LED倒装芯片封装基板和LED封装结构制造技术

本发明专利技术涉及一种LED倒装芯片封装基板，其包括：陶瓷基底(例如氮化铝基底)；导电线路层，设置在所述陶瓷基底上且包括成对设置的焊盘；绝缘保护层(例如低温玻璃釉层)，与所述导电线路层设置在所述陶瓷基底的同一侧并露出所述焊盘；以及金属反射层(例如金属铝层)，设置在所述绝缘保护层远离所述陶瓷基底的一侧并露出所述焊盘。此外，本发明专利技术还提出采用所述LED倒装芯片封装基板的LED封装结构。因此，本发明专利技术综合利用各种材料的优势而能够得到兼具高热导率、高反射率、高稳定性和优良绝缘性能的LED倒装芯片封装基板以及具有高可靠性甚至高光取出效率的LED封装结构。

LED Flip Chip Packaging Substrate and LED Packaging Structure

The invention relates to an LED flip chip packaging substrate, which comprises: a ceramic substrate (e.g. an aluminium nitride substrate); a conductive circuit layer, which is arranged on the ceramic substrate and includes a pair of pads; an insulating protective layer (e.g. a low temperature glass glaze layer), which is arranged on the same side of the ceramic substrate and exposes the pad; and a metal reflective layer (e.g. metal). The aluminum layer is arranged on one side of the insulating protective layer away from the ceramic substrate and exposes the pad. In addition, the invention also proposes an LED packaging structure using the LED flip chip packaging substrate. Therefore, by synthesizing the advantages of various materials, the invention can obtain LED flip chip packaging substrates with high thermal conductivity, high reflectivity, high stability and excellent insulation performance, and LED packaging structures with high reliability and even high light removal efficiency.

【技术实现步骤摘要】
LED倒装芯片封装基板和LED封装结构
本专利技术涉及LED封装
，尤其涉及一种LED倒装芯片封装基板以及一种LED封装结构。
技术介绍
随着倒装芯片(Flip-Chip)技术的不断发展，该结构芯片的优势将得以充分地展现。无论是可见光还是非可见光领域，倒装芯片技术将是未来光源的主要应用之一。而倒装芯片技术所涉及的支架或者封装基板目前所采用的材料的各性能例如热导率、绝缘性能、稳定性与反射率之间存在相互矛盾，例如镜面铝材料具有高的热导率、反射率及稳定性，而其绝缘电性能差；陶瓷材料具有高的热导率、稳定性和优良的绝缘性能，但反射率偏低，尤其是紫外波段的反射率低；EMC(EpoxyMoldingCompound)/SMC(SiliconeMoldingCompound)等塑封材料具有高的反射率，但热导率、绝缘电性能及稳定性相对偏差，特别是紫外波段的稳定性差。因此如何解决LED倒装芯片支架或封装基板目前所采用的材料的各性能之间的矛盾是目前亟待解决的课题。
技术实现思路
有鉴于此，为克服现有技术中的缺陷和不足，本专利技术提供一种LED倒装芯片封装基板以及一种LED封装结构。具体地，本专利技术实施本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED倒装芯片封装基板，其特征在于，包括：基底；导电线路层，设置在所述基底上且包括成对设置的焊盘；绝缘保护层，设置在所述基底上且与所述焊盘位于所述基底的同一侧、并环绕所述焊盘以露出所述焊盘；其中所述绝缘保护层的材料为熔点低于600℃的低温玻璃釉、和/或双马来酰亚胺三嗪体系材料而具有粘结作用；以及金属反射层，设置在所述绝缘保护层远离所述基底的一侧并露出所述焊盘。

【技术特征摘要】
1.一种LED倒装芯片封装基板，其特征在于，包括：基底；导电线路层，设置在所述基底上且包括成对设置的焊盘；绝缘保护层，设置在所述基底上且与所述焊盘位于所述基底的同一侧、并环绕所述焊盘以露出所述焊盘；其中所述绝缘保护层的材料为熔点低于600℃的低温玻璃釉、和/或双马来酰亚胺三嗪体系材料而具有粘结作用；以及金属反射层，设置在所述绝缘保护层远离所述基底的一侧并露出所述焊盘。2.如权利要求1所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，还包括反射杯，设置在所述绝缘保护层远离所述基底的一侧并环绕所述焊盘以露出所述焊盘；其中所述反射杯通过所述绝缘保护层的粘结作用与所述基底结合、并露出部分所述绝缘保护层；所述金属反射层包括相连的第一部分和第二部分，所述第一部分位于所述反射杯的倾斜内表面，所述第二部分位于所述反射杯露出的所述绝缘保护层远离所述基底的表面。3.如权利要求1所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，所述金属反射层在深紫外至红外波段范围内的反射率为95％以上。4.如权利要求2所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，还包括光学增透膜，设置在所述金属反射层的所述第一部分和所述第二部分的远离所述绝缘保护层的一侧并露出所述焊盘、以及与所述金属反射层接触连接。5.如权利要求4所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，所述光学增透膜的材料为氟化镁和/或二氧化硅，且所述光学增透膜为单层膜结构或多层膜结构；其中，所述单层膜结构的膜厚是对应波段波长的1/4，所述多层膜结构中的各个层的膜厚是所述对应波段波长的1/4和/或1/2的组合。6.如权利要求2所述的LED倒装芯片封装基板，其特征在于，所述导电线路层还包括成对设置的正负电极和导通孔导电体，所述焊盘与所述正负电极位于所述基底的相对两侧，所述导通孔导电体贯穿所述基底、并使所述焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：覃国恒，洪盟渊，
申请(专利权)人：开发晶照明厦门有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35