一种基于结终端的RC-IGBT器件制造技术

本发明专利技术公开了一种基于结终端的RC‑IGBT器件，基于传统的RC‑IGBT器件结构，在结终端区设置了结终端扩展区(5)，并在结终端扩展区设置了N+型集电区(7)，用互联线将底部P型集电极与结终端区的N型集电极连接起来，在器件刚开始正向导通时，由于N+型集电区(7)与结终端扩展区(5)构成的PN结反偏，从而使器件直接工作在IGBT模式，不工作在MOSFET模式，因而在导通过程中不会出现Snapback现象；在续流二极管模式下，P型基区(4)、P型结终端扩展区(5)和N+型集电区(7)构成PN二极管，当压降超过PN二极管的开启电压后器件导通，可以传导电流。因此，本发明专利技术提供的基于结终端的RC‑IGBT，完全消除了传统RC‑IGBT正向导通过程中的Snapback现象。

A RC-IGBT Device Based on Junction Terminals

The invention discloses a RC IGBT device based on junction terminal. Based on the traditional RC IGBT device structure, the junction terminal expansion area (5) is set in the junction terminal area, and the N+type collector area (7) is set in the junction terminal expansion area. The bottom P-type collector is connected with the N-type collector in the junction terminal area by an interconnection line. At the beginning of the positive wiring of the device, the N+type collector area (7) and the junction end are due to the N+type collector area (7) and the junction area. The reverse bias of PN junction formed by end-expansion region (5) makes the device work directly in IGBT mode and not in MOSFET mode, so there is no Snapback phenomenon in the conduction process. In the continuous-current diode mode, P-type base region (4), P-type junction terminal expansion region (5) and N+type collector region (7) constitute PN diodes, which can conduct current when the voltage drop exceeds the starting voltage of PN diodes. \u3002 Therefore, the RC IGBT based on the junction terminal provided by the invention completely eliminates the Snapback phenomenon in the forward guide of the traditional RC IGBT.

【技术实现步骤摘要】
一种基于结终端的RC-IGBT器件
本专利技术属于半导体功率器件领域，涉及绝缘栅双极型晶体管，具体是涉及一种基于结终端的RC-IGBT器件。
技术介绍
IGBT(InsulateGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管)既有MOSFET的输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关速度高的优点，又具有双极型功率晶体管的电流密度大、饱和压降低、电流处理能力强的优点，所以被广泛应用于电磁炉、UPS不间断电源、汽车电子点火器、三相电动机变频器、电焊机开关电源等产品中作为功率开关管或功率输出管，市场前景非常广阔。IGBT产品是电力电子领域非常理想的开关器件，它集合了高频、高压、大电流三大技术优势，同时又能够实现节能减排，具有很好的环境保护效益。但是IGBT只是一个单向导通器件，在应用的时候需要一个反并联的二极管来承受反向电压，这就增加了IGBT的制造成本，以及带来封装，焊接等难题。为解决该难题，能够反向导通的IGBT称为RC-IGBT(reverse-conductinginsulated-gatebipolartransistor，反向导通绝缘栅双极型晶体管)逐渐开始被本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基于结终端的RC‑IGBT器件，其特征在于：包括P+型集电区(9)、N‑漂移区(11)和位于P+型集电区(9)和N‑漂移区(11)之间的N型缓冲区(8)；所述P+型集电区(9)、N‑漂移区(11)和N型缓冲区(8)同时处于器件有源区和器件终端区中；所述器件有源区还包括位于N‑型漂移区(11)表面的发射极结构和栅极结构；所述器件终端区还包括位于N‑漂移区表面的P型扩展区(5)以及位于P型扩展区中的N+型集电区(7)，所述P型扩展区(5)包括P型扩展区a、P型扩展区b、P型扩展区c和P型扩展区d；所述N+型集电区(7)位于P型扩展区d中；所述N+型集电区(7)的金属电极(6)位于N+型集电...

【技术特征摘要】
1.一种基于结终端的RC-IGBT器件，其特征在于：包括P+型集电区(9)、N-漂移区(11)和位于P+型集电区(9)和N-漂移区(11)之间的N型缓冲区(8)；所述P+型集电区(9)、N-漂移区(11)和N型缓冲区(8)同时处于器件有源区和器件终端区中；所述器件有源区还包括位于N-型漂移区(11)表面的发射极结构和栅极结构；所述器件终端区还包括位于N-漂移区表面的P型扩展区(5)以及位于P型扩展区中的N+型集电区(7)，所述P型扩展区(5)包括P型扩展区a、P型扩展区b、P型扩展区c和P型扩展区d；所述N+型集电区(7)位于P型扩展区d中；所述N+型集电区(7)的金属电极(6)位...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄海猛，刘远成，胡浩，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川,51