一种双反射界面的图形化衬底制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双反射界面的图形化衬底，包括衬底、第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形；其中：衬底上生长有第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形至少部分重合，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形为锥形或穹顶型或弧形结构。本实用新型专利技术的优点在于：本双反射界面的图形化衬底更能有效提高光的取出效率；利用第二结构介质层的非晶特性，可以有效的抑制图形化结构表面上氮化镓基外延层的侧面生长，降低侧面生长氮化镓基外延层与正面生长氮化镓基外延层合并时的晶格缺陷密度，提升氮化镓基外延层的晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
一种双反射界面的图形化衬底
本技术涉及发光二极管生产
，尤其涉及一种双反射界面的图形化衬底。
技术介绍
半导体固态照明器件包括发光二极管（LED）和半导体激光器（LD）。由于半导体固态照明器件具有节能、环保、寿命长、体积小等特点，广泛应用于各种指示、显示、装饰、背光源、普通照明和城市夜景等领域。目前商业化的氮化镓（GaN）基发光二极管主要采用蓝宝石（Al2O3）、硅（Si）或碳化硅（SiC）作为衬底，其中蓝宝石衬底是应用最广泛的衬底材料。然而，一方面由于氮化镓和蓝宝石衬底材料的晶格失配度比较大，导致了在蓝宝石衬底上生长的氮化镓外延膜的位错密度一般高达1×1010cm-2，晶体质量差，严重影响发光二极管的内量子效率。另一方面，由于氮化镓与空气之间折射率差异比较大，发光二极管发射的光出射的临界角仅为23.6度，导致发光二极管芯片与空气之间存在严重的全反射现象，使得发光二极管的光取出效率偏低。针对上述成长在蓝宝石衬底上的氮化镓基发光二极管外延层,晶体质量差和光取出效率偏低的问题，从区域性选择生长（selective-areagrowth，SAG）和外延侧向生长（epitaxialla本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种双反射界面的图形化衬底，包括衬底、第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形；其特征在于：衬底上生长有第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形至少部分重合，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形为锥形或穹顶型或弧形结构。

【技术特征摘要】
1.一种双反射界面的图形化衬底，包括衬底、第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形；其特征在于：衬底上生长有第一结构衬底层图形、第二结构介质层图形，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形至少部分重合，所述第一结构衬底层图形与第二结构介质层图形为锥形或穹顶型或弧形结构。2.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：所述衬底材质为蓝宝石、碳化硅、硅、氧化锌、氮化铝、砷化镓、氮化镓。3.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：所述第一结构衬底层图形和第二结构介质层图形不完全覆盖整个所述衬底的一侧表面。4.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：所述第一结构衬底层图形和第二结构介质层图形可轴心重合的形成在所述衬底表面。5.根据权利要求1所述的一种双反射界面的图形化衬底，其特征在于：第一结构衬底层图形的高度H1小于第二结构介质层图形...

【专利技术属性】
技术研发人员：武良文，
申请(专利权)人：江西兆驰半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：江西,36