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本发明提供了一种大规模无定形硅颗粒的制备方法，所述无定形硅颗粒生长在单晶碳化硅表面，所述制备方法包括如下步骤：S100：对单晶碳化硅片进行加热处理；S200：当所述密封环境的温度升温至500℃‑2000℃后，进行保温处理；所述保温处理的时间...
该专利属于四川大学所有，仅供学习研究参考，未经过四川大学授权不得商用。

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