一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法技术

本发明专利技术提出了一种解决ALD方式的PERC太阳能电池在电注入或光注入后效率降低的方法，在现有工艺路线：制绒‑扩散‑刻蚀/背抛‑正面氮化硅膜沉积‑背面ALD方式氧化铝膜沉积‑背面氮化硅膜沉积(PECVD)‑激光开槽‑丝印印刷‑烧结基础上，在背面氮化硅膜沉积工序进行工艺变动，在氮化硅膜制作前，先利用笑气、氨气、硅烷在射频电离下制作一层折射率与背面氧化铝膜接近的氮氧化硅薄膜，然后采用正常工艺制作一层氮化硅膜，完成全部工序，测试电池片在电注入或光注入前后效率差异，发现经电注入或光注入后PERC电池片效率有0.05％‑0.1％的提升。

A Solution to Reduce the Efficiency of PERC Battery in ALD Mode after Electro-injection or Light-injection

The invention provides a method to solve the efficiency reduction of PERC solar cells in ALD mode after electric or light injection. On the basis of the existing process routes: velvet making, diffusion, etching/back throwing, front silicon nitride film deposition, back Alumina film deposition in ALD mode, back silicon nitride film deposition (PECVD), laser slotting, silk printing and sintering, the back silicon nitride film deposition process is carried out on the basis of the back silicon nitride film deposition process. Before fabrication of silicon nitride film, a layer of silicon nitride film with refractive index close to the back alumina film was fabricated by radio frequency ionization using laughing gas, ammonia and silane. Then a layer of silicon nitride film was fabricated by normal process, and the whole process was completed. The efficiency difference of the cell before and after electro-injection or Light-Injection was tested. PERC cells after electro-injection or Light-Injection were found. The efficiency was improved by 0.05%0.1%.

【技术实现步骤摘要】
一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法
本专利技术专利技术属于PERC太阳能电池生产
，涉及ALD方式的PERC太阳能电池，尤其涉及一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法。
技术介绍
目前ALD方式的PERC太阳能电池的主流工艺路线是：制绒-扩散-刻蚀/背抛-正面氮化硅膜沉积-背面ALD方式氧化铝膜沉积-背面氮化硅膜沉积(PECVD)-激光开槽-丝印印刷-烧结。特别提出的是，该工艺路线电池片背面保护膜是用PECVD方式制作的氮化硅膜，该氮化硅膜的折射率为2.0-2.2，与氧化铝膜折射率(约1.6)差异较大。在量产过程中发现该工艺路线制作的PERC电池存在一个缺陷，即电池片在电注入或光注入后，转换效率会降低0.1％左右，而行业PECVD方式制作氧化铝膜的PERC电池在经电注入或光注入后，效率都有0.05％左右提升。
技术实现思路
本专利技术提出了一种解决ALD方式的PERC太阳能电池在电注入或光注入后效率降低的方法，经电注入或光注入后PERC电池片效率有0.05％-0.1％的提升。为了实现上述目的，本专利技术采用以下技术方案：一种解本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：第1步：将背面ALD方式氧化铝膜沉积好的硅片插入石墨舟中，然后送入PECVD炉管中，抽真空，升温至工艺设定值；第2步：在低压下通入笑气、氨气、硅烷，开启射频电源，时间60s‑300s，完成氮氧化硅膜制作；第3步：在低压下通入氨气、硅烷，开启射频电源，时间600s‑1000s，完成氮化硅膜制作；第4步：抽真空、充氮气回压、出舟，完成整个工艺。

【技术特征摘要】
1.一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：第1步：将背面ALD方式氧化铝膜沉积好的硅片插入石墨舟中，然后送入PECVD炉管中，抽真空，升温至工艺设定值；第2步：在低压下通入笑气、氨气、硅烷，开启射频电源，时间60s-300s，完成氮氧化硅膜制作；第3步：在低压下通入氨气、硅烷，开启射频电源，时间600s-1000s，完成氮化硅膜制作；第4步：抽真空、充氮气回压、出舟，完成整个工艺。2.根据权利要求1所述的一种解决ALD方式的PERC电池在电注入或光注入后效率降低的方法，其特征在于，第1步中，温度的工艺设定值为400-600℃。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙涌涛，彭兴，楼杭晓，
申请(专利权)人：横店集团东磁股份有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33