【技术实现步骤摘要】
一种TrechMOS封装结构
本技术涉及MOS终端
,具体为一种TrechMOS封装结构。
技术介绍
MOSFET金属-氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管。中文名MOS管全称MOSFET简称金氧半场效晶体管,一般是金属—氧化物—半导体场效应晶体管,或者称是金属—绝缘体—半导体。MOS管的源极和耗尽层是可以对调的,他们都是在P型中形成的N型区。在多数情况下,这个两个区是一样的,即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管和NMOS管,属于绝缘栅场效应管。现有的MOS终端通常是一个独立的个体进行使用,而有些场合需要多个MOS终端串联使用,这种情况下需要进行单独定制,提高了成本,若需要的数量不同,则还需要定制多种款式,较为麻烦,使用具有局限性。
技术实现思路
针对现有技术的不足,本技术提供了一种TrechMOS封装结构,解决了MOS终端通常是一个独立的个体进行使用,而有些场合需要多个MOS终端串联使用,这种情况下需要进行单独定制,使用具有局限性的问题。为实现以上目的,本技术通过以下技术方案予以实现:一种TrechMOS封装 ...
【技术保护点】
1.一种Trech MOS封装结构,包括外壳(1)和固定盘(2),其特征在于:所述外壳(1)表面的两侧分别固定连接有第一固定平台(3)和第二固定平台(4),所述第一固定平台(3)和第二固定平台(4)的表面分别固定连接有卡套(5)和插板(6),且卡套(5)的内部开设有与插板(6)相适配的卡槽,所述外壳(1)一侧的底部固定连接有卡条(7),所述固定盘(2)的顶部固定连接有限位套(8),且限位套(8)套设在卡条(7)的外部,所述限位套(8)内表面的顶部开设有弹簧槽(9),所述弹簧槽(9)的内部从上到下依次滑动连接有第一弹簧(10)和钢珠(11),所述钢珠(11)的底部贯穿弹簧槽( ...
【技术特征摘要】
1.一种TrechMOS封装结构,包括外壳(1)和固定盘(2),其特征在于:所述外壳(1)表面的两侧分别固定连接有第一固定平台(3)和第二固定平台(4),所述第一固定平台(3)和第二固定平台(4)的表面分别固定连接有卡套(5)和插板(6),且卡套(5)的内部开设有与插板(6)相适配的卡槽,所述外壳(1)一侧的底部固定连接有卡条(7),所述固定盘(2)的顶部固定连接有限位套(8),且限位套(8)套设在卡条(7)的外部,所述限位套(8)内表面的顶部开设有弹簧槽(9),所述弹簧槽(9)的内部从上到下依次滑动连接有第一弹簧(10)和钢珠(11),所述钢珠(11)的底部贯穿弹簧槽(9)并延伸至卡条(7)的顶部,且卡条(7)的顶部开设有与钢珠(11)相适配的定位凹槽(12)。2.根据权利要求1所述的一种TrechMOS封装结构,其特征在于:所述外壳(1)的顶部卡接有顶盖(13),所述外壳(1)的内部滑动连接有内芯(14)...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈利,陈译,陈剑,姜帆,张军亮,
申请(专利权)人:厦门芯一代集成电路有限公司,
类型:新型
国别省市:福建,35
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