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本发明涉及一种TOPCon结构电池的制备方法，包括如下步骤：①清洗、制绒；②硼扩制备pn结，并进行高温处理；③高温处理后控制温度至850‑900℃，通入氧气在硅片表面生长一层BSG层，其厚度大于等于50nm；④以硼扩层为正面，对背面进行单面...
该专利属于江苏顺风光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏顺风光电科技有限公司授权不得商用。

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