【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】倍半硅氧烷树脂和甲硅烷基酐组合物
本专利技术整体涉及含倍半硅氧烷组合物，其包含倍半硅氧烷树脂和甲硅烷基酐，由所述含倍半硅氧烷组合物制备的产物，光致抗蚀剂组合物，其包含所述含倍半硅氧烷组合物和光酸产生剂，由所述光致抗蚀剂组合物制备的产物，及其制备和使用方法，以及包含其的制造制品和半导体装置。
技术介绍
许多光电/电子装置的关键特征部包括图案或集成电路(IC)。图案和IC可通过将图案从光致抗蚀剂层转印到基底诸如半导体材料或导电金属来制备。光致抗蚀剂层包含光致抗蚀剂组合物，所述光致抗蚀剂组合物包含光敏材料。光致抗蚀剂层中的图案使用利用紫外(UV)光的光刻法形成并使用蚀刻进行转印。为了制备更强大、更小且更快的新型光/电子装置，这些图案或IC必须以更小且更更精细的特征尺寸(更精细的分辨率)来制造。实现更精细图案分辨率的一种方式是使用较短波长的光。趋势将波长从365纳米(nm)逐渐缩短至248nm(KrF)至193nm(ArF)。最终，波长可以为157nm(F2)和/或在13nm下的极紫外光(EUV)。然而，在特定波长下可用的光致抗蚀剂组合物可能在较短波长下不能反应。另一种方...
【技术保护点】
1.一种含倍半硅氧烷组合物，其包含(A)倍半硅氧烷树脂和(B)甲硅烷基酐，其中：所述(A)倍半硅氧烷树脂具有式(I)：[HSiO3/2]t1[Z‑L‑SiO3/2]t2[H(R1O)SiO2/2]d[(R1O)xSiO(4‑x)/2]y[R2SiO3/2]t3(I)，其中：下标t1为0.4至0.9的摩尔份数；下标t2为0.1至0.6的摩尔份数；下标d为0至0.45的摩尔份数；下标x为1、2或3的整数；下标y为0至0.25的摩尔份数；下标t3为0至0.15的摩尔份数；t1+t2的总和为≥0.9至≤1，并且t1+t2+d+y+t3的总和＝1；每个R1独立地为H或(C1‑C6)烷...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2016.05.03 US 62/3309171.一种含倍半硅氧烷组合物，其包含(A)倍半硅氧烷树脂和(B)甲硅烷基酐，其中：所述(A)倍半硅氧烷树脂具有式(I)：[HSiO3/2]t1[Z-L-SiO3/2]t2[H(R1O)SiO2/2]d[(R1O)xSiO(4-x)/2]y[R2SiO3/2]t3(I)，其中：下标t1为0.4至0.9的摩尔份数；下标t2为0.1至0.6的摩尔份数；下标d为0至0.45的摩尔份数；下标x为1、2或3的整数；下标y为0至0.25的摩尔份数；下标t3为0至0.15的摩尔份数；t1+t2的总和为≥0.9至≤1，并且t1+t2+d+y+t3的总和＝1；每个R1独立地为H或(C1-C6)烷基；每个R2独立地为HO-L-或HOOC-L-；每个L独立地为二价(C1-C20)烃基团，其为未取代的或被至少1个取代基取代，所述取代基独立地选自：(C1-C3)烷基、-OH和氟原子，其至多全氟取代并包括全氟取代；并且每个Z为-OH、-COOH、-O-THP、-OCH(R3a)2、-OC(R3b)3、-COOCH(R3a)2、-COOC(R3b)3、-OCOOCH(R3a)2、或-OCOOC(R3b)3，其中THP为四氢吡喃-2-基；其中每个R3a独立地为(C1-C6)烷基、(C3-C12)环烷基、(C6-C10)芳烷基、((C1-C6)烷基)3SiCH2CH2-，或者2个R3a连同它们两者所键合的碳原子一起为(C3-C12)环烷基或(C6-C12)二环烷基；并且其中每个R3b独立地为(C1-C6)烷基、(C3-C12)环烷基、(C6-C10)芳烷基、((C1-C6)烷基)3SiCH2CH2-；或者2个R3b连同它们两者所键合的碳原子一起为(C3-C12)环烷基或(C6-C12)二环烷基，并且剩余的R3b独立地为(C1-C6)烷基、(C3-C12)环烷基、(C6-C10)芳烷基或((C1-C6)烷基)3SiCH2CH2-；或全部3个R3b连同它们全部所键合的碳原子一起为(C7-C12)二环烷基；并且所述(B)甲硅烷基酐具有式(II)：(R4O)3Si-(L1)m-C(R5)2-C(＝O)-O-C(＝O)-R6(II)，其中：每个R5独立地为H、(C1-C6)烷基、或式-(L2)n-Si(OR4)3的单价基团；或者两个R5合在一起以形成(C2-C5)烷烃-二基；或者一个R5与R6合在一起以形成键或(C1-C4)烷烃-二基，并且剩余的R5独立地为H、(C1-C6)烷基、或式-(L2)n-Si(OR4)3的单价基团；或者两个R5与R6合在一起以形成＝CH-；R6与如上所述的R5合在一起或R6为(C1-C8)烃基或式-C(R7)2-(L2)n-Si(OR4)3的单价基团；下标m为0或1的整数；每个下标n独立地为0或1的整数；每个R4独立地为未取代的(C1-C6)烷基；每个L1和L2独立地为(C1-C8)烃-二基；并且每个R7独立地为H或(C1-C6)烷基；或者两个R7合在一起以形成(C2-C5)烷烃-二基。2.