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本发明提出了快恢复二极管及制备方法、电子设备。该快恢复二极管包括：衬底，所述衬底中形成有欧姆接触区；外延层，所述外延层设置在所述衬底上；离子掺杂区，所述离子掺杂区设置在所述外延层中远离所述衬底的一侧；第一金属区，所述第一金属区设置在所述外延...
该专利属于宁波比亚迪半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宁波比亚迪半导体有限公司授权不得商用。

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