灵敏放大器及应用其的存储装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种灵敏放大器及应用其的存储装置，灵敏放大器包括N条伪字线和N个降压单元组，每个降压单元组均包括连接于位线的第一降压单元以及连接于反位线的第二降压单元，同一降压单元组中的第一降压单元和第二降压单元连接于同一条伪字线；在降压阶段，m条伪字线开启，连接于m条伪字线的m个降压单元组中的第一降压单元与位线上的寄生电容进行电荷分享，以使位线上的电压从预充电压下降至降压电压；连接于m条伪字线的m个降压单元组中的第二降压单元与反位线上的寄生电容进行电荷分享，以使反位线上的电压从预充电压下降至降压电压；预充电压和降压电压之间的差值与N条伪字线的开启数量成正比，该技术方案可以提高灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器及应用其的存储装置
本技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种灵敏放大器及应用其的存储装置。
技术介绍
半导体存储装置，例如静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，简称SRAM)、动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)、只读存储器(Read-OnlyMemory，简称ROM)、闪存等，通常由存储单元组成的两维阵列设置。每行的存储单元可以由字线进行选择，每列的存储单元可以由位线和反位线进行选择，以将信息写入存储单元或从存储单元读出存储的信息。从存储单元中读出信息或者向存储单元写入信息可以由两级灵敏放大器执行，第一级灵敏放大器用于感应并放大位线和反位线上的电压差，并输出至数据线(DataLine，简称DL)和反数据线(DataLineBar，简称DLB)，由第二级灵敏放大器感应并放大数据线和反数据线上的电压差，并通过后级驱动电路驱动输出。若要提高灵敏度，需将存储单元的电容值加大，这会造成存储装置的电路版图面积增大。
技术实现思路
本技术实施例提供一种灵敏放大器及应用其的存储装置，以解决或缓解现有技术中的一项或更多项技术问题。作为本技术实施例的一个方面，本技术实施例提供一种灵敏放大器，包括：感测单元，连接于位线和反位线之间，用于放大所述位线和所述反位线之间的电压差；N条伪字线，其中，N是正整数；以及N个降压单元组，分别连接一条所述伪字线，其中，每个降压单元组均包括连接于所述位线的第一降压单元以及连接于所述反位线的第二降压单元，其中，同一降压单元组中的所述第一降压单元和所述第二降压单元连接于同一条伪字线；其中，在降压阶段，m条伪字线开启，连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第一降压单元与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述位线上的电压从预充电压下降至降压电压；连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第二降压单元与所述反位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述反位线上的电压从所述预充电压下降至所述降压电压；其中，m小于等于N，所述预充电压和所述降压电压之间的差值与所述N条伪字线的开启数量成正比。优选地，所述第一降压单元包括：第一伪控制晶体管，所述第一伪控制晶体管的栅极连接于所述伪字线，所述第一伪控制晶体管的漏极连接于所述位线；第一伪存储电容，连接于所述第一伪控制晶体管的源极与地线之间；以及第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的栅极连接于预充信号线，所述第一开关晶体管的漏极连接于所述第一伪控制晶体管的源极；所述第一开关晶体管的源极连接于所述地线；其中，在预充电阶段，所述预充信号线开启，所述第一伪存储电容中的电荷被抽空，以作为所述第一降压单元在所述降压阶段的初始状态。优选地，所述第二降压单元包括：第二伪控制晶体管，所述第二伪控制晶体管的栅极连接于所述伪字线，所述第二伪控制晶体管的漏极连接于所述位线；第二伪存储电容，连接于所述第二伪控制晶体管的源极与地线之间；以及第二开关晶体管，所述第二开关晶体管的栅极连接于预充信号线，所述第二开关晶体管的漏极连接于所述第二伪控制晶体管的源极；所述第二开关晶体管的源极连接于所述地线；其中，在预充电阶段，所述预充信号线开启，所述第二伪存储电容中的电荷被抽空，以作为所述第二降压单元在所述降压阶段的初始状态。优选地，所述灵敏放大器还包括预充电电路，连接于所述位线与所述反位线之间，并连接于所述预充信号线，用于在所述预充电阶段，将所述位线和所述反位线充电至所述预充电压。优选地，所述灵敏放大器还包括：第一存储单元，连接于第一字线和所述位线；以及第二存储单元，连接于第二字线和所述反位线；其中，在电荷分享阶段，所述第一字线开启，N条所述伪字线关闭，所述第一存储单元与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述位线上的电压上升至分享电压，以及所述第二字线关闭，以使所述反位线上的电压保持在所述降压电压。优选地，在所述电荷分享阶段，所述位线和所述反位线之间的电压差与所述N条伪字线的开启数量成正比。优选地，所述第一存储单元包括：第一控制晶体管，所述第一控制晶体管的栅极连接于所述第一字线，第一控制晶体管的漏极连接于所述位线；以及第一存储电容，连接于第一控制晶体管的源极与地线之间；其中，在所述电荷分享阶段之前，所述第一存储电容被充电至工作电压。优选地，所述第二存储单元包括：第二控制晶体管，所述第二控制晶体管的栅极连接于所述第二字线，第二控制晶体管的漏极连接于所述位线；以及第二存储电容，连接于第二控制晶体管的源极与地线之间；作为本技术实施例的另一个方面，本技术实施例提供一种存储装置，包括位线、反位线以及如上所述的灵敏放大器。