根据权利要求1所述的含倍半硅氧烷组合物，其中在所述(A)倍半硅氧烷树脂中：下标t1为0.4至0.65的摩尔份数；下标t1为0.65至0.9的摩尔份数；下标t2为0.1至0.35的摩尔份数；下标t2为0.5至0.6的摩尔份数；下标d为0；下标d为＞0至0.45的摩尔份数；下标x为1；下标x为2；下标x为3；下标y为0；下标y为＞0至0.25的摩尔份数；下标t3为0；下标t3为＞0至0.15的摩尔份数；至少一个R1为H；下标d为＞0至0.45的摩尔份数，或者下标y为＞0至0.25的摩尔份数，并且至少一个R1为H；至少一个R1独立地为(C1-C6)烷基；下标d为＞0至0.45的摩尔份数，或者下标y为＞0至0.25的摩尔份数，并且至少一个R1为(C1-C6)烷基；至少一个R2独立地为HO-L-；下标t3为＞0至0.15的摩尔份数，并且至少一个R2独立地为HO-L-；至少一个R2独立地为HOOC-L-；下标t3为＞0至0.15的摩尔份数，并且至少一个R2独立地为HOOC-L-；至少一个L独立地为未取代的二价(C1-C20)烃基团；至少一个L独立地为未取代的二价(C6-C10)二环烷烃基团；至少一个L为被至少1个(C1-C3)烷基基团取代的二价(C1-C20)烃基团；至少一个L为被至少1个(C1-C3)烷基基团取代的二价(C6-C10)二环烷烃基团；至少一个L为被至少1个-OH基团取代的二价(C1-C20)烃基团；至少一个L为被至少1个-OH基团取代的二价(C6-C10)二环烷烃基团；至少一个L独立地为被至少1个氟原子取代的二价(C1-C20)烃基团，其至多全氟取代并包括全氟取代；至少一个L独立地为被至少1个氟原子取代的二价(C6-C10)二环烷烃基团，其至多全氟取代并包括全氟取代；至少一个Z为-OH；至少一个Z为-COOH；至少一个Z为-O-THP；至少一个Z为-OCH(R3a)2；至少一个Z为-COOCH(R3a)2；至少一个Z为-OCOOCH(R3a)2；至少一个Z为-OC(R3b)3；至少一个Z为-COOC(R3b)3；至少一个Z为-OCOOC(R3b)3；至少一个R3a或R3b独立地为(C1-C6)烷基；至少一个R3a或R3b独立地为(C3-C12)环烷基；至少一个R3a或R3b独立地为(C6-C10)芳烷基；至少一个R3a或R3b独立地为((C1-C6)烷基)3SiCH2CH2-；2个R3a或2个R3b连同它们两者所键合的碳原子一起为(C3-C12)环烷基或(C6-C12)二环烷基；或者全部3个R3b与它们全部所键合的碳原子一起为(C7-C12)二环烷基。3.根据权利要求1或2所述的含倍半硅氧烷组合物，其中在式(I)的(A)倍半硅氧烷树脂中，Z-L-选自以下单价羧酸酯：二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，仲脂族酯；二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，叔脂族酯；二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，仲脂族酯；或二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，叔脂族酯。4.根据权利要求3所述的含倍半硅氧烷组合物，其中Z-L-选自以下单价羧酸酯：二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，1′，1′-二甲基乙基酯；二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，1′，1′-二甲基乙基酯；二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，1′-甲基乙基酯；二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，1′-甲基乙基酯；二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，金刚烷-1′-基酯；二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，金刚烷-1′-基酯；二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，3′-甲基金刚烷-1′-基酯；二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，3′-甲基金刚烷-1′-基酯；二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，2′-甲基金刚烷-2′-基酯；二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，2′-甲基金刚烷-2′-基酯；二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，2′-乙基金刚烷-2′-基酯；二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，2′-乙基金刚烷-2′-基酯；二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，环己基酯；二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，环己基酯；二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，1′-乙基环戊基酯；二环[2.2.1]庚-6-基-2-羧酸，1′-乙基环戊基酯；二环[2.2.1]庚-5-基-2-羧酸，2′-羟基-2′，6′，6′-三甲基二环[3.1.1]庚-3′...
【专利技术属性】
技术研发人员：D·奥尔特戈特，傅鹏飞，张元凡，
申请(专利权)人：美国陶氏有机硅公司，
类型：发明
国别省市：美国,US
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