参考时钟频率发生器制造技术

本发明专利技术涉及半导体集成电路领域，公开了一种参考时钟频率发生器。本发明专利技术中，该参考时钟频率发生器包括：PTAT电压发生器，用于提供补偿电压；以及电压控制振荡器，用于根据所述补偿电压产生稳定的频率输出。本发明专利技术利用电压控制振荡器，同时利用PTAT电流或者电压进行温度补偿，无需外部晶体振荡器提供参考频率，具有很小的功耗，电路简单，且产生的频率相对于温度比较稳定，随温度变化的幅度控制在千分之三范围内。

Reference Clock Frequency Generator

The invention relates to the field of semiconductor integrated circuits, and discloses a reference clock frequency generator. In the invention, the reference clock frequency generator includes a PTAT voltage generator for providing compensation voltage and a voltage controlled oscillator for generating stable frequency output according to the compensation voltage. The invention uses voltage control oscillator and PTAT current or voltage to compensate temperature, without external crystal oscillator to provide reference frequency, has small power consumption, simple circuit, and relatively stable frequency relative to temperature, and the range of variation with temperature is controlled within three thousandths.

【技术实现步骤摘要】
参考时钟频率发生器
本专利技术涉及半导体集成电路领域，特别涉及一种参考时钟频率发生器。
技术介绍
随着通信、数字电视、卫星定位、航空航天和遥控遥测技术的不断发展,对频率源的频率稳定度、频谱纯度、频率范围和输出频率个数的要求越来越高。为了提高频率稳定度，经常采用晶体振荡器等方法来解决,但它不能满足频率个数多的要求。因此,目前大量采用频率合成技术。通过对频率进行加、减、乘、除运算,可从一个高稳定度和高准确度的标准频率源,产生大量的具有同一稳定度和准确度的不同频率的时钟信号。频率合成器是从一个或多个参考频率中产生多种频率时钟信号的器件。它是现代通讯系统必不可少的关键电路,广泛应用于数字通信、卫星通信、雷达、导航、航空航天、遥控遥测以及高速仪器仪表等领域。随着各应用行业的发展，频率合成器也得到了较快发展,形成了完善的系列品种,市场需求非常大。锁相环PLL(Phase-LockedLoops)是常用的频率合成技术之一，经过了直接合成模拟式频率综合器、锁相式频率综合器和直接数字式频率综合器(DDS)三个发展阶段。锁相环PLL的优点是频率准确度高，可以得到任何想要的频率。但同时却需要晶体振荡器作为频率参考源，功耗大，电路复杂，增加了外围器件，且使用不方便。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种参考时钟频率发生器，能够克服现有技术中电路结构复杂，功耗大的缺点。为解决上述技术问题，本专利技术的实施方式公开了一种参考时钟频率发生器，该参考时钟频率发生器包括：PTAT电压发生器，用于提供补偿电压；以及电压控制振荡器，用于根据所述补偿电压产生稳定的频率输出。在另一优选例中，所述PTAT电压发生器包括带隙电路，所述补偿电压与温度成正比例变化。在另一优选例中，所述电压控制振荡器产生的频率与温度成正比例变化，所述电压控制振荡器产生的频率与电压成反比例变化，温度和电压通过加权，进行补偿，得到稳定的频率。在另一优选例中，PTAT电压发生器包括：PMOS管M1、M3和NMOS管M2；PNP管Q1和Q2；运算放大器AMP；电阻R1、R2、R40和R41；M1的栅极、M2的栅极和M3的栅极都连接在一起；M1的第一极、M2的第一极和M3的第一极都连接在一起；M1的第二极与AMP的反相输入端连接，M2的第二极与AMP的正相输入端连接，M3的第二极与PTAT电压发生器的输出端VBG连接；其中，第一极为MOS管源极或漏极中的一极，第二极为MOS管源极或漏极中的另一极；AMP的输出端与M1的栅极连接；Q1的基极和集电极连接在一起，Q2的基极和集电极连接在一起，Q1的基极和Q2的基极连接在一起；Q1的发射极与AMP的反相输入端连接，Q2的发射极通过R40与AMP的正相输入端连接；R41连接在AMP的正相输入端与Q2的集电极之间；R1连接在Q1的发射极和集电极之间；R2连接在Q1的集电极和PTAT电压发生器的输出端VBG之间。在另一优选例中，所述电压控制振荡器包括：V2I电路，用于将所述补偿电压转换成振荡需要的电流；振荡电路，用于根据所述电流产生振荡正弦信号；以及缓冲电路，用于将所述正弦信号转变成满摆幅时钟信号，并且调整占空比。在另一优选例中，所述振荡电路为环形振荡器电路，所述环形振荡器电路包括：奇数个相位差为180度，且增益大于2的延迟单元。在另一优选例中，所述振荡电路为LC振荡电路。应理解，在本专利技术范围内中，本专利技术的上述各技术特征和在下文(如实施方式)中具体描述的各技术特征之间都可以互相组合，从而构成新的或优选的技术方案。限于篇幅，在此不再一一赘述。本专利技术实施方式与现有技术相比，主要区别及其效果在于：利用电压控制振荡器，同时利用PTAT电流或者电压进行温度补偿，无需外部晶体振荡器提供参考频率，具有很小的功耗，电路简单，且产生的频率相对于温度比较稳定，随温度变化的幅度控制在千分之三范围内。附图说明图1是根据本专利技术实施方式的一种参考时钟频率发生器的结构示意图；图2是根据本专利技术实施方式的一种PTAT电压发生器的电路示意图；图3是根据本专利技术实施方式的一种电压控制振荡器的电路示意图；图4是根据本专利技术实施方式的PTAT电压发生器的电压温度关系图；图5是根据本专利技术实施方式的电压控制振荡器的频率温度关系图；图6是根据本专利技术实施方式的电压控制振荡器的频率电压关系图；图7是根据本专利技术实施方式的参考时钟频率发生器的温度频率关系图；图8是根据本专利技术实施方式的一种V2I电路的电路示意图；图9是根据本专利技术实施方式的一种LC振荡电路的电路示意图；图10是根据本专利技术实施方式的一种LC振荡电路的电路示意图。具体实施方式在以下的叙述中，为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是，本领域的普通技术人员可以理解，即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改，也可以实现本申请各权利要求所要求保护的技术方案。为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本专利技术的实施方式作进一步地详细描述。本专利技术的实施方式涉及一种参考时钟频率发生器。图1是该参考时钟频率发生器的结构示意图。具体地说，如图1所示，该参考时钟频率发生器包括：PTAT电压发生器，用于提供补偿电压；以及电压控制振荡器(简称：VCO)，用于根据所述补偿电压产生稳定的频率输出。图2是一种PTAT电压发生器的电路示意图，随绝对温度成比例变化PTAT(Proportional-To-Absolute-Temperature)电压发生器包括带隙(Bandgap)电路。其中，补偿电压与温度成正比例变化。具体地说，如图2所示，PTAT电压发生器包括：PMOS管M1、M3和NMOS管M2；PNP管Q1和Q2；运算放大器AMP；电阻R1、R2、R40和R41；M1的栅极、M2的栅极和M3的栅极都连接在一起；M1的第一极、M2的第一极和M3的第一极都连接在一起；M1的第二极与AMP的反相输入端连接，M2的第二极与AMP的正相输入端连接，M3的第二极与PTAT电压发生器的输出端VBG连接；其中，第一极为MOS管源极或漏极中的一极，第二极为MOS管源极或漏极中的另一极；AMP的输出端与M1的栅极连接；Q1的基极和集电极连接在一起，Q2的基极和集电极连接在一起，Q1的基极和Q2的基极连接在一起；Q1的发射极与AMP的反相输入端连接，Q2的发射极通过R40与AMP的正相输入端连接；R41连接在AMP的正相输入端与Q2的集电极之间；R1连接在Q1的发射极和集电极之间；R2连接在Q1的集电极和PTAT电压发生器的输出端VBG之间。其中，可以调整的温度系数的电流：I＝I1+I2，正温度系数电流：I1＝△Vbe/R40，负温度系数电流：I2＝Vbe/R41，Vbe为PNP管的基射极电压，△Vbe为两个PNP管Q1、Q2的Vbe间的电压差，R40、R41为两电阻。由于△Vbe随温度成正比例变化，而Vbe随温度成反比例变化。因此，电流I1是正温度系数，电流I2是负温度系数。调整R40和R41的比例可以得到需要的比例关系的电压，从而可以得到稳定的输出电压，具有良好的温度特性，比如温度＝25度时，Vout＝1.23v，温度＝125度时，Vout＝1.23v。而本专利技术中电压V是随温度成正比例变化的，如图4所示。具体例如，在温度＝25度，Vctr本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种参考时钟频率发生器，其特征在于，该参考时钟频率发生器包括：PTAT电压发生器，用于提供补偿电压；以及电压控制振荡器，用于根据所述补偿电压产生稳定的频率输出。

【技术特征摘要】
2018.02.26 CN 20181016282851.一种参考时钟频率发生器，其特征在于，该参考时钟频率发生器包括：PTAT电压发生器，用于提供补偿电压；以及电压控制振荡器，用于根据所述补偿电压产生稳定的频率输出。2.根据权利要求1所述的参考时钟频率发生器，其特征在于，所述PTAT电压发生器包括带隙电路，所述补偿电压与温度成正比例变化。3.根据权利要求1所述的参考时钟频率发生器，其特征在于，所述电压控制振荡器产生的频率与温度成正比例变化，所述电压控制振荡器产生的频率与电压成反比例变化，温度和电压通过加权，进行补偿，得到稳定的频率。4.根据权利要求1所述的参考时钟频率发生器，其特征在于，PTAT电压发生器包括：PMOS管M1、M3和NMOS管M2；PNP管Q1和Q2；运算放大器AMP；电阻R1、R2、R40和R41；M1的栅极、M2的栅极和M3的栅极都连接在一起；M1的第一极、M2的第一极和M3的第一极都连接在一起；M1的第二极与AMP的反相输入端连接，M2的第二极与AMP的正相输入端连接，M3的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：季科夫，
申请(专利权)人：上海安路信息科技有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31