新型扇出型封装结构的制造方法技术

本发明专利技术涉及一种新型扇出型封装结构的制造方法，所述方法包括以下步骤：步骤一、取一基材载板；步骤二、基材载板表面压一层粘性膜；步骤三、贴装芯片将晶圆切割成单颗芯片，芯片带有凸块或铜柱，在基材载板表面的粘性膜上贴装芯片；步骤四、填充绝缘材料采用压合绝缘材料膜的方式在芯片与芯片之间填充绝缘材料，绝缘材料膜表面设置有一层PET膜，压合后使凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，通过加热使绝缘材料膜固化；步骤五、去除绝缘材料表面的PET膜，使凸块或铜柱露出绝缘材料；步骤六、减薄；步骤七、重布线；步骤八、去除基材载板；步骤九、切割成型。本发明专利技术芯片四周是绝缘材料，单一材料，不会出现切割分层，能够增加产品的高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
新型扇出型封装结构的制造方法
本专利技术涉及一种新型扇出型封装结构的制造方法，属于半导体封装

技术介绍
随着半导体技术的发展以及消费电子市场的驱动，封装技术向更轻、更薄、体积更小、电热性能更优良的方向发展。芯片封装工艺由逐个芯片封装向圆片级封装转变，而晶圆级芯片封装(WLP)具有高密度、体积小、可靠性高、电性能优良等优点，逐渐成为市场中最先进最重要的封装，目前WLP有Fanin和Fanout两种工艺，其中标准型Fan-outWLP是在晶圆上进行重布线，之后再进行切割，完成后的封装大小比芯片的尺寸大，芯片正面用凸块(bumping)或铜柱(copperpillar)作为连线，整个芯片在圆片上制作，圆片利用率低，基本都是裸露在外，没有任何材料保护芯片，存在可靠性风险。当前Fan-outWLP封装结构如图1所示，其工艺存在以下不足和缺陷：1、fan-out在圆片表面进行重布线，大大降低了圆片的利用率；2、圆片材质硬，从圆片切割成单颗时会出现应力集中，易出现崩边，影响外观；3、圆片表面有PI，切割成单颗时在两种材质检易出现分层现象，降低产品的可靠性；4、硅芯片与PCB板的热膨胀系数有着明显的差异，在热循环过程中，由于两者的热失配会给焊球造成应变和应力，影响产品的可靠性；5、标准的Fan-inWLP对整片晶圆封装，易出现翘曲问题；
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是针对上述现有技术提供一种新型扇出型封装结构的制造方法，它对基材表面贴一层粘性膜，在粘性膜上贴装芯片，芯片带有凸块或铜柱，绝缘材料填充采用压合绝缘材料膜的方式，绝缘材料膜正面带有超厚的PET膜，从而实现凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，然后去除PET膜，露出凸块或铜柱；通过机械或化学的方式使凸块或铜柱与绝缘膜齐平，再进行RDL布线，去除基材后切割成单颗，芯片四周是绝缘材料，单一材料，不会出现切割分层，增加了产品的高可靠性。本专利技术解决上述问题所采用的技术方案为：一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、取一基材载板；步骤二、基材载板表面压一层粘性膜；步骤三、贴装芯片将晶圆切割成单颗芯片，芯片带有凸块或铜柱，在基材载板表面的粘性膜上贴装芯片；步骤四、填充绝缘材料采用压合绝缘材料膜的方式在芯片与芯片之间填充绝缘材料，绝缘材料膜表面设置有一层PET膜，压合后使凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，通过加热使绝缘材料膜固化；步骤五、去除绝缘材料表面的PET膜，使凸块或铜柱露出绝缘材料；步骤六、减薄步骤七、重布线步骤八、去除基材载板步骤九、切割成型。优选的，步骤一中基材载板采用金属板或绝缘板。优选的，步骤二中粘性膜采用发泡膜。优选的，步骤六减薄采用机械或化学方式使凸块或铜柱与绝缘材料齐平。优选的，步骤七中重布线结束后进行植球。优选的，步骤八通过蚀刻方法去除基材载板。