A ferroelectric memory device includes: a substrate, which has a source electrode and a drain electrode; a first interface dielectric layer comprising an antiferroelectric material on a substrate between the source electrode and the drain electrode; a ferroelectric grid dielectric layer comprising a ferroelectric material disposed on a first interface dielectric layer; and a gate electrode disposed on a ferroelectric grid dielectric layer.
【技术实现步骤摘要】
铁电存储器件相关申请的交叉引用本申请要求于2017年6月27日提交的申请号为10-2017-0081465的韩国申请的优先权，其全部内容通过引用并入本文。
本公开涉及铁电存储器件。
技术介绍
通常，铁电材料在没有外部电场的情况下可以具有自发极化。具体而言，铁电材料可以保持两种不同的剩余极化状态中的任意一种。剩余极化状态可以通过施加到铁电材料的电场来控制或改变。铁电材料的剩余极化状态可以根据施加到铁电材料的电场而变化。因此，利用铁电材料的极化特性将铁电材料应用于非易失性存储器上成为重点。即，铁电材料作为在非易失性存储单元(其储存与逻辑“0”和逻辑“1”相对应的数据)中采用的材料的候选者是有吸引力的。
技术实现思路
根据一个实施例，提供了一种铁电存储器件。铁电存储器件可以包括：衬底，其中具有源电极和漏电极；第一界面电介质层，其包括设置在源电极与漏电极之间的衬底上的反铁电材料；铁电栅电介质层，其包括设置在第一界面电介质层上的铁电材料；以及栅电极，其设置在铁电栅电介质层上。根据另一个实施例，提供了一种铁电存储器件。铁电存储器件可以包括半导体衬底；绝缘层，其设置在半导体衬底上；...
【技术保护点】
1.一种铁电存储器件，包括：衬底，其具有源电极和漏电极；第一界面电介质层，其包括设置在源电极与漏电极之间的衬底上的反铁电材料；铁电栅电介质层，其包括设置在第一界面电介质层上的铁电材料；以及栅电极，其设置在铁电栅电介质层上。
【技术特征摘要】
2017.06.27 KR 10-2017-00814651.一种铁电存储器件，包括：衬底，其具有源电极和漏电极；第一界面电介质层，其包括设置在源电极与漏电极之间的衬底上的反铁电材料；铁电栅电介质层，其包括设置在第一界面电介质层上的铁电材料；以及栅电极，其设置在铁电栅电介质层上。2.根据权利要求1所述的铁电存储器件，其中，第一界面电介质层的晶格常数与铁电栅电介质层的晶格常数基本相同。3.根据权利要求1所述的铁电存储器件，其中，第一界面电介质层包括氧化铪材料、氧化锆材料和氧化铪锆材料中的至少一种。4.根据权利要求1所述的铁电存储器件，其中，铁电栅电介质层包括氧化铪材料、氧化锆材料和氧化铪锆材料中的至少一种。5.根据权利要求1所述的铁电存储器件，其中，铁电栅电介质层掺杂有掺杂剂；以及其中，掺杂剂包括碳C、硅Si、镁Mg、铝Al、钇Y、氮N、锗Ge、锡Sn、锶Sr、铅Pb、钙Ca、钡Ba、钛Ti、锆Zr、钆Gd和镧La中的至少一种元素。6.根据权利要求1所述的铁电存储器件，还包括设置在衬底与第一界面电介质层之间的绝缘层，其中，绝缘层包含氧化硅材料、氮化硅材料、氮氧化硅材料和氧化铝材料中的至少一种。7.根据权利要求1所述的铁电存储器件，其中，栅电极包括钨W材料、钛Ti材料、铜Cu材料、铝Al材料、铂Pt材料、铱Ir材料、钌Ru材料、氮化钨WN材料、氮化钛TiN材料、氮化钽TaN材料、氧化铱IrO材料、氧化钌RuO材料、碳化钨WC材料、碳化钛TiC材料、硅化钨WSi材料、硅化钛TiSi材料和硅化钽TaSi材料中的至少一种。8.根据权利要求1所述的铁电存储器件，还包括设置在铁电栅电介质层与栅电极之间的第二界面电介质层，其中，第二界面电介质层包括具有顺电性或反铁电性的金属氧化物材料。9.根据权利要求8所述的铁电存储器件，其中，第二界面电介质层具有比铁电栅电介质层的带隙能量更大的带隙能量。10.根据权利要求8所述的铁电存储器件，还包括设置在铁电栅电介质层与第二界面电介质层之间的第三界面电介质层，其中，铁电栅电介质层的晶格常数...
【专利技术属性】
技术研发人员：刘香根，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR
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