The invention provides a phase shifter, an antenna including the phase shifter and a control method of the phase shifter. The phase shifter includes: a first substrate substrate; a plurality of microstrip lines, which are arranged on the first substrate and are configured to transmit electromagnetic wave signals and apply common voltage; a dielectric layer, which is arranged at the side of the plurality of microstrip lines away from the first substrate; and a plurality of independent voltage control layers, which are respectively arranged at the distance of the dielectric layer corresponding to the plurality of microstrip lines. One side of the first substrate substrate is configured to apply a control voltage, in which the dielectric constant of the dielectric layer varies according to the control voltage applied to the voltage control layer and the common voltage of the microstrip line. The invention can at least reduce the influence of the control voltage on the electromagnetic wave signal on the microstrip line.
【技术实现步骤摘要】
移相器、天线及移相器的控制方法
本专利技术涉及天线
,尤其涉及一种移相器、包括该移相器的天线以及该移相器的控制方法。
技术介绍
在基于微带线原理的液晶天线阵列中,向液晶天线阵列中的液晶移相器施加控制电压来控制(改变)液晶移相器中液晶的排列,从而控制(改变)液晶移相器的介电常数。因此,可以实现液晶天线阵列的扫描方向的改变。
技术实现思路
本专利技术提供了一种移相器、包括该移相器的天线以及该移相器的控制方法,至少有利于移相器单元的紧凑布置和/或减小控制信号线上的控制电压对微带线上的电磁波信号的强度的影响。根据本专利技术的一方面,提供了一种移相器,包括:第一衬底基板;多个微带线,设置在第一衬底基板上,被配置传输电磁波信号和施加公共电压;电介质层,设置在所述多个微带线远离所述第一衬底基板的一侧;多个各自独立的电压控制层,分别与所述多个微带线对应地设置在所述电介质层远离所述第一衬底基板的一侧,被配置为施加控制电压;其中,所述电介质层的介电常数根据施加到所述电压控制层的控制电压和微带线的公共电压而改变。在本专利技术的一实施例中,移相器还包括设置在所述电介质层远离所述第一衬底基板的一侧的多个各自独立的第一屏蔽层,所述多个各自独立的第一屏蔽层复用为多个各自独立的电压控制层。在本专利技术的一实施例中,移相器还包括多条控制信号线,分别耦接至所述多个各自独立的第一屏蔽层且设置在多个各自独立的第一屏蔽层远离所述第一衬底基板的一侧,以向所述多个各自独立的第一屏蔽层施加控制电压。在本专利技术的一实施例中,移相器还包括:第一绝缘层,设置在所述多个各自独立的第一屏蔽层远离第一衬底基板的 ...
【技术保护点】
1.一种移相器,包括:第一衬底基板;多个微带线,设置在第一衬底基板上,被配置传输电磁波信号和施加公共电压;电介质层,设置在所述多个微带线远离所述第一衬底基板的一侧;多个各自独立的电压控制层,分别与所述多个微带线对应地设置在所述电介质层远离所述第一衬底基板的一侧,被配置为施加控制电压;其中,所述电介质层的介电常数根据施加到所述电压控制层的控制电压和微带线的公共电压而改变。
【技术特征摘要】
1.一种移相器,包括:第一衬底基板;多个微带线,设置在第一衬底基板上,被配置传输电磁波信号和施加公共电压;电介质层,设置在所述多个微带线远离所述第一衬底基板的一侧;多个各自独立的电压控制层,分别与所述多个微带线对应地设置在所述电介质层远离所述第一衬底基板的一侧,被配置为施加控制电压;其中,所述电介质层的介电常数根据施加到所述电压控制层的控制电压和微带线的公共电压而改变。2.根据权利要求1所述的移相器,还包括设置在所述电介质层远离所述第一衬底基板的一侧的多个各自独立的第一屏蔽层,所述多个各自独立的第一屏蔽层复用为多个各自独立的电压控制层。3.根据权利要求2所述的移相器,还包括多条控制信号线,分别耦接至所述多个各自独立的第一屏蔽层且设置在多个各自独立的第一屏蔽层远离所述第一衬底基板的一侧,以向所述多个各自独立的第一屏蔽层施加控制电压。4.根据权利要求3所述的移相器,还包括:第一绝缘层,设置在所述多个各自独立的第一屏蔽层远离第一衬底基板的一侧,其中,所述多条控制信号线位于所述第一绝缘层远离所述第一屏蔽层的一侧。5.根据权利要求4所述的移相器,其中,所述控制信号线经由穿过所述第一绝缘层的通孔耦接至所述第一屏蔽层。6.根据权利要求2至5中任意一项所述的移相器,其中,所述第一屏蔽层上设置有耦合孔,其中,电磁波信号经由耦合孔耦合至微带线。7.根据权利要求2至5中任意一项所述的移相器,其中,所述电介质层包括液晶。8.根据权利要求2至5中任意一项所述的移相器,还包括:与所述第一衬底基板对盒设置的第...
【专利技术属性】
技术研发人员:孙拓,
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司,北京京东方技术开发有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。