一种阵列基板及其制备方法技术

本发明专利技术提供了一种阵列基板及其制备方法，涉及显示技术领域。其中，所述阵列基板包括基底；形成在所述基底上的电子器件及位于相邻电子器件之间的第一复合层；其中，所述第一复合层至少包括有机平坦层。在本发明专利技术实施例中，可以通过柔性较高的有机平坦层，替代相邻电子器件之间的原本形成的部分或全部无机膜层，从而可以释放阵列基板的部分应力，避免电子器件因弯折而损伤，提高了整个显示面板的柔性。

An Array Substrate and Its Preparation Method

The invention provides an array substrate and a preparation method thereof, which relates to the field of display technology. The array substrate comprises a substrate, an electronic device formed on the substrate and a first composite layer between adjacent electronic devices, wherein the first composite layer comprises at least an organic flat layer. In the embodiment of the present invention, some or all inorganic film layers formed between adjacent electronic devices can be replaced by an organic flat layer with higher flexibility, thereby releasing the partial stress of the array substrate, avoiding the damage of electronic devices due to bending, and improving the flexibility of the entire display panel.

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种阵列基板及其制备方法。
技术介绍
有机电致发光显示面板(OrganicElectroluminesecentDisplay，OLED)凭借其低功耗、高色饱和度、广视角、薄厚度、能实现柔性化等优异性能，逐渐成为显示领域的主流，可以广泛应用于智能手机、平板电脑、电视等终端产品。其中，柔性OLED面板又因其柔性高、能够满足各种特殊结构，而逐渐成为OLED面板中的主流。目前的柔性OLED面板中通常包括多层柔性较高的有机膜层，以及多层无机膜层，而无机膜层通常很致密，因此增大了柔性OLED面板中的膜层应力，从而使得柔性OLED面板的弯折性不佳，也容易在弯折时造成膜层的破裂和剥离，如此，难以满足OLED面板的柔性需求。
技术实现思路
本专利技术提供一种阵列基板及其制备方法、以及显示面板，以解决现有柔性OLED面板中的无机膜层增大了膜层应力，从而难以满足OLED面板柔性需求的问题。为了解决上述问题，本专利技术公开了一种阵列基板，包括：基底；形成在所述基底上的电子器件及位于相邻电子器件之间的第一复合层；其中，所述第一复合层至少包括有机平坦层。可选地，所述电子器件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：形成在所述基底上的无机隔离缓冲层；形成在所述无机隔离缓冲层上的有源层；形成在所述有源层上的第一无机栅绝缘层；形成在所述第一无机栅绝缘层上的栅极；形成在所述栅极上的复合无机膜层；同层形成在所述复合无机膜层上的源极和漏极；其中，复合无机膜层在所述源极和所述漏极之间具有间隙，所述间隙中填充有所述有机平坦层。可选地，所述间隙的深度小于或等于所述复合无机膜层的厚度。可选地，所述复合无机膜层包括第二无机栅绝缘层和层间无机绝缘层，所述第二无机栅绝缘层靠近所述栅极设置。可选地，所述第一复合层还包括层叠设置的所述无机隔离缓冲层、所述第一无机栅绝缘层和所述第二无机栅绝缘层，所述无机隔离缓冲层靠近所述基底设置，所述有机平坦层靠近所述第二无机栅绝缘层设置。可选地，所述有机平坦层的厚度大于或等于0.5微米，且小于或等于4微米。可选地，所述有机平坦层上还形成有附加走线。为了解决上述问题，本专利技术还公开了一种阵列基板的制备方法，包括：提供基底；在所述基底上形成电子器件及电子器件之间的无机复合层；去除至少部分无机复合层，形成第一复合层；形成有机平坦层，所述有机平坦层覆盖所述电子器件及所述第一复合层。可选地，所述电子器件包括薄膜晶体管，所述在所述基底上形成电子器件及电子器件之间的无机复合层，包括：在所述基底上形成无机隔离缓冲层；在所述无机隔离缓冲层上形成有源层；形成第一无机栅绝缘层；在所述第一无机栅绝缘层上形成栅极；形成复合无机膜层；在所述复合无机膜层上同层形成源极和漏极；以源漏极图案为掩模图案，对所述源极和所述漏极之间的复合无机膜层进行刻蚀，形成间隙；所述形成有机平坦层，包括：在所述间隙中填充形成有机平坦层。可选地，所述形成有机平坦层之后，还包括：在所述有机平坦层上形成附加走线。与现有技术相比，本专利技术包括以下优点：在本专利技术实施例中，阵列基板可以包括基底、形成在基底上的电子器件及位于相邻电子器件之间的第一复合层，其中，第一复合层至少包括有机平坦层。在本专利技术实施例中，可以通过柔性较高的有机平坦层，替代相邻电子器件之间的原本形成的部分或全部无机膜层，从而可以释放阵列基板的部分应力，避免电子器件因弯折而损伤，提高了整个显示面板的柔性。