【技术实现步骤摘要】
小型化Lange型数控单片集成移相器
本技术涉及半导体MMIC
，更具体的说，它涉及小型化Lange型数控单片集成移相器。
技术介绍
随着有源相控阵雷达的不断发展，人们对天线波速控制的需求不断提高，对控制电路的研究也更加深入。移相器作为波束控制的关键器件，由于其工作状态及技术指标较多，占用面积大，性能能要求高，设计和制作难度大，一直是天线收发组件设计中关键的器件之一。相控阵雷达的发展对移相器的带宽，移相精度和集成面积等方面提出了更高的要求。使用Lange耦合器的反射型移相器广泛应用于移相器设计中，但由于耦合器面积较大，宽长比相差较大，不利于集成，增加了电路设计成本。因此研究出一种电路面积较小的、紧凑的、利于版图布置的反射型数控移相器具有重要的意义及实际应用价值。
技术实现思路
本技术克服了现有技术的不足，提供小型化Lange型数控单片集成移相器，以解决在复杂相控阵电路中由于部分移相器结构造成的面积过大、版图长宽比过大导致不易集成的问题。本技术的技术方案如下：小型化Lange型数控单片集成移相器，包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边...
【技术保护点】
1.小型化Lange型数控单片集成移相器，其特征在于：包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边耦合方式耦合，耦合线构成环形结构，反射型移相电路包括感性负载电路和容性负载电路，感性负载电路包括电感、第一晶体管和电阻，电感和第一晶体管串联，第一晶体管和电阻并联；容性负载电路包括电容和第二晶体管，电容与第二晶体管串联，且第二晶体管接地。
【技术特征摘要】
1.小型化Lange型数控单片集成移相器，其特征在于：包括Lange耦合器和反射型移相电路，Lange耦合器采用耦合线宽边耦合方式耦合，耦合线构成环形结构，反射型移相电路包括感性负载电路和容性负载电路，感性负载电路包括电感、第一晶体管和电阻，电感和第一晶体管串联，第一晶体管和电阻并联；容性负载电路包括电容和第二晶体管，电容与第二晶体管串联，且第二晶体管接地。2.根据权利要求1所述的小型化Lange型数控单片集成移相器，其特征在于：耦合器包括四段耦合线，且形成四个端口，分别为输入端、耦合端、隔离端和直通端。3.根据权利要求2所述的小型化Lange型数控单片集成移相器，其特征在于：四段耦合线都采用三线耦合的方式。4.根据权利要求3所述的小型化Lange型数控单片集成移相器，其特征在于：三线耦合线的外侧两条信号线的同一端相连，从而形成四个端口结构，分别记为第一端口、第二端口、第三端口、第四端口，其中第一端口、第二端口位于同一侧且第一端口为三线耦合线的外侧两条信号线的连接端，第三端口、第四端口为三线耦合线的另一侧的两...
【专利技术属性】
技术研发人员：周甲武，刘利平，郑骎，王利平，郁发新，
申请(专利权)人：浙江铖昌科技有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33
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