与现有技术相比，本专利技术的优点在于：1、本专利技术先进行芯片切割，再在基板进行贴装芯片，极大地提升了晶圆的利用率；2、本专利技术切割时只切绝缘材料，不切割晶圆，极大地降低了崩边的风险；3、本专利技术采用先进行芯片贴装，再压合绝缘材料，使芯片四周有绝缘材料填充，在芯片切割时只切割绝缘材料，单一材料的切割，降低了切割应力的产生，减少了分层风险的发生，增加了芯片封装的可靠；4、硅的热膨胀系数在2.5左右，如直接上PCB板，易因热失配造成应变或应力，本专利技术采用先进行芯片贴装，再压合绝缘材料，使芯片四周有绝缘材料填充，降低了裸芯片与PCB直接热膨胀系数的差异，增加了产品的可靠性；5、本专利技术采用晶圆先切割，再进行贴装，降低了整片晶圆的翘曲问题；6、本专利技术填充绝缘材料采用压合方式，不需要固定模具，取代传统包封方式有利于提高设计排版率；且压合工艺不会受传统包封注胶排气口尺寸的影响，适用于filler更小的绝缘材料加工，最终实现finepitch凸块的完整填充。附图说明图1为现有标准的Fan-outWLP封装结构的示意图。图2～图10为本专利技术一种新型扇出型封装结构的制造方法的各工序流程图。其中：基材载板1粘性膜2芯片3凸块或铜柱4绝缘材料膜5PET膜6金属球7。具体实施方式以下结合附图实施例对本专利技术作进一步详细描述。本实施例中的一种新型Fan-outWLP封装结构的制造方法，它包括以下步骤：步骤一、参见图2，取一基材载板，所述基材载板采用金属板或绝缘板；步骤二、参加图3，基材载板表面压一层粘性膜(可以是发泡膜)；步骤三、参见图4，贴装芯片将晶圆切割成单颗芯片，芯片带有凸块或铜柱，在基材载板表面的粘性膜上贴装芯片；步骤四、参见图5，填充绝缘材料采用压合绝缘材料膜的方式在芯片与芯片之间填充绝缘材料，绝缘材料膜表面设置有一层PET膜，压合后使凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，通过加热使绝缘材料膜固化；步骤五、参见图6，去除绝缘材料表面的PET膜，使凸块或铜柱露出绝缘材料；步骤六、参见图7，减薄通过机械或化学方式使凸块或铜柱与绝缘材料齐平；步骤七、参见图8，重布线在绝缘材料表面进行重布线设计，并在重布线层上植上金属球；步骤八、参见图9、去除基材载板通过蚀刻等方法去除基材载板；步骤九、参见图10，切割成型切割成单颗具有独立电性能的产品。除上述实施例外，本专利技术还包括有其他实施方式，凡采用等同变换或者等效替换方式形成的技术方案，均应落入本专利技术权利要求的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、取一基材载板；步骤二、基材载板表面压一层粘性膜；步骤三、贴装芯片将晶圆切割成单颗芯片，芯片带有凸块或铜柱，在基材载板表面的粘性膜上贴装芯片；步骤四、填充绝缘材料采用压合绝缘材料膜的方式在芯片与芯片之间填充绝缘材料，绝缘材料膜表面设置有一层PET膜，压合后使凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，通过加热使绝缘材料膜固化；步骤五、去除绝缘材料表面的PET膜，使凸块或铜柱露出绝缘材料；步骤六、减薄步骤七、重布线步骤八、去除基材载板步骤九、切割成型。

【技术特征摘要】
1.一种新型扇出型封装结构的制造方法，其特征在于所述方法包括以下步骤：步骤一、取一基材载板；步骤二、基材载板表面压一层粘性膜；步骤三、贴装芯片将晶圆切割成单颗芯片，芯片带有凸块或铜柱，在基材载板表面的粘性膜上贴装芯片；步骤四、填充绝缘材料采用压合绝缘材料膜的方式在芯片与芯片之间填充绝缘材料，绝缘材料膜表面设置有一层PET膜，压合后使凸块或铜柱穿透绝缘材料膜，进入PET膜层，通过加热使绝缘材料膜固化；步骤五、去除绝缘材料表面的PET膜，使凸块或铜柱露出绝缘材料；步骤六、减薄步骤七、重布线步骤八、去除基材载板步骤九、切割成型。...

【专利技术属性】
技术研发人员：郁科锋，张凯，
申请(专利权)人：江阴芯智联电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32