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本发明公开了一种n型太阳能电池制备方法，可以先在n型衬底层的第一表面设置一个厚度较薄的p型掺杂层，在该p型掺杂层表面可以较为容易的设置轻掺杂区与重掺杂区交替排列的选择性发射极；之后再通过氧化p型掺杂层可以在p型掺杂层表面形成一氧化层，该氧化...
该专利属于浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司授权不得商用。

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