用于光信息存储的柔性透明存储器及制备方法技术

本发明专利技术提供了一种用于光信息存储的柔性透明存储器及制备方法，其中，存储器包括：透明上电极层、透明下电极层以及位于二者之间的透明存储层；所述的透明存储层为量子点掺杂TiO2复合薄膜；所述的透明上电极层和透明下电极层为柔性PI基底上喷墨打印纳米金属导电墨水而成。所述的量子点掺杂TiO2复合薄膜丝网印刷于透明下电极层表面，然后与透明上电极层采用PDMS封装。本发明专利技术提供了一种可用于智能包装、柔性可穿戴设备和柔性生物芯片领域的柔性透明存储器，在光作用下，其电阻发生改变，可用作光信息存储器。在柔性基底上采用喷墨打印和丝网印刷技术等方法制作器件，能大幅度降低成本，具有大规模量产的前景。

Flexible transparent memory for optical information storage and its preparation method

The invention provides a flexible transparent memory for optical information storage and a preparation method, in which the memory includes a transparent upper electrode layer, a transparent lower electrode layer and a transparent storage layer between the two; the transparent storage layer is a quantum dot doped titanium dioxide composite film; the transparent upper electrode layer and the transparent lower electrode layer are ink-jet printing nanogold on a flexible PI substrate. It is made of conductive ink. The quantum dot doped titanium dioxide composite film is screen printed on the surface of the transparent lower electrode layer, and then packaged with the transparent upper electrode layer by PDMS. The invention provides a flexible transparent memory which can be used in the fields of intelligent packaging, flexible wearable equipment and flexible biochip. Under the action of light, the resistance of the flexible transparent memory changes and can be used as an optical information memory. Using inkjet printing and screen printing technology to fabricate devices on flexible substrates can greatly reduce costs and have the prospect of large-scale production.

【技术实现步骤摘要】
用于光信息存储的柔性透明存储器及制备方法
本专利技术涉及光信息存储
，尤其涉及一种用于光信息存储的柔性透明存储器及制备方法。
技术介绍
本专利技术对于
技术介绍
的描述属于与本专利技术相关的相关技术，仅仅是用于说明和便于理解本专利技术的内容，不应理解为申请人明确认为或推定申请人认为是本专利技术在首次提出申请的申请日的现有技术。目前，在智能包装、柔性可穿戴设备、柔性生物芯片领域对光信息存储需求日益增大，迫切需要一款柔性、透明且对光有记忆功能的存储器来满足要求。阻变存储器是最具应用前景的下一代非易失性存储器，采用透明TiO2纳米薄膜作为存储介质的存储器具有结构简单、低功耗、与CMOS工艺兼容性好等优点，但TiO2纳米薄膜是一种禁带宽度较宽的半导体材料，在可见光波段吸收小，是透明的，对可见光的利用率低，只有短波长的紫外光照射TiO2纳米薄膜时形成空穴-电子分离，体现为电阻变小。当空穴-电子复合后电阻再次增大。采用量子点掺杂TiO2薄膜作为存储层时，当量子点跟TiO2能带匹配，就会降低电子和空穴的复合率，使存储层薄膜禁带宽度变窄，电子跃迁需要的光子能量小，激发光红移，在可见光作用下也能够发本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于光信息存储的柔性透明存储器，其特征在于，包括透明上电极层、透明下电极层以及位于二者之间的透明存储层；所述的透明存储层为量子点掺杂TiO2复合薄膜；所述的透明上电极层和透明下电极层为柔性PI基底上喷墨打印纳米金属导电墨水而成。

【技术特征摘要】
1.一种用于光信息存储的柔性透明存储器，其特征在于，包括透明上电极层、透明下电极层以及位于二者之间的透明存储层；所述的透明存储层为量子点掺杂TiO2复合薄膜；所述的透明上电极层和透明下电极层为柔性PI基底上喷墨打印纳米金属导电墨水而成。2.根据权利要求1所述的用于光信息存储的柔性透明存储器，其特征在于，所述的柔性基底为5-250μm厚的柔性PI薄膜。3.根据权利要求1所述的用于光信息存储的柔性透明存储器，其特征在于，所述的透明上电极层和透明下电极层为在柔性PI基底上喷墨打印纳米金属导电墨水形成的一系列直径为50-200μm、宽度为5-15μm的互相重叠的环状结构透明电极层。4.根据权利要求1所述的用于光信息存储的柔性透明存储器，其特征在于，所述的量子点掺杂TiO2复合薄膜的厚度为100nm-400nm；所述的量子点掺杂TiO2复合薄膜中量子点质量百分数为0.2％-3％。5.根据权利要求4所述的量子点为硅量子点、锗量子点、硫化镉量子点、硒化镉量子点、碲化镉量子点、硒化锌量子点和氧化锆量子点中的至少一种。6.根据权利要求1所述的用于光信息存储的柔性透明存储器，其特征在于，所述的量子点掺杂TiO2复合薄膜为光生电子-空穴对分离型半导体光电薄膜，量子点掺杂TiO2复合薄膜形成时，量子点跟TiO2的能带匹配，产生的光生电子进入TiO2的导带，同时也使得电子和空穴分离。7.根据权利要求1所述的用于光信息存储的柔性透明...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘儒平，李舟，王晓宇，王慰，李路海，封红青，宋阔，
申请(专利权)人：北京印刷学院，广东心科医疗科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11