一种适用于侧发光深紫外LED封装支架及其生产工艺制造技术

本发明专利技术公开了一种适用于侧发光深紫外LED封装支架及其生产工艺，该生产工艺包括：形成氮化铝浆料之后注入到基层模具，形成氮化铝基层；在氮化铝基层表面形成金属层；在金属层上的预设电极区设置金属电极块；在金属层上覆盖一层氮化铝浆料，形成氮化铝基板胚体；将氮化铝基板胚体进行高温烧结和退火，形成氮化铝陶瓷结构；对氮化铝陶瓷结构，在设置第二围坝一侧的第一表面上的各个固晶区进行激光打孔，形成第一表面至金属层的孔，并在孔内填充金属材料；在第一表面按照预设的电路进行光刻最终形成电路，切割后形成若干个独立的氮化铝陶瓷支架。通过本发明专利技术，能够实现深紫外LED侧向发光。

A Packaging Bracket for Side Light Emitting Deep Ultraviolet LED and Its Production Technology

The invention discloses a side-emitting deep ultraviolet LED packaging support and its production process, which includes: forming aluminium nitride slurry and injecting it into the base mould to form aluminium nitride base course; forming a metal layer on the surface of aluminium nitride base course; setting a metal electrode block in the preset electrode area of the metal layer; covering a layer of aluminium nitride slurry on the metal layer to form aluminium nitride base course. The aluminium nitride ceramic structure is formed by sintering and annealing the aluminium nitride substrate embryo at high temperature. Laser drilling is carried out on the solid crystal regions of the first surface on the side of the second dam to form the holes from the first surface to the metal layer, and metal materials are filled in the holes. The photolithography circuit is finally formed on the first surface according to the preset circuit. Several independent aluminium nitride ceramic supports were formed after cutting. The invention can realize the lateral luminescence of deep ultraviolet LED.

【技术实现步骤摘要】
一种适用于侧发光深紫外LED封装支架及其生产工艺
本专利技术涉及深紫外LED封装
，更具体地，涉及一种适用于侧发光深紫外LED封装支架及其生产工艺。
技术介绍
目前，深紫外LED具有非常广阔的应用前景，特别是在杀菌医疗领域有着不可替代的作用。深紫外LED通常包括本体和封装陶瓷支架，图1是现有技术中陶瓷支架的结构示意图，目前行业内通用的陶瓷支架采用如下工艺制作：首先在陶瓷基板10'正面做电路布局，然后采用金属材料，例如铜铁铝镁等的合金，制作腔体围坝20'；陶瓷基板10'背面的底部电极30'也采用上述的金属材料；上述金属材料和陶瓷基板10'之间采用高温烧结或者焊接等工艺，最后在陶瓷基板10'上激光打孔，在孔位注入金属浆料，使陶瓷基板10'正面与底部电极30'导通。采用该类陶瓷支架对本体进行封装时，本体位于陶瓷基板10'正面且被腔体围坝20'包围，通过底部电极30'接收电信号控制本体发光，实现深紫外LED的发光控制。这类深紫外LED在进行应用时，通常将底部电极30'与安装面固定，同时实现机械连接和电连接，如果以安装面相对的一面作为正面，则现有技术中的深紫外LED只能进行正发光，这种固本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种适用于侧发光深紫外LED封装支架的生产工艺，其特征在于，包括：将氮化铝粉体与粘合剂搅拌混合形成氮化铝浆料；将所述氮化铝浆料注入到基层模具中，形成氮化铝基层；在所述氮化铝基层表面堆叠一层金属浆料形成金属层；在所述金属层上的预设电极区设置金属电极块，其中，所述金属层上预设有在第一方向上依次排列的多个所述电极区，每个所述电极区内设置有在第二方向上依次排列且相互绝缘的两个所述金属电极块，所述第一方向与所述第二方向交叉；在所述金属层上覆盖一层所述氮化铝浆料，形成氮化铝基板胚体，其中，所述氮化铝基板胚体包括在所述第一方向延伸的第一围坝和在所述第二方向上延伸的第二围坝，相邻两个所述第一围坝和相邻两个...

【技术特征摘要】
1.一种适用于侧发光深紫外LED封装支架的生产工艺，其特征在于，包括：将氮化铝粉体与粘合剂搅拌混合形成氮化铝浆料；将所述氮化铝浆料注入到基层模具中，形成氮化铝基层；在所述氮化铝基层表面堆叠一层金属浆料形成金属层；在所述金属层上的预设电极区设置金属电极块，其中，所述金属层上预设有在第一方向上依次排列的多个所述电极区，每个所述电极区内设置有在第二方向上依次排列且相互绝缘的两个所述金属电极块，所述第一方向与所述第二方向交叉；在所述金属层上覆盖一层所述氮化铝浆料，形成氮化铝基板胚体，其中，所述氮化铝基板胚体包括在所述第一方向延伸的第一围坝和在所述第二方向上延伸的第二围坝，相邻两个所述第一围坝和相邻两个所述第二围坝交叉限定的区域为固晶区，所述固晶区用于设置LED本体，所述第二围坝覆盖所述金属电极块，且在所述第一方向上，所述第二围坝具有相对设置的第一侧壁和第二侧壁，所述第二围坝的第一侧壁与被其覆盖的所述金属电极块的距离大于其第二侧壁与被其覆盖的所述金属电极块的距离；将所述氮化铝基板胚体进行高温烧结处理，并在高温烧结处理后进行退火处理，形成氮化铝陶瓷结构；对所述氮化铝陶瓷结构，在设置所述第二围坝一侧的第一表面上的各个所述固晶区进行激光打孔，形成所述第一表面至所述金属层的孔，并在所述孔内填充金属材料；在所述第一表面按照预设的电路进行光刻；将光刻后的所述氮化铝陶瓷结构进行蒸镀和电镀处理，形成电路；对蒸镀和电镀处理后的所述氮化铝陶瓷结构进行切割，形成若干个独立的氮化铝陶瓷支架，其中，在每个所述陶瓷支架中，包含一个所述固晶区和围绕所述固晶区的两个所述第一围坝和两个所述第二围坝，并且，两个所述第二围坝中仅有一个覆盖有两个所述金属电极块，且两个所述金属电极块暴露于所述第二围坝的一个表面外。2.根据权利要求1所述的适用于侧发光深紫外LED封装支架的生产工艺，其特征在于，所述粘合剂在所述氮化铝浆料中所占的比重为1％～30％。3.根据权利要求1所述的适用于侧发光深紫外LED封装支架的生产工艺，其特征在于，所述粘合剂为高温挥发性粘合剂，所述高温挥发性粘合剂在1000℃的温度下会...

【专利技术属性】
技术研发人员：林辉，王博文，刘召忠，蓝文新，
申请(专利权)人：江西新正耀光学研究院有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36