本技术实施例采用上述技术方案，可以提高灵敏度。上述概述仅仅是为了说明书的目的，并不意图以任何方式进行限制。除上述描述的示意性的方面、实施方式和特征之外，通过参考附图和以下的详细描述，本技术进一步的方面、实施方式和特征将会是容易明白的。附图说明在附图中，除非另外规定，否则贯穿多个附图相同的附图标记表示相同或相似的部件或元素。这些附图不一定是按照比例绘制的。应该理解，这些附图仅描绘了根据本技术公开的一些实施方式，而不应将其视为是对本技术范围的限制。图1和图2为本技术实施例的灵敏放大器的电路图；图3为本技术实施例的灵敏放大器的时序设计图(开启一条伪字线)；图4-1至图4-3为本技术实施例的灵敏放大器的时序设计图(开启m条伪字线)。附图标记说明：UN[0]、UN[1]、UN[N-1]：降压单元组；DWL[0]、DWL[1]、DWL[N-1]：伪字线；100：第一存储单元；110：第一控制晶体管；120：第一存储电容；200：第一降压单元；210：第一伪控制晶体管；220：第一伪存储电容；230：第一开关晶体管；300：第二存储单元；310：第二控制晶体管；320：第二存储电容；400：第二降压单元；410：第二伪控制晶体管；420：第二伪存储电容；430：第二开关晶体管；500：感测单元；510：第一耦合晶体管；520：第二耦合晶体管；700：预充电单元；710：第一预充晶体管；720：第二预充晶体管；730：第三预充晶体管；G1/G2/G3/G4/G51/G52/G61/G62/G71/G72/G73：栅极；D1/D2/D3/D4/D51/D52/D61/D62/D71/D72/D73：漏极；S1/S2/S3/S4/S51/S52/S61/S62/S71/S72/S73：源极；WL1：第一字线；WL2：第二字线；DWL：伪字线；EQ：预充信号线；SAN：感测信号线；BL：位线；BLB：反位线；CBL/CBLB：寄生电容；VPre：预充电压；V1：分享电压。具体实施方式在下文中，仅简单地描述了某些示例性实施例。正如本领域技术人员可认识到的那样，在不脱离本技术的精神或范围的情况下，可通过各种不同方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述被认为本质上是示例性的而非限制性的。在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：感测单元，连接于位线和反位线之间，用于放大所述位线和所述反位线之间的电压差；N条伪字线，其中，N是正整数；以及N个降压单元组，分别连接一条所述伪字线，其中，每个降压单元组均包括连接于所述位线的第一降压单元以及连接于所述反位线的第二降压单元，其中，同一降压单元组中的所述第一降压单元和所述第二降压单元连接于同一条伪字线；其中，在降压阶段，m条伪字线开启，连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第一降压单元与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述位线上的电压从预充电压下降至降压电压；连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第二降压单元与所述反位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述反位线上的电压从所述预充电压下降至所述降压电压；其中，m小于等于N，所述预充电压和所述降压电压之间的差值与所述N条伪字线的开启数量成正比。

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：感测单元，连接于位线和反位线之间，用于放大所述位线和所述反位线之间的电压差；N条伪字线，其中，N是正整数；以及N个降压单元组，分别连接一条所述伪字线，其中，每个降压单元组均包括连接于所述位线的第一降压单元以及连接于所述反位线的第二降压单元，其中，同一降压单元组中的所述第一降压单元和所述第二降压单元连接于同一条伪字线；其中，在降压阶段，m条伪字线开启，连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第一降压单元与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述位线上的电压从预充电压下降至降压电压；连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第二降压单元与所述反位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述反位线上的电压从所述预充电压下降至所述降压电压；其中，m小于等于N，所述预充电压和所述降压电压之间的差值与所述N条伪字线的开启数量成正比。2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一降压单元包括：第一伪控制晶体管，所述第一伪控制晶体管的栅极连接于所述伪字线，所述第一伪控制晶体管的漏极连接于所述位线；第一伪存储电容，连接于所述第一伪控制晶体管的源极与地线之间；以及第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的栅极连接于预充信号线，所述第一开关晶体管的漏极连接于所述第一伪控制晶体管的源极；所述第一开关晶体管的源极连接于所述地线；其中，在预充电阶段，所述预充信号线开启，所述第一伪存储电容中的电荷被抽空，以作为所述第一降压单元在所述降压阶段的初始状态。3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二降压单元包括：第二伪控制晶体管，所述第二伪控制晶体管的栅极连接于所述伪字线，所述第二伪控制晶体管的漏极连接于所述位线；第二伪存储电容，连接于所述第二伪控制晶体管的源极与地线之间；以及第二开关晶体管，所述第二开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34