【技术实现步骤摘要】
一种带内引焊盘的管壳
本技术涉及半导体功率器件封装领域,具体是一种带内引焊盘的管壳。
技术介绍
垂直双扩散功率MOSFET(VDMOS:VerticalDouble-diffusionMetalOxideSemicondur)器件因其具有功耗低、开关速度快、驱动能力强、负温度系数等优点,而广泛用于应用于电机调速、逆变器、电子开关、汽车电器和电子镇流器等,是功率集成电路及功率集成系统的核心元器件之一。对于功率MOSFET的封装管壳,比较常见的是TO、SMD等塑封、金属和陶瓷管壳。对于大功率芯片,其要求管壳的腔体能容纳对应面积的芯片,并能具备足够大的电流承受能力。较为常规的做法是使用大面积规格的管壳来实现要求:以SMD类(图1)陶瓷管壳为例,常见的规格为SMD-0.5、SMD-1、SMD-2,其腔体面积依次增大,可以容纳更大面积的芯片;其管壳内端区尺寸依次也增大,因而可以键合更多的键合丝,容纳过流更高的MOSFET芯片。然而随着当前整机和芯片设计尺寸进一步缩小的趋势,越来越多的配套应用希望在尽可能小面积的管壳上实现大功率MOSFET芯片的封装。这样一来,传统的小尺寸管壳结构因其管壳内端区尺寸小而不能键合更多键合丝,不能封装小面积大电流MOSFET芯片。增加管壳内端区尺寸是一种可以考虑的方案,但是其会导致管壳的外部电极板尺寸也发生变化,从而无法和通用的尺寸型号配套,适用性很差。因此,现有技术中需要一种新的带内引焊盘的管壳。
技术实现思路
本技术的目的是解决现有技术中存在的问题,提供一种带内引焊盘的管壳。为实现本技术目的而采用的技术方案是这样的,一种带内引焊盘的管壳,其特 ...
【技术保护点】
1.一种带内引焊盘的管壳,其特征在于,包括管壳外框(1)、芯片粘接区(2)、管壳内端区(3)、内引线焊盘(4)、芯片(5)和键合丝(6);所述管壳外框(1)上包括芯片粘接区(2)和管壳内端区(3);所述芯片粘接区(2)上固定芯片(5);所述内引线焊盘(4)从管壳内端区(3)中引出;所述内引线焊盘(4)形成在芯片粘接区(2)和管壳内端区(3)之间;所述内引线焊盘(4)是与管壳外框(1)电性隔离的单独键合区;所述内引线焊盘(4)的面积大于管壳内端区(3)的面积;所述芯片(5)与内引线焊盘(4)之间通过若干根键合丝(6)进行键合。
【技术特征摘要】
1.一种带内引焊盘的管壳,其特征在于,包括管壳外框(1)、芯片粘接区(2)、管壳内端区(3)、内引线焊盘(4)、芯片(5)和键合丝(6);所述管壳外框(1)上包括芯片粘接区(2)和管壳内端区(3);所述芯片粘接区(2)上固定芯片(5);所述内引线焊盘(4)从管壳内端区(3)中引出;所述内引线焊盘(4)形成在芯片粘接区(2)和管壳内端区(3)之间;所述内引线焊盘(4)是与管壳外...
【专利技术属性】
技术研发人员:肖添,王斌,胡镜影,李孝权,杨婵,谢林,
申请(专利权)人:重庆中科渝芯电子有限公司,
类型:新型
国别省市:重庆,50
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。