【技术实现步骤摘要】
一种大规模无定形硅颗粒的制备方法
本专利技术涉及本专利技术涉及半导体特殊结构制备领域，尤其涉及一种无定形硅颗粒的制备方法。
技术介绍
硅纳米结构材料，在当前的半导体工业仍然扮演着重要的角色，并且在很多领域有着很好的应用，例如光子学、纳米电子机械系统、能量转化与储存、医疗。晶体硅纳米结构的研究十分广泛，如纳米棒、纳米线，纳米带及纳米锥等。然而晶体纳米阵列结构中，由于其自身具有各向异性及特定的周期性，在某些特定的领域如光子晶体、催化及光学等具有较大的局限性。无定形硅纳米结构相比于结晶形的硅材料有着更多优点：发光效率更高；带隙更大，可作为短波段荧光；无定形的结构无序，带有结构缺陷或者悬挂键，活性高，因而比结晶形硅有着更好的应用。近年来，无定形硅纳米结构的研究逐渐引起了研究者的兴趣，其广泛应用于电子和光电子器件，比如太阳能电池、锂电池、光致发光、场效应晶体管。根据无定形硅结构的独特性能，使用简单的方法对其进行控制制备。多孔硅膜无定形化法、单晶硅片表面离子轰击和激光辐射法，仅制备出无定形硅层或硅膜，难以制备无定形纳米结构。化学气相沉积法则利用不同的硅源气体（Si2H6，Si...
【技术保护点】
1.一种大规模无定形硅颗粒的制备方法，其特征在于，所述无定形硅颗粒生长在单晶碳化硅表面，所述制备方法包括如下步骤：S100：对单晶碳化硅片进行加热处理；所述加热处理在密封环境中进行，并且所述密封环境中充满混合气体；所述混合气体为氢气和氮气或氢气和惰性气体的混合物；所述加热处理的过程中维持所述密封环境的压力为1 kPa ‑ 2 atm；S200：当所述密封环境的温度升温至500 ℃ ‑ 2000 ℃后，进行保温处理；所述保温处理的时间为1 s ‑ 100 h；S300：保温结束后，进行降温处理；降至室温后即可得到生长在单晶碳化硅表面的大规模无定形硅颗粒。
【技术特征摘要】
1.一种大规模无定形硅颗粒的制备方法，其特征在于，所述无定形硅颗粒生长在单晶碳化硅表面，所述制备方法包括如下步骤：S100：对单晶碳化硅片进行加热处理；所述加热处理在密封环境中进行，并且所述密封环境中充满混合气体；所述混合气体为氢气和氮气或氢气和惰性气体的混合物；所述加热处理的过程中维持所述密封环境的压力为1kPa-2atm；S200：当所述密封环境的温度升温至500℃-2000℃后，进行保温处理；所述保温处理的时间为1s-100h；S300：保温结束后，进行降温处理；降至室温后即可得到生长在单晶碳化硅表面的大规模无定形硅颗粒。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述混合气体中氢气与其他气体的体积比为2~10:98~90。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在加热处理的过程中持续通入所述混合气体。4.根据权...
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