The invention discloses a method for making solar cells based on N-type silicon wafers, which includes the following steps: step 1, making and cleaning N-type silicon wafers, in which potassium hydroxide 1 3%, additive 0.5 2%, temperature 65 95 C, time 500 600 seconds, and then cleaning with 0.5 1.5% hydrofluoric acid solution for 150 200 seconds; step 2, using phosphorus trichloride for making. The N-type silicon wafer is diffused at 820 890 C for 1700 2000 seconds, and 1 3% hydrofluoric acid solution is used to remove the phosphorus-silica glass on the back. The manufacturing method of the solar cell based on N-type silicon wafer does not need boron expansion treatment, and greatly reduces the production cost.
【技术实现步骤摘要】
一种基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法
：本专利技术涉及太阳能领域，具体讲是一种基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法。
技术介绍
：目前N型的硅片，制备时需要进行扩硼，才能制作成太阳能电池，进行发电。扩硼因其成本比较高，所以N型电池片在成本上不占优势，生产N型电池片的厂家非常少。
技术实现思路
：本专利技术所要解决的技术问题是，提供一种无需扩硼处理，大幅降低生产成本的基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法。本专利技术的技术解决方案是，提供一种基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法，包括以下步骤，步骤1，将N型硅片进行制绒与清洗，其中氢氧化钾1-3％，添加剂0.5-2％，温度65-95℃，时间500-600秒，之后用0.5-1.5％氢氟酸溶液进行清洗，时间为150-200秒；步骤2，使用三氯氧磷对制绒后的N型硅片进行扩散，温度在820-890℃，时间为1700-2000秒；1-3％的氢氟酸溶液，去除背面的磷硅玻璃；步骤4，将背面去除磷硅玻璃的N型硅片置于抛光液中进行背面抛光8-18分钟，其中抛光液为质量百分比1-5％的四甲基氢氧化铵溶液，温度50-70℃，减重要求在0.2...
【技术保护点】
1.一种基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤1，将N型硅片进行制绒与清洗，其中氢氧化钾1‑3％，添加剂0.5‑2％，温度65‑95℃，时间500‑600秒，之后用0.5‑1.5％氢氟酸溶液进行清洗，时间为150‑200秒；步骤2，使用三氯氧磷对制绒后的N型硅片进行扩散，温度在820‑890℃，时间为1700‑2000秒；1‑3％的氢氟酸溶液，去除背面的磷硅玻璃；步骤4，将背面去除磷硅玻璃的N型硅片置于抛光液中进行背面抛光8‑18分钟，其中抛光液为质量百分比1‑5％的四甲基氢氧化铵溶液，温度50‑70℃，减重要求在0.2g以上；步骤5，抛光后的...
【技术特征摘要】
1.一种基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤1，将N型硅片进行制绒与清洗，其中氢氧化钾1-3％，添加剂0.5-2％，温度65-95℃，时间500-600秒，之后用0.5-1.5％氢氟酸溶液进行清洗，时间为150-200秒；步骤2，使用三氯氧磷对制绒后的N型硅片进行扩散，温度在820-890℃，时间为1700-2000秒；1-3％的氢氟酸溶液，去除背面的磷硅玻璃；步骤4，将背面去除磷硅玻璃的N型硅片置于抛光液中进行背面抛光8-18分钟，其中抛光液为质量百分比1-5％的四甲基氢氧化铵溶液，温度50-70℃，减重要求在0.2g以上；步骤5，抛光后的N型硅片，在正面镀上70-90nm的氮化硅减反射膜；步骤6，镀膜后的N型硅片，背面印刷背电极，铝浆，正面印刷银浆，烧结；步骤7，对烧结后的电池片进行效率测试与分选。2.根据权利要求1所述的基于N型硅片的太阳能电池片的制作方法，其...
【专利技术属性】
技术研发人员：孙波远，
申请(专利权)人：百力达太阳能股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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