一种n型太阳能电池制备方法及n型太阳能电池技术

本发明专利技术公开了一种n型太阳能电池制备方法，可以先在n型衬底层的第一表面设置一个厚度较薄的p型掺杂层，在该p型掺杂层表面可以较为容易的设置轻掺杂区与重掺杂区交替排列的选择性发射极；之后再通过氧化p型掺杂层可以在p型掺杂层表面形成一氧化层，该氧化层可以将制作完成的选择性发射极隔离并保护，同时该氧化层可以降低选择性发射极的复合电流密度；最终再设置n型掺杂层，并最终制备而成n型太阳能电池，从而可以制备出p型掺杂层中具有选择性发射极的n型太阳能电池。本发明专利技术还提供了一种n型太阳能电池，同样具有上述有益效果。

Preparation method of n-type solar cell and n-type solar cell

The invention discloses a preparation method of n-type solar cells. A thinner p-type doping layer can be set on the first surface of the n-type substrate layer, and selective emitters arranged alternately between light doping region and heavy doping region can be easily set on the surface of the p-type doping layer; then an oxide layer can be formed on the surface of the p-type doping layer by oxidizing the p-type doping layer. The layer can isolate and protect the selective emitter. At the same time, the oxide layer can reduce the composite current density of the selective emitter. Finally, the n-type doping layer is set up, and the n-type solar cell is finally prepared, so that the n-type solar cell with selective emitter in the p-type doping layer can be prepared. The invention also provides an n-type solar cell, which has the same beneficial effect.

【技术实现步骤摘要】
一种n型太阳能电池制备方法及n型太阳能电池
本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种n型太阳能电池制备方法及一种n型太阳能电池。
技术介绍
随着太阳能行业的不断发展，n型太阳能电池因具有较高的光电转化效率，较低的光致衰减，良好的稳定性和双面发电等特性而备受关注。为了进一步提升电池的光电转化效率，降低生产成本，越来越多的公司开始采用选择性发射极技术。所谓选择性发射极，是在栅线与硅片接触的部位进行重掺杂，在栅线之间位置进行轻掺杂所构成的发射极。选择性发射极可降低掺杂层复合，由此可提高光线的短波响应，同时减少栅线与硅片的接触电阻，使得短路电流、开路电压和填充因子都得到较好的改善，从而提高转换效率。但是在现有技术中，通常仅仅只能在n型掺杂层表面制作选择性发射极，而无法在p型掺杂层表面制作出符合要求的选择性发射极。所以如何在p型掺杂层表面制作出选择性发射极是本领域技术人员急需解决的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种n型太阳能电池制备方法，可以在p型掺杂层表面制作出选择性发射极；本专利技术的另一目的在于提供一种n型太阳能电池，在p型掺杂层表面制作有选择性发射极。为解决上述技术问本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种n型太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：在n型衬底层的第一表面设置p型掺杂层；在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极；对设置有所述选择性发射极的所述p型掺杂层进行氧化，以在所述p型掺杂层表面设置一覆盖所述选择性发射极的氧化层；在设置完所述氧化层后，在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层；在所述氧化层表面设置与所述选择性发射极相对位，且与所述选择性发射极电连接的第一栅线，并在所述n型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。

【技术特征摘要】
1.一种n型太阳能电池制备方法，其特征在于，所述方法包括：在n型衬底层的第一表面设置p型掺杂层；在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极；对设置有所述选择性发射极的所述p型掺杂层进行氧化，以在所述p型掺杂层表面设置一覆盖所述选择性发射极的氧化层；在设置完所述氧化层后，在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层；在所述氧化层表面设置与所述选择性发射极相对位，且与所述选择性发射极电连接的第一栅线，并在所述n型掺杂层表面设置第二栅线，以制成所述n型太阳能电池。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述p型掺杂层表面设置选择性发射极包括：在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层；通过刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域，以制成所述选择性发射极；在制成所述选择性发射极之后，去除所述保护层。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述通过刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域包括：通过HF/HNO3混酸刻蚀液刻蚀所述p型掺杂层表面的非预设栅线区域。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布保护层包括：在所述p型掺杂层表面的预设栅线区域涂布有机蜡保护层；所述去除所述保护层包括：去除所述有机蜡保护层。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在所述p型衬底层与所述第一表面相对的第二表面设置n型掺杂层包括：刻蚀并暴露所述n型衬底层的所述第二表面；在所述n型衬底层的所述第二表面进行磷扩散，以形成所述n型掺杂层。6.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：徐冠群，包健，张昕宇，金浩，
申请(专利权)人：浙江晶科能源有限公司，晶科能源有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33