太阳能电池的制造方法及太阳能电池技术

本发明专利技术涉及太阳能电池制造方法及太阳能电池，该太阳能电池制造方法包括以下步骤：在所述N型单晶硅片的上下表面形成多个平行排列的对应的第一条形沟槽和第二条形沟槽，多个所述第一条形沟槽与多个所述第二条形沟槽在垂直方向上均不重叠，所述第一条形沟槽与相应的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为30‑50微米；接着在所述N型单晶硅片的上表面以及所述第一条形沟槽的底部形成硅纳米线阵列；接着形成P型硼扩散层、P型重掺杂硼扩散区以及N型重掺杂磷扩散区；接着在所述N型单晶硅片的上下表面分别形成钝化层和电极。

Manufacturing Method and Solar Cell

The invention relates to a solar cell manufacturing method and a solar cell. The solar cell manufacturing method comprises the following steps: a plurality of parallel arranged corresponding first and second grooves are formed on the upper and lower surfaces of the N-type single crystal silicon wafer; a plurality of first grooves and a plurality of second grooves do not overlap in the vertical direction; and the first groove is the first one. The thickness of the monocrystalline silicon layer between the groove and the corresponding second strip groove is 30 to 50 microns; then a silicon nanowire array is formed on the upper surface of the N-type monocrystalline silicon wafer and at the bottom of the first strip groove; then a P-type boron diffusion layer, a P-type heavily doped boron diffusion zone and a N-type heavily doped phosphorus diffusion zone are formed; then passivation is formed on the upper and lower surfaces of the N-type monocrystalline silicon wafer, respectively Layer and electrode.

【技术实现步骤摘要】
太阳能电池的制造方法及太阳能电池
本专利技术涉及太阳能电池
，特别是涉及一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池。
技术介绍
自从第一块太阳能电池在贝尔实验室诞生以来，硅太阳能电池得到了广泛的研究发展以及实际应用，特别是晶体硅太阳能电池，随着科学技术的不断发展，晶体硅太阳能电池的光电转换效率不断提升，生产成本也在持续下降。目前，晶体硅太阳能电池占太阳能电池全球市场总额的百分之八十以上，晶体硅太阳能电池片的产线光电转换效率目前也已突破20％，与传统火力发电的成本差也在不断缩小，在未来几年有望与火力发电的成本持平。晶体硅太阳能电池作为一种清洁无污染能源在改变能源结构、减少环境污染、实现可持续发展等方面的重要作用日益显现。按基材的掺杂类型不同，可以将晶体硅太阳能电池分为N型晶体硅太阳能和P型晶体硅太阳能电池，如何改变晶体硅太阳能电池的结构，以进一步提高其光电转换效率，这是业界广泛关注的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的是克服上述现有技术的不足，提供一种太阳能电池的制造方法及太阳能电池。为实现上述目的，本专利技术采用的技术方案是：一种太阳能电池的制造方法，包括以下步骤：1)提供一N型单晶硅本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一N型单晶硅片，在所述N型单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一条形沟槽，在所述N型单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二条形沟槽，所述第一条形沟槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.55‑0.7，所述第二条形沟槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.55‑0.7，多个所述第一条形沟槽与多个所述第二条形沟槽在垂直方向上均不重叠，所述第一条形沟槽与相应的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为30‑50微米；2)接着对所述N型单晶硅片进行湿法刻蚀处理，以在所述N型单晶硅片的上表面以及所述第一条形沟槽的底部形成硅纳米线阵列；3)...

【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池的制造方法，其特征在于：包括以下步骤：1)提供一N型单晶硅片，在所述N型单晶硅片的上表面形成多个平行排列的第一条形沟槽，在所述N型单晶硅片的下表面形成多个平行排列的第二条形沟槽，所述第一条形沟槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.55-0.7，所述第二条形沟槽的深度与所述N型单晶硅片的厚度的比值为0.55-0.7，多个所述第一条形沟槽与多个所述第二条形沟槽在垂直方向上均不重叠，所述第一条形沟槽与相应的所述第二条形沟槽之间单晶硅层的厚度为30-50微米；2)接着对所述N型单晶硅片进行湿法刻蚀处理，以在所述N型单晶硅片的上表面以及所述第一条形沟槽的底部形成硅纳米线阵列；3)接着对所述N型单晶硅片的上表面进行第一次硼扩散工艺，以在所述N型单晶硅片的上表面、所述第一条形沟槽的侧壁以及所述第一条形沟槽的底部上形成一P型硼扩散层，接着利用掩膜对所述N型单晶硅片的上表面进行第二次硼扩散工艺，以在所述N型单晶硅片上形成多个间隔设置的P型重掺杂硼扩散区；4)接着利用掩膜对所述N型单晶硅片的下表面进行第一次磷扩散工艺，以在所述N型单晶硅片的下表面形成多个间隔设置的N型重掺杂磷扩散区；5)接着在所述N型单晶硅片的上表面形成第一钝化层，并在所述N型单晶硅片的下表面形成第二钝化层；6)接着在所述N型单晶硅片的上表面形成正面电极，并在所述N型单晶硅片的下表面形成背面电极。2.根据权利要求1所述的太阳能电池的制造方法，其特征在于：在所述步骤(1)中，所述N型单晶硅...

【专利技术属性】
技术研发人员：管先炳，
申请(专利权)人：苏州钱正科技咨询有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32