一种光敏电容及其制作方法技术

本发明专利技术提供了一种光敏电容及其制作方法。光敏电容包括：衬底、注入层、氧化隔离层、第一电容和第二电容；在衬底的一侧设置注入层并在注入层上覆盖氧化隔离层；第一电容的一个极板设置在氧化隔离层上，且通过氧化隔离层与注入层电连接；第二电容的一个极板设置在氧化隔离层上；第一电容的两个极板之间填充的电介质与第二电容的两个极板之间填充的电介质相同。本发明专利技术提供的光敏电容具有高阻抗、小功率和动态响应快的优点，并且结构简单，性能可靠，稳定性好，可长时间在恶劣环境中应用；采用半导体工艺和金属薄膜工艺，降低光敏电容尺寸小，易于实现批量生产，成本低，还能提高测量的准确性。

A Photosensitive Capacitor and Its Fabrication Method

The invention provides a photosensitive capacitor and a manufacturing method thereof. Photosensitive capacitors include: substrate, injection layer, oxide isolation layer, first capacitor and second capacitor; injection layer is arranged on one side of the substrate and oxide isolation layer is covered on the injection layer; one plate of the first capacitor is arranged on the oxide isolation layer and is electrically connected with the injection layer through the oxide isolation layer; one plate of the second capacitor is arranged on the oxide isolation layer; two plates of the first capacitor are arranged on the oxide isolation layer. The dielectrics filled between the plates are the same as those filled between the plates of the second capacitor. The photosensitive capacitor provided by the invention has the advantages of high impedance, low power and fast dynamic response, simple structure, reliable performance, good stability, and can be used in harsh environment for a long time; adopting semiconductor technology and metal film technology, the size of the photosensitive capacitor is reduced, the batch production is easy to be realized, the cost is low, and the accuracy of measurement is improved.

【技术实现步骤摘要】
一种光敏电容及其制作方法
本专利技术涉及电容器
，具体涉及一种光敏电容及其制作方法。
技术介绍
利用电容器的原理，将自然界的非电量信号转化为电量，可以制成电容式的传感器。目前，电容式传感器根据测量原理主要分为变间隙型、变面积型、变介电常数型和组合式的差动电容型等；电容式传感器主要应用在力学和湿度测量等方向，如位移、压力、加速度、流量、湿度、角速度等方面。电容式传感器频响宽、应用广，而且可以实现非接触测量，这些优势，还没有在光学测量中发挥出来，由于所采用测量原理的限制在光探测方面还没有开发出可广泛应用的光敏电容以及基于光敏电容的电容式传感器。
技术实现思路
针对现有技术中的缺陷，本专利技术提供一种光敏电容及其制作方法，具有低功耗、高频响、结构简单和性能稳定可靠的优点。为实现上述目的，本专利技术提供以下技术方案：一方面，本专利技术提供了一种光敏电容，包括：衬底、注入层、氧化隔离层、第一电容和第二电容；在衬底的一侧设置注入层并在注入层上覆盖氧化隔离层；第一电容的一个极板设置在氧化隔离层上，且通过氧化隔离层与注入层电连接；第二电容的一个极板设置在氧化隔离层上；第一电容的两个极板之间填充的电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光敏电容，其特征在于，包括：衬底、注入层、氧化隔离层、第一电容和第二电容；在衬底的一侧设置注入层并在注入层上覆盖氧化隔离层；第一电容的一个极板设置在氧化隔离层上，且通过氧化隔离层与注入层电连接；第二电容的一个极板设置在氧化隔离层上；第一电容的两个极板之间填充的电介质与第二电容的两个极板之间填充的电介质相同。

【技术特征摘要】
1.一种光敏电容，其特征在于，包括：衬底、注入层、氧化隔离层、第一电容和第二电容；在衬底的一侧设置注入层并在注入层上覆盖氧化隔离层；第一电容的一个极板设置在氧化隔离层上，且通过氧化隔离层与注入层电连接；第二电容的一个极板设置在氧化隔离层上；第一电容的两个极板之间填充的电介质与第二电容的两个极板之间填充的电介质相同。2.根据权利要求1所述的光敏电容，其特征在于，还包括：管壳；所述管壳上设有引脚，所述引脚通过引线与第一电容或第二电容的极板电连接。3.根据权利要求2所述的光敏电容，其特征在于，所述引脚有4个，4个引脚通过引线分别与第一电容的两个极板以及第二电容的两个极板电连接。4.根据权利要求1所述的光敏电容，其特征在于，所述衬底为N型单晶硅。5.根据权利要求4所述的光敏电容，其特征在于，在N型单晶硅的一侧注入硼离子形成注入层。6.根据权利要求1所述的光敏电容，其特征在于，所述第一电容与所述第二电容的规格尺寸相同。7.一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：潘志强，金健飞，
申请(专利权)人：北京天创金农科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11