附图说明图1示出了本专利技术实施例一的一种阵列基板的截面图；图2示出了本专利技术实施例一的另一种阵列基板的截面图；图3示出了本专利技术实施例二的一种阵列基板的制备方法的流程图；图4示出了本专利技术实施例二的一种形成层间无机绝缘层后的阵列基板的截面图；图5示出了本专利技术实施例二的一种去除至少部分无机复合层后的阵列基板的截面图。附图标记说明：10-基底，20-第一复合层，30-有机平坦层，01-无机隔离缓冲层，02-有源层，03-第一无机栅绝缘层，04-栅极，05-第一极板，06-复合无机膜层，061-第二无机栅绝缘层，062-层间无机绝缘层，07-源极，08-漏极，09-第二极板，010-附加走线。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一图1示出了本专利技术实施例一的一种阵列基板的截面示意图。参照图1，该阵列基板包括基底10，以及形成在基底10上的电子器件及位于相邻电子器件之间的第一复合层20，其中，第一复合层20至少包括有机平坦层30，也即是可以通过柔性较高的有机平坦层30，替代相邻电子器件之间的原本形成的部分或全部无机膜层，从而可以释放阵列基板的部分应力，进而提高整个显示面板的柔性，能够避免电子器件因弯折而损伤。在阵列基板的实际制备过程中，在相邻电子器件之间的无机膜层形成之后，可以去除部分或全部无机膜层，从而形成膜层间隙，然后可以利用有机平坦层30对该膜层间隙进行填充，从而形成第一复合层20。参照图1，电子器件可以包括薄膜晶体管，其中，薄膜晶体管可以包括形成在基底10上的无机隔离缓冲层01、形成在无机隔离缓冲层01上的有源层02、形成在有源层02上的第一无机栅绝缘层03、形成在第一无机栅绝缘层03上的栅极04、形成在栅极04上的复合无机膜层06、同层形成在复合无机膜层06上的源极07和漏极08。其中，无机隔离缓冲层01可以包括具有隔离缓冲作用的单层膜层或多层膜层，本专利技术实施例对此不作具体限定。另外，复合无机膜层06在源极07和漏极08之间具有间隙，该间隙中填充有有机平坦层30，其中，该间隙的深度可以小于或等于复合无机膜层06的厚度，也即是可以通过柔性较高的有机平坦层30，替代源极07和漏极08之间原本形成的部分或全部无机膜层，从而可以释放阵列基板的部分应力，进而提高整个显示面板的柔性。在实际应用中，复合无机膜层06具体可以包括第二无机栅绝缘层061和层间无机绝缘层062，其中，第二无机栅绝缘层061靠近栅极04设置，也即源漏极08间隙下方的膜层除有源层02和栅极04之外，只保留有无机隔离缓冲层01、第一无机栅绝缘层03和第二无机栅绝缘层061。在阵列基板的实际制备过程中，相邻电子器件之间去除部分或全部无机膜层之后形成的膜层间隙，可以通过刻蚀工艺与复合无机膜层06上的间隙同时形成，从而可以减少刻蚀次数，提高阵列基板的制备效。因此，对应于同时形成相邻电子器件之间的膜层间隙和源漏极08之间的间隙的制备方式，膜层间隙下方保留的无机膜层与源漏极08间隙下方保留的无机膜层相同。也即位于相邻电子器件之间的第一复合层20，还可以包括层叠设置的无机隔离缓冲层01、第一无机栅绝缘层03和第二无机栅绝缘层061，其中，无机隔离缓冲层01靠近基底10设置，有机平坦层30靠近第二无机栅绝缘层061设置。进一步地，电子器件还可以包括存储电容，该存储电容与薄膜晶体管位于阵列基板的不同区域，可以用于保持像素的显示状态。其中，存储电容具体可以包括形成在第一无机栅绝缘层03上的第一极板05、形成在第一极板05上的第二无机绝缘层，以及形成在第二无机绝缘层上，且与第一极板05位置相对的第二极板09，其中，第一极板05可以与薄膜晶体管的栅极04同层形成本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底；形成在所述基底上的电子器件及位于相邻电子器件之间的第一复合层；其中，所述第一复合层至少包括有机平坦层。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：基底；形成在所述基底上的电子器件及位于相邻电子器件之间的第一复合层；其中，所述第一复合层至少包括有机平坦层。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述电子器件包括薄膜晶体管，所述薄膜晶体管包括：形成在所述基底上的无机隔离缓冲层；形成在所述无机隔离缓冲层上的有源层；形成在所述有源层上的第一无机栅绝缘层；形成在所述第一无机栅绝缘层上的栅极；形成在所述栅极上的复合无机膜层；同层形成在所述复合无机膜层上的源极和漏极；其中，复合无机膜层在所述源极和所述漏极之间具有间隙，所述间隙中填充有所述有机平坦层。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述间隙的深度小于或等于所述复合无机膜层的厚度。4.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述复合无机膜层包括第二无机栅绝缘层和层间无机绝缘层，所述第二无机栅绝缘层靠近所述栅极设置。5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第一复合层还包括层叠设置的所述无机隔离缓冲层、所述第一无机栅绝缘层和所述第二无机栅绝缘层，所述无机隔离缓冲层靠近所述基底设置，所述有机平坦层靠近所述第二无机栅绝缘层...

【专利技术属性】
技术研发人员：田宏伟，牛亚男，李栋，王纯阳，刘政，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11