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本发明公开了一种基于结终端的RC‑IGBT器件，基于传统的RC‑IGBT器件结构，在结终端区设置了结终端扩展区(5)，并在结终端扩展区设置了N+型集电区(7)，用互联线将底部P型集电极与结终端区的N型集电极连接起来，在器件刚开始正向导通时，...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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