灵敏放大器及应用其的存储装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种灵敏放大器及应用其的存储装置，灵敏放大器包括N条伪字线和N个降压单元组，每个降压单元组均包括连接于位线的第一降压单元以及连接于反位线的第二降压单元，同一降压单元组中的第一降压单元和第二降压单元连接于同一条伪字线；在降压阶段，m条伪字线开启，连接于m条伪字线的m个降压单元组中的第一降压单元与位线上的寄生电容进行电荷分享，以使位线上的电压从预充电压下降至降压电压；连接于m条伪字线的m个降压单元组中的第二降压单元与反位线上的寄生电容进行电荷分享，以使反位线上的电压从预充电压下降至降压电压；预充电压和降压电压之间的差值与N条伪字线的开启数量成正比，该技术方案可以提高灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
灵敏放大器及应用其的存储装置
本技术涉及半导体集成电路
，尤其涉及一种灵敏放大器及应用其的存储装置。
技术介绍
半导体存储装置，例如静态随机存取存储器(StaticRandom-AccessMemory，简称SRAM)、动态随机存取存储器(DynamicRandomAccessMemory，简称DRAM)、只读存储器(Read-OnlyMemory，简称ROM)、闪存等，通常由存储单元组成的两维阵列设置。每行的存储单元可以由字线进行选择，每列的存储单元可以由位线和反位线进行选择，以将信息写入存储单元或从存储单元读出存储的信息。从存储单元中读出信息或者向存储单元写入信息可以由两级灵敏放大器执行，第一级灵敏放大器用于感应并放大位线和反位线上的电压差，并输出至数据线(DataLine，简称DL)和反数据线(DataLineBar，简称DLB)，由第二级灵敏放大器感应并放大数据线和反数据线上的电压差，并通过后级驱动电路驱动输出。若要提高灵敏度，需将存储单元的电容值加大，这会造成存储装置的电路版图面积增大。
技术实现思路
本技术实施例提供一种灵敏放大器及应用其的存储装置，以解决或缓解现有技术中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：感测单元，连接于位线和反位线之间，用于放大所述位线和所述反位线之间的电压差；N条伪字线，其中，N是正整数；以及N个降压单元组，分别连接一条所述伪字线，其中，每个降压单元组均包括连接于所述位线的第一降压单元以及连接于所述反位线的第二降压单元，其中，同一降压单元组中的所述第一降压单元和所述第二降压单元连接于同一条伪字线；其中，在降压阶段，m条伪字线开启，连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第一降压单元与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述位线上的电压从预充电压下降至降压电压；连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第二降压单元与所述反位线上的寄生电容...

【技术特征摘要】
1.一种灵敏放大器，其特征在于，包括：感测单元，连接于位线和反位线之间，用于放大所述位线和所述反位线之间的电压差；N条伪字线，其中，N是正整数；以及N个降压单元组，分别连接一条所述伪字线，其中，每个降压单元组均包括连接于所述位线的第一降压单元以及连接于所述反位线的第二降压单元，其中，同一降压单元组中的所述第一降压单元和所述第二降压单元连接于同一条伪字线；其中，在降压阶段，m条伪字线开启，连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第一降压单元与所述位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述位线上的电压从预充电压下降至降压电压；连接于所述m条伪字线的m个降压单元组中的第二降压单元与所述反位线上的寄生电容进行电荷分享，以使所述反位线上的电压从所述预充电压下降至所述降压电压；其中，m小于等于N，所述预充电压和所述降压电压之间的差值与所述N条伪字线的开启数量成正比。2.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第一降压单元包括：第一伪控制晶体管，所述第一伪控制晶体管的栅极连接于所述伪字线，所述第一伪控制晶体管的漏极连接于所述位线；第一伪存储电容，连接于所述第一伪控制晶体管的源极与地线之间；以及第一开关晶体管，所述第一开关晶体管的栅极连接于预充信号线，所述第一开关晶体管的漏极连接于所述第一伪控制晶体管的源极；所述第一开关晶体管的源极连接于所述地线；其中，在预充电阶段，所述预充信号线开启，所述第一伪存储电容中的电荷被抽空，以作为所述第一降压单元在所述降压阶段的初始状态。3.根据权利要求1所述的灵敏放大器，其特征在于，所述第二降压单元包括：第二伪控制晶体管，所述第二伪控制晶体管的栅极连接于所述伪字线，所述第二伪控制晶体管的漏极连接于所述位线；第二伪存储电容，连接于所述第二伪控制晶体管的源极与地线之间；以及第二开关晶体管，所述第二开关...

【专利技术属性】
技术研发人员：不公告发明人，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34