The invention provides a fast recovery diode, a preparation method and an electronic device. The fast recovery diode includes: a substrate in which an ohmic contact zone is formed; an epitaxial layer in which the epitaxial layer is located on the substrate; an ion doping region in which the ion doping region is located on the side far from the substrate; a first metal region in which the first metal region is located and an ion doping region in which the ion doping region is located. A Schottky contact is formed between the first metal region and the epitaxy layer, a first electrode and the first electrode are arranged on the surface of the epitaxy layer away from the substrate side, and a second electrode, the second electrode is arranged on the side of the substrate away from the epitaxy layer. As a result, the fast recovery diode has faster reverse recovery time, smaller forward voltage drop and larger recovery softness.
【技术实现步骤摘要】
快恢复二极管及制备方法、电子设备
本专利技术涉及电子领域，具体地，涉及快恢复二极管及制备方法、电子设备。
技术介绍
目前在电子电路中，快恢复二极管是最常用的基础电子元器件之一，在开关器件中具有重要地位。与开关器件匹配使用的大功率快恢复二极管通常被称为续流二极管。适当选择续流二极管的特性，可显著地减小开关器件、二极管和其它许多电路元件中的功耗损耗。还可以减小由续流二极管所引起的射频干扰和电磁干扰，从而尽量减小甚至去掉吸收电路。目前最常用的快恢复二极管，结构上是传统的pin结构，即在P型硅材料与N型硅材料中间增加了基区(i区)。一般采用传统型基区加缓冲层结构，以尽量缩短基区，减小通态压降，通过少子寿命的控制技术达到快恢复的目的。然而，目前的快恢复二极管及制备方法、电子设备仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术是基于专利技术人对以下事实的发现和认识而作出的：目前快恢复二极管存在正向导通压降大、反向恢复时间长、电压尖峰高等问题。专利技术人经过深入研究以及大量实验发现，这主要是由于在高压大功率应用环境下，快恢复二极管中的基区厚度加宽、电阻率增大以及电流密度增加引起的。当正在导通...
【技术保护点】
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有欧姆接触区；外延层，所述外延层设置在所述衬底上；离子掺杂区，所述离子掺杂区设置在所述外延层中远离所述衬底的一侧；第一金属区，所述第一金属区设置在所述外延层中，且所述第一金属区与所述离子掺杂区相邻设置，所述第一金属区与所述外延层之间形成肖特基接触；第一电极，所述第一电极设置在所述外延层远离所述衬底一侧的表面上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述衬底远离所述外延层的一侧。
【技术特征摘要】
1.一种快恢复二极管，其特征在于，包括：衬底，所述衬底中形成有欧姆接触区；外延层，所述外延层设置在所述衬底上；离子掺杂区，所述离子掺杂区设置在所述外延层中远离所述衬底的一侧；第一金属区，所述第一金属区设置在所述外延层中，且所述第一金属区与所述离子掺杂区相邻设置，所述第一金属区与所述外延层之间形成肖特基接触；第一电极，所述第一电极设置在所述外延层远离所述衬底一侧的表面上；以及第二电极，所述第二电极设置在所述衬底远离所述外延层的一侧。2.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述欧姆接触区包括第二金属区或衬底掺杂区。3.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述欧姆接触区包括多个所述第二金属区或多个所述衬底掺杂区，所述多个第二金属区或所述多个衬底掺杂区分别独立地设置在所述衬底中。4.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述衬底掺杂区具有与所述离子掺杂区相同的掺杂类型。5.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第二金属区和所述衬底之间形成肖特基接触。6.根据权利要求2所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第二金属区包括金属镍、铂、金、钛、钼的至少之一。7.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述衬底以及所述外延层具有相同的离子掺杂类型，所述离子掺杂区与所述外延层具有不同的掺杂类型。8.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，包括多个所述离子掺杂区，至少两个相邻的所述离子掺杂区之间，设置有所述第一金属区。9.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，包括多个所述第一金属区，所述第一金属区的两侧均与所述离子掺杂区相邻。10.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，进一步包括以下结构的至少之一：绝缘层，所述绝缘层覆盖所述外延层远离所述衬底一侧的部分表面；护层，所述护层设置在所述第一电极远离所述外延层的一侧；以及缓冲层，所述缓冲层设置在所述衬底以及所述外延层之间。11.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述衬底是由硅形成的。12.根据权利要求11所述的快恢复二极管，其特征在于，所述衬底是经过掺杂处理的，所述衬底的掺杂电阻率小于0.005Ω·cm。13.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述外延层的电阻率为1～1000Ω·cm。14.根据权利要求1所述的快恢复二极管，其特征在于，所述第一金属区包括金属镍、铂、金、钛、钼的至少之一。15.根据权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员：王艳春，周亮，
申请(专利权)人：宁波比亚迪半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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