可包含半导体衬底、一或多个集成电路装置，及/或其中的一或多个上覆互连结构。集成电路装置可包含例如晶体管的有源装置，及/或例如电阻器、电容器、电感器或其组合的无源装置。多个导电线10w1分别电连接到安置在电子组件10的有源表面101上的导电触点10p。导电触点10p可连接到电子组件10内的一或多个重布层(RDL)，或可构成电子组件10内的一或多个重布层(RDL)的部分。在一些实施例中，包含导电触点10p的RDL的线宽/线距L/S等于或小于约2微米(μm)/约2μm。在一些实施例中，导电线10w1中的每一者为相应结合线的部分。导电线10w1从电子组件10的有源表面101向外延伸到保护层14。在一些实施例中，导电线10w1的宽度为约15μm到约25μm。在一些实施例中，导电线10w1包含金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、钛(Ti)、钨(W)、镍(Ni)，或其它合适金属或合金。绝缘层11安置在电子组件10的有源表面101上以覆盖电子组件10的有源表面101及导电线10w1的部分。每一导电线10w1的一个端子从绝缘层11暴露。绝缘层11具有第一表面111、第二表面112，及在第一表面111与第二表面112之间延伸的侧表面113。第二表面112可面对有源表面101，且第一表面111可与第二表面112相对。在一些实施例中，绝缘层11包含：缺少例如纤维或陶瓷粒子的填料的树脂，例如不具有填料的环氧树脂；聚酰亚胺；酚类化合物或材料；其中分散有硅酮的材料；或其组合。由于缺少填料，故所存在的任何填料被包含为不大于绝缘层11的约5重量％的量，例如不大于约3重量％、不大于2重量％，或不大于1重量％。在一些实施例中，绝缘层11包含灌封胶水或其它粘着材料。绝缘层11及导电线10w1构成细线RDL的至少部分且可提供用于电子组件10的扇出结构。在一些实施例中，可通过使用插入件或铜柱来实现细线RDL。然而，用于制造具有细线结构的插入件或铜柱的成本可昂贵。通过将结合线(例如，导电线10w1)用于细线RDL，可减少制造成本及时间。封装体12安置在电子组件10的侧表面103及绝缘层11的侧表面113上。在一些实施例中，封装体12包含具有填料的环氧树脂、封装材料(例如，环氧封装材料或其它封装材料)、聚酰亚胺、酚类化合物或材料、其中分散有硅酮的材料，或其组合。互连层13(其可包含例如RDL或其它图案化导电层)安置在绝缘层11的第一表面111及封装体12上。互连层13电连接到导电线10w1的暴露部分。互连层13的L/S(例如互连层13的导电垫的L/S)大于包含导电触点10p的RDL的L/S(例如大于导电触点10p的L/S)；举例来说，互连层13的至少两个邻近导电垫之间的间距大于至少两个邻近导电触点10p之间的间距。在一些实施例中，互连层13的L/S大于约7μm/约7μm。保护层14安置在绝缘层11的第一表面111及封装体12上以覆盖互连层13的部分。保护层14界定暴露互连层13的部分的开口。在一些实施例中，保护层14包含阻焊剂(solderresist)或防焊剂(soldermask)。电触点15安置在保护层14的开口内且电连接到互连层13的暴露部分。在一些实施例中，电触点15包含可控塌陷芯片连接(ControlledCollapseChipConnection；C4)凸块、焊料球或焊盘栅格阵列(LandGridArray；LGA)。图1B说明根据本公开的第一方面的半导体封装装置1B的一些实施例的横截面图。半导体封装装置1B与图1A所展示的半导体封装装置1A相似，但以下情形除外：导电垫11p安置在绝缘层11的第一表面111上且分别电连接到导电线10w1，且半导体封装装置1B包含在绝缘层11上方延伸且覆盖导电垫11p的封装体12'(其可与封装体12相似且可代替封装体12被实施)，且半导体封装装置1B进一步包含安置在绝缘层11与保护层14之间的额外导电线10w2。导电线10w2安置在导电垫11p上。导电垫11p构成RDL或其它图案化导电层的至少部分。包含导电垫11p的RDL的L/S大于包含导电触点10p的RDL的L/S(例如导电垫11p的L/S大于导电触点10p的L/S)。在一些实施例中，导电线10w1及本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置封装，其包括：电子组件；第一组导电线，其电连接到所述电子组件；及绝缘层，其环绕所述第一组导电线且暴露所述第一组所述导电线的部分，其中所述绝缘层缺少填料。

【技术特征摘要】
2017.07.10 US 15/645,9751.一种半导体装置封装，其包括：电子组件；第一组导电线，其电连接到所述电子组件；及绝缘层，其环绕所述第一组导电线且暴露所述第一组所述导电线的部分，其中所述绝缘层缺少填料。2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括囊封所述电子组件及所述绝缘层的囊封物。3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述绝缘层上方且包含多个导电垫的第一图案化导电层，其中所述第一图案化导电层的所述导电垫分别电连接到所述第一组导电线的所述暴露部分。4.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述电子组件包括电连接到所述第一组所述导电线的多个导电触点；且所述电子组件的至少两个邻近导电触点之间的间距小于所述第一图案化导电层的至少两个邻近导电垫之间的间距。5.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述绝缘层上且电连接到所述第一组所述导电线的所述暴露部分的第二组导电线。6.根据权利要求5所述的半导体装置封装，其进一步包括覆盖所述电子组件、所述绝缘层及所述第二组导电线的囊封物。7.根据权利要求5所述的半导体装置封装，其中所述第二组导电线中的至少一者的宽度大于所述第一组导电线中的至少一者的宽度。8.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述绝缘层具有邻近于所述电子组件的有源侧的第一表面及邻近于所述电子组件的背侧的第二表面；且所述第一表面的宽度小于所述第二表面的宽度。9.一种半导体装置封装，其包括：电子组件；第一组导电线，其电连接到所述电子组件；绝缘层，其环绕所述第一组导电线且暴露所述第一组所述导电线的部分；及封装体，其囊封所述绝缘层，其中所述第一组导电线通过所述绝缘层而与所述封装体分离。10.根据权利要求9所述的半导体装置封装，其中所述绝缘层缺少填料。11.根据权利要求9所述的半导体装置封装，其进一步包括安置在所述绝缘层上方且包含多个导电垫的第一图案化导电层，其中所述第一图案化导电层的所述导电垫电连接到所述第一组导电线的所述暴露部分。12.根据权利要求11所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员：方仁广，吕文隆，
申请(专利权)人：日月光半导体制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71