The invention provides a detection method and device for a TFT array substrate. The detection method includes: a measuring head containing multiple metal sheets is arranged above the TFT array substrate to be detected to form a capacitance effect between the measuring head and the TFT array substrate, and multiple metal sheet arrays are arranged and located on the same plane; a scanning line is output from the grid scanning signal to the TFT array substrate to open and sweep. Line-traced thin film transistor, which outputs data signal to the data line on the TFT array substrate and outputs data signal to the pixel electrode through the thin film transistor; detects whether there is an AC signal on the metal sheet of the measuring head; if no AC signal is detected on the metal sheet of the measuring head, then determines the TFT array substrate under the metal sheet of the measuring head that has not detected the AC signal. There are electrical defects. The detection method and device provided by the invention have low maintenance cost and won't easily cause damage to the detection device.
【技术实现步骤摘要】
一种TFT阵列基板的检测方法及装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种TFT阵列基板的检测方法及装置。
技术介绍
TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)阵列基板在生产制造过程中会产生电性缺陷，例如薄膜晶体管为常开或者常关状态，或者像素电极与薄膜晶体管之间断开了连接，又例如薄膜晶体管与数据线或者扫描线之间断开了连接。这些缺陷会影响薄膜晶体管开关的特性，因此要将这些电性缺陷找出来，以便使用镭射修补机进行修补。现有的检测TFT阵列基板的电性缺陷的方案为：给TFT阵列基板上的像素电极输送电信号，通过检测像素电极上的电压值来判断TFT阵列基板上是否存在电性缺陷。检测像素电极上的电压值包含下述两种方法：1、采用图1中所示的检测探头检测像素电极表面的电压值，检测探头包含有感应电极1’、金属片2’，以及感应电极1’与金属片2’之间的液晶3’，感应电极1’为ITO(氧化铟锡)材料。在检测时，将检测探头设置在TFT阵列基板上方50微米左右，向感应电极1’表面出射光线，当像素电极表面有电信号时，感应电极1’与像素电极之间形成电场，控制感应电极1’与金属片2’之...
【技术保护点】
1.一种TFT阵列基板的检测方法，其特征在于，包括下述步骤：在待检测的TFT阵列基板上方设置包含多个金属片的量测头，使得所述量测头与所述TFT阵列基板之间形成电容效应；其中，所述多个金属片阵列排布且位于同一平面上；输出栅极扫描信号至所述TFT阵列基板上的扫描线，打开与所述扫描线连接的薄膜晶体管，输出数据信号至所述TFT阵列基板上的数据线，并通过所述薄膜晶体管将数据信号输出至像素电极；检测所述量测头的金属片上是否有交流信号，若在所述量测头的金属片上没有检测到交流信号，则确定所述未检测到交流信号的金属片下方的TFT阵列基板上存在电性缺陷；所述TFT阵列基板上的每一个像素区域的上...
【技术特征摘要】
1.一种TFT阵列基板的检测方法，其特征在于，包括下述步骤：在待检测的TFT阵列基板上方设置包含多个金属片的量测头，使得所述量测头与所述TFT阵列基板之间形成电容效应；其中，所述多个金属片阵列排布且位于同一平面上；输出栅极扫描信号至所述TFT阵列基板上的扫描线，打开与所述扫描线连接的薄膜晶体管，输出数据信号至所述TFT阵列基板上的数据线，并通过所述薄膜晶体管将数据信号输出至像素电极；检测所述量测头的金属片上是否有交流信号，若在所述量测头的金属片上没有检测到交流信号，则确定所述未检测到交流信号的金属片下方的TFT阵列基板上存在电性缺陷；所述TFT阵列基板上的每一个像素区域的上方均对应有至少一个金属片。2.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的检测方法，其特征在于，所述量测头上的金属片与所述TFT阵列基板之间距离范围是50~150微米。3.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的检测方法，其特征在于，检测所述量测头的金属片上是否有交流信号，具体为：依次逐个检测所述量测头的金属片上是否有交流信号，或者同时检测所述量测头的所有金属片上是否均有交流信号。4.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的检测方法，其特征在于，输出栅极扫描信号至所述TFT阵列基板上的扫描线，具体为：通过短路棒同时给所述TFT阵列基板上的奇数条扫描线输送栅极扫描信号，或者通过短路棒同时给所述TFT阵列基板上的偶数条扫描线输送栅极扫描信号；输出数据信号至所述TFT阵列基板上的数据线，具体为：通过短路棒同时给所述TFT阵列基板上的奇数条数据线输出数据信号，或者通过短路棒同时给所述TFT阵列基板上的偶数条数据线输出数据信号。5.根据权利要求1所述的TFT阵列基板的检测方法，其特征在于，每一个金属片的面积小于所述...
【专利技术属性】
技术研发人员：赖学谦，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44
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