【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】相关申请本申请要求于2014年3月17日提交的美国临时专利申请第61/954,483号的权益,该申请要求于2014年9月25日提交的美国专利申请第14/496,129号的申请日的优先权,上述两申请的全部内容通过援引而纳入于此。
本申请涉及时钟生成,更具体地,涉及用于多相信号传递的时钟发生器。背景多比特字的传输通常发生在多线总线上。例如,八比特字可在具有八条线的总线上传输,每比特一条线。但是在这种常规总线中,在给定的线上承载的每一比特独立于其余比特。随着数据率增加,这种常规通信变得有问题,因为当字在总线上传播时,字中的各个比特变得彼此偏斜。鉴于在高速通信中多个比特之间的偏斜的问题,已经开发出各种串行化器/解串行化器(SERDES)系统。SERDES发射机将多比特字串行化为一系列相应的比特以供向接收机传输。于是,因为在SERDES系统中使用单一的传输线(可能是差分的),在多线总线上毗邻比特之间可能不存在这种偏斜。SERDES接收机将接收到的串行比特流解串行化为原始字。但是,当数据传输速率超过例如10GHZ时,SERDES传输线和接收机负载引入失真。串行比特流中的毗邻比特于是开始相互干扰。为对抗产生的码元间干扰,复杂的均衡化方案变得必要,并且因此变得难以将SERDES数据传输速率推向更高。为将数据传输速率增加到超过SERDES限制,已经开发出三相信令协议,其中三个发射机驱动三条分开的传输线。以下讨论将针对在接收到来自要么提供电流要么接收电流的电流模式发射机的信号之际的时钟生成,但也可使用电压模式传输。因为净电流必须是0,在三发射机系统中所有三个发射机不能都活 ...
【技术保护点】
一种电路,包括:下拉信号发生器,所述下拉信号发生器被配置成生成对应于多个数字字的多个下拉信号;多个下拉电路,所述多个下拉电路对应于所述多个下拉信号,每个下拉电路被配置成响应于由所述下拉信号发生器对相应的下拉信号的断言,使一公共节点放电达第一延迟;上拉电路,所述上拉电路被配置成在从所述公共节点放电起的第二延迟后,使所述公共节点偏置至电源电压。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2014.03.17 US 61/954,483;2014.09.25 US 14/496,1291.一种电路,包括:下拉信号发生器,所述下拉信号发生器被配置成生成对应于多个数字字的多个下拉信号;多个下拉电路,所述多个下拉电路对应于所述多个下拉信号,每个下拉电路被配置成响应于由所述下拉信号发生器对相应的下拉信号的断言,使一公共节点放电达第一延迟;上拉电路,所述上拉电路被配置成在从所述公共节点放电起的第二延迟后,使所述公共节点偏置至电源电压。2.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述下拉信号发生器包括被配置为处理来自所述数据字中接收到的数据字的比特对的多个逻辑门。3.如权利要求2所述的电路,其特征在于,所述多个逻辑门包括第一多个与门和第二多个或非门。4.如权利要求1所述的电路,其特征在于,每个下拉电路包括串联耦合在地和所述公共节点之间的一对NMOS晶体管。5.如权利要求4所述的电路,其特征在于,每个下拉电路中的NMOS晶体管中的第一NMOS晶体管具有耦合至相应的下拉信号的栅极和耦合至所述公共节点的漏极。6.如权利要求5所述的电路,其特征在于,每个下拉电路进一步包括反相器,所述反相器被配置为将相应的下拉信号反相成经延迟的下拉信号,其中每个下拉电路中的NMOS晶体管中的第二NMOS晶体管具有由所述经延迟的下拉信号驱动的栅极和耦合至地的源极。7.如权利要求6所述的电路,其特征在于,每个下拉电路的反相器进一步包括缓冲器,所述缓冲器被配置为使所述经延迟的下拉信号延迟,以致第一延迟时段大于或等于所述数字字中的比特之间的预期偏斜。8.如权利要求7所述的电路,其特征在于,所述上拉电路包括耦合在电源节点和所述公共节点之间的PMOS晶体管,并且其中所述上拉电路进一步包括耦合至所述公共节点的至少一个缓冲器,所述至少一个缓冲器被配置为在所述公共节点放电后的第二延迟时段期满之际释放经延迟的信号。9.如权利要求8所述的电路,其特征在于,所述至少一个缓冲器包括被配置成使得第二延迟时段大于或等于第一延迟时段的两倍的多个缓冲器。10.如权利要求1所述的电路,其特征在于,所述电路位于接收机中,所述接收机被配置为使用来源于所述公共节点响应于每个数据字的放电和偏置的时钟信号。11.如权利要求10所述的电路,其特征在于,所述接收机是用于动态随机存取存储器(DRAM)的集成电路的一部分。12.如权利要求8所述的电路,其特征在于,进一步包括弱保持器器件,所述弱保持器器件被配置为响应于所述经延迟的信号的释放使所述公共节点弱充电至电源电压。...
【专利技术属性】
技术研发人员:X·孔,C·钟,S·L·纳弗伯斯,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国;US
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