一种TOPCon结构电池的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种TOPCon结构电池的制备方法，包括如下步骤：①清洗、制绒；②硼扩制备pn结，并进行高温处理；③高温处理后控制温度至850‑900℃，通入氧气在硅片表面生长一层BSG层，其厚度大于等于50nm；④以硼扩层为正面，对背面进行单面酸清洗刻蚀；⑤制备隧穿氧化层和掺杂薄膜硅层；⑥对正面进行单面碱清洗，去除正面因绕镀产生的多余的多晶硅层；⑦去BSG/PSG；⑧双面钝化；⑨丝印烧结。本发明专利技术的生产工艺不需要单独增加制备掩膜的工序，就能做到去除绕镀，简化了工序，提高了产品性能。

A Method for Preparing TOPCon Structural Batteries

The present invention relates to a preparation method of TOPCon structure battery, which includes the following steps: cleaning and wool making; preparing PN junction by boron diffusion and high temperature treatment; controlling temperature to 850 900 (?) after high temperature treatment, adding oxygen to silicon wafer surface to grow a BSG layer, whose thickness is greater than or equal to 50 nm; carrying out single acid cleaning and etching on the back side with boron diffusion as the front side; and preparing tunnels; Wear through oxide layer and doped thin film silicon layer; Clean the front side with single alkali to remove the excess polycrystalline silicon layer generated by winding plating; Remove BSG/PSG; Passivation on both sides; _Silk printing sintering. The production process of the invention can remove the winding plating, simplify the process and improve the product performance without adding the process of preparing mask separately.

【技术实现步骤摘要】
一种TOPCon结构电池的制备方法
本专利技术属于太阳能电池领域，具体涉及一种TOPCon结构电池的制备方法。
技术介绍
隧穿氧化层钝化接触(TOPCon)太阳能电池是近年来由德国弗兰霍夫太阳能研究所提出的一种新型硅太阳能电池。电池采用n型硅片，硅片背面覆盖一层2nm以下的氧化硅层作为钝化隧穿层，然后再覆盖一层掺杂的薄膜硅层，使电池的背面钝化，隧穿氧化层钝化接触太阳能电池的基本电池结构为背面结构依次为n型硅片、钝化隧穿层、掺杂n型薄膜硅层、金属电极层，当电池工作时，电子从n型硅片隧穿通过氧化硅层进入掺杂n型薄膜硅层中。目前国内已有一些电池制造商将该技术运用到大尺寸硅片电池生产中，在制备TOPCon电池时沉积氧化硅层和掺杂薄膜硅层时大多采用LPCVD设备，该设备在沉积薄膜硅层时难免出现绕镀现象，且此绕镀对电池的转换效率有一定负影响。现有技术在处理绕镀时大多采用特殊材料（如SiCx、SiNx等）做掩膜层，此操作需要增加一道工序来做掩膜，沉积薄膜硅层后再将此掩膜层去除，操作繁琐。
技术实现思路
为了克服上述缺陷，本专利技术提供一种TOPCon结构电池的制备方法，克服了上述缺陷，有效简化了工艺流本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：①清洗、制绒；②硼扩制备pn结，并进行高温处理；③高温处理后控制温度至850‑900℃，通入氧气在硅片表面生长一层BSG层，其厚度大于等于50nm；④以硼扩层为正面，对背面进行单面酸清洗刻蚀；⑤制备隧穿氧化层和掺杂薄膜硅层；⑥对正面进行单面碱清洗，去除正面因绕镀产生的多余的多晶硅层；⑦去BSG/PSG；⑧双面钝化；⑨丝印烧结。

【技术特征摘要】
1.一种TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：①清洗、制绒；②硼扩制备pn结，并进行高温处理；③高温处理后控制温度至850-900℃，通入氧气在硅片表面生长一层BSG层，其厚度大于等于50nm；④以硼扩层为正面，对背面进行单面酸清洗刻蚀；⑤制备隧穿氧化层和掺杂薄膜硅层；⑥对正面进行单面碱清洗，去除正面因绕镀产生的多余的多晶硅层；⑦去BSG/PSG；⑧双面钝化；⑨丝印烧结。2.根据权利要求1所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于：步骤④中所述单面酸清洗刻蚀具体为：采用质量百分比浓度为20%-25%的氢氟酸溶液进行，使硅片漂浮在溶液上，所述硅片背面朝下；利用氢氟酸溶液腐蚀掉背面SiO2层后清洗、干燥。3.根据权利要求2所述的TOPCon结构电池的制备方法，其特征在于：对硅片进行酸清洗过程中所述硅片正面喷洒形成有水...

【专利技术属性】
技术研发人员：瞿辉，徐春，梅静静，
申请(专利权)人：江苏顺